Co2Ti1-xMxA（X=0,1/4;M=C,Si）晶体的电子结构的第一性原理研究

用广义梯度近似密度泛函和全势能线性缀加平面波方法研究了晶体Co2Ti1-xMxA（lX=0,1/4;M=C,Si）的电子结构.为了更好的了解杂质元素对晶体AlCo2Ti结构的影响,对杂质元素M（M=C,Si）替代晶体AlCo2Ti中的Ti（1/2,1/2,1/2）位进行了对比研究.同时,对杂质元素M（M=C,Si）对晶体AlCo2Ti的晶格常数、体弹模量和原子之间的化学键产生的作用进行了探讨.     

Co_2Ti_(1-x)M_xA(lX=0,1/4;M=C,Si)晶体的电子结构的第一性原理研究(英文)

用广义梯度近似密度泛函和全势能线性缀加平面波方法研究了晶体Co2Ti1-xMxA(lX=0,1/4;M=C,Si)的电子结构.为了更好的了解杂质元素对晶体AlCo2Ti结构的影响,对杂质元素M(M=C,Si)替代晶体AlCo2Ti中的Ti(1/2,1/2,1/2)位进行了对比研究.同时,对杂质元素M(M=C,Si)对晶体AlCo2Ti的晶格常数、体弹模量和原子之间的化学键产生的作用进行了探讨.     

元素Si和C对AlCo2Ti晶体结构的理论研究

用广义梯度近似密度泛函和全势能线性缀加平面波方法研究了元素Si和C对AlCo2Ti晶体构的电子结构影响.,我们分别对杂质元素Si和C替代晶体AlCo2Ti中的Ti(1/2,1/2, 1/2)位进行了对比研究.同时,对杂质元素Si和C对晶体AlCo2Ti的晶格常数、体弹模量和原子之间的化学键产生的作用进行了探讨.     

用第一性原理研究Co2Ti1-xMxAl(x=0,1/4;M=C,Zr)晶体的电子结构

用广义梯度近似密度泛函和全势能线性缀加平面波方法研究了晶体Co2Til-xMxA1（x=0,1/4;M=C,Zr）的电子结构。为了更好的了解杂质元素对晶体A1Co2Ti结构的影响,对杂质元素M（M=C,Zr）替代晶体A1Co2Ti中的Ti（1／2,1／2,1／2）位进行了对比研究。同时,对杂质元素M（M=C,Zr）对晶体A1Co2Ti的品格常数、体弹模量和原子之间的化学键产生的作用进行了探讨。     

用第一性原理计算六角BC2N的光学性质

基于采用密度泛函理论详细计算了六角化合物BC2N的光学性质,包括介电函数、折射指数、吸收、能量损失谱、反射,计算结果表明:六角化合物BC2N的光学性质与c-BN的光学性质相似.     

TiO_2电子结构的第一性原理计算

利用基于密度泛函理论的赝势方法对锐钛矿、金红石和萤石结构的TiO2进行模拟,研究了锐钛矿结构、金红石结构和萤石结构TiO2的基本性质参数,包括晶格常数、体弹模量B0和体弹模量对压强的一阶导数B0′。对模型进行结构优化后,应用第一性原理方法比较分析了三种晶型TiO2的电子结构,研究了其能带和态密度的分布情况,得出TiO2的价带主要是由O的2p态贡献的,导带主要是由Ti的3d态贡献的。得到三种晶型的禁带宽度,其中萤石结构的禁带宽度远小于金红石结构和锐钛矿结构,可以预计萤石TiO2光谱的吸收范围扩大,光催化性能会相应有所提高。     

高压下MgB2的电子结构的第一性原理计算

我们利用基于密度泛函理论框架下的广义梯度近似,结合全势(线性)缀加平面波方法,研究了高压下MgB2的电子结构,得到了几种压强下MgB2的电子能带结构.发现在Г点б带和π带随着压强的增大逐渐靠拢;体积的减小使价带带宽增大,而c/a的减小对这一变化没有贡献.     

Mgn(n=2～7)团簇的几何结构研究

采用密度泛函DFT中的B3LYP方法,选择sdd和6-311+g基组,对Mgn(n=2～7)小团簇的各种可能结构进行优化,得到了它们的基态平衡结构并计算出其原子化能.研究表明:随着团簇尺寸的增大,单个原子的平均原子化能逐渐增大.同时分析了团簇的最高占据轨道与最低空轨道之间形成的能级间隙.计算出了电子亲和能和电离势.最后分析了费米能级、电子亲和能和电离势的变化规律及其原因.     

单斜态TiO2电子结构的第一性原理研究

基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,对锐钛矿相TiO2和单斜态TiO2的电子结构,能带、电子态密度进行了分析.结果表明:相对于锐钛矿相TiO2,单斜态TiO2的原子布居、Ti-O键长及重叠布居数发生了变化;单斜态TiO2的禁带变宽,理论预测其光吸收波长可发生蓝移.     

3C-SiC的能带结构和光学函数的第一性原理计算

利用从头计算的全势缀加平面波理论方法研究了3C-SiC的能带结构和基本的光学函数，得到了Si、C分波态密度和能带结构．介电函数的虚部由能带结构的计算直接得到．经带隙校正后，由Kramers—Kronic（K—K）色散关系计算了介电函数的实部．由得到的介电函数计算了折射率、消光系数和反射率．经比较，计算的结果与已有的实验数据基本相符．     

宝钢冷轧3级控制系统L3_L2_L1间通讯实现

探讨了宝钢冷轧一般连续处理生产线过程控制计算机系统Level2的操作系统为WINDOWS时各级控制系统间的通讯方式,主要包括以TCP/IP Socket电文方式来完成生产控制系统Level3与过程控制系统Level2系统之间通讯;使用MICROSOFT公司.NET框架推出的信道技术实现过程控制系统内部通讯以及采用OPC开放控制协议实现过程控制系统Level2与基础自动化系统Level1之间通讯,最后给出了宝钢冷轧过程控制系统L2的一种典型架构。     

二氯二茂锆络合物的有效势从头计算

采用Ｂａｒｔｈｅｌａｔ有效势价电子从头计算法,对二氯二茂锆络合物的电子结构进行计算,并获得满意的结果。（１）络合物的ＨＯＭＯ能量为－１．６７４４＊１０＾－１８Ｊ,主要是由两个氯配位体的ｐｚ轨道构成;ＬＵＭＯ的能量为３．２６８３＊１０＾－２０Ｊ。主要是由中心金属Ｚｒ原子的ｄｘｙ和ｄｘｘ轨道构成。（２）电荷分布情况：Ｚｒ为１．７８２１;Ｃｌ（１）和Ｃｌ（２）均为－．０３９６６,Ｃｐ（１）和Ｃｐ（２）均     

The Theoretical Calculation of the ~2B_1,~2A_1 state of the NH_2 Molecule

本文通过建立NH_2 分子的简单结构模型,根据实验测定的激发态、基态势能曲线,建立了该分子体系的哈密顿量和薛定锷方程,通过微机计算了NH_2分子~2A_1,~2B_1 态的能级分布,其理论计算结果与实验结果一致。     

（GaAs）1（AlaS）1（111）超晶格能带结构的LMTO—ASA计算

用从头计算的LMTO-ASA方法计算(GaAs)_1(AlAs)_1(111)超晶格和体材料GaAs、AlA_3的能带结构,给出布里洲区对称点Γ、Z、D主要能带本征值的对称性标记和对应关系,结果表明,(GaAs)_1(AlAs)_1(111)能带与体材料能带有一定的对应转化关系,能带隙是直接能隙,在布里洲区Γ点。     

Cd1-xZnxS 能带第一性原理计算

为了计算出 Cd1-xZnxS(0≤x≤1)固溶体催化剂的能带结构,以理想晶体结构和原子取代方式构建了Zn的摩尔分数逐渐变化的计算模型,使用基于密度泛函理论平面波赝势方法的CASTEP 软件进行了计算.从计算所得的能带图上可以得出,Cd1-xZnxS(0≤x≤1)为在G(0,0,0)点的直接带隙半导体,费米能级位于禁带中,距离导带底 0.475 eV 的位置.费米能级和带隙宽度均随 Zn 的摩尔分数增大而增加,其变化规律分别为线性和二次曲线关系.将计算所得的带隙宽度随Zn 的摩尔分数的变化规律与实验规律进行比较,得到了与实验规律符合较好的结果,从而可以更好地理解 Cd1-xZnxS(0≤x≤1)固溶体的光学本征吸收特点.     

钾霞石与白榴石对铝碳材料影响的量化从头算

应用量子化学从头算方法探讨了Ａｌ２Ｏ３－Ｃ材料的碱蚀产物－钾霞石与白榴石对Ａｌ２Ｏ３－Ｃ材料的物理，化学性能的影响机理，给出了合理的微观解释。研究表明，Ａｌ２Ｏ３－Ｃ材料在高温碱蚀条件下，其中的Ａｌ２Ｏ３和ＳｉＯ２与Ｋ２Ｏ工Ｋ２ＣＯ３形成ＫＡｌＳｉＯ４及ＫＡｌＳｉ２Ｏ６Ｆ６。使原Ａｌ２Ｏ３中的原子间距增大，结构改变，原子间结合力大大下降。     

Ag-Au二元合金的价电子结构分析及熔点的计算

应用平均原子模型,对Ag-Au二元合金在浓度x_(An)=0.00,0.25,0.50,0.75,1.00时的价电子结构进行了分析,并在此基础上,结合经验电子理论的熔点理论,对上述固溶体的熔点进行了计算,并与实验值进行了比较。