氢原子在均匀磁场中的运动

对氢原子在均匀磁场中的运动进行了探讨。在忽略抗磁项情况下,系统是规则运动,相轨迹为稳定的同心圆;能量本征态是ｌ混合区为转子态或振子态,能级的移动有不同的值。在考虑抗磁项情况下,相轨迹随着ε的增加,由规则运动转变成混沌运动。在强磁场下,能谱为朗道能谱。     

磁约束氦放电及其辐射特性研究

介绍了一种新型气体激光激励结构－磁约束平板放电装置，测量了原子气体氦在这种装置中的放电伏安特性，以及不同条件下氦的放电电流密度和光谱辐射强度，利用该装置，获得了较宽气压范围、大电流密度的稳定直流放电。通过实验，提出了将这种放电结构应用于选择激发，以及应用于发展高功率激光器的设想。     

纳米磁性体系的增强磁热熵效应：Ⅱ.基于实验测量及分子？…

通过实验测量不同团簇尺寸下的纳米Ｇｄ材料的磁热熵效应，结果表明在纳米尺度下，Ｇｄ材料具有增强和磁热熵效应并尖于最佳纳米尺寸，实验结果直接证实了用统计力学理论及Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法处理模拟结果，当纳米团簇尺寸减小时，伴随着磁热熵变△Ｓ的增加，超铁磁－超顺磁转变温度ｔｓｃ发生下降偏移，采用分子场理论，导出了增强磁热熵变△Ｓ与温度偏移因子（１－ｔ）＾－１／２满足很好的标度关系△Ｓ～（ｔ）＾－１／２     

化学镀Fe—Mo—W—B合金镀层的磁损耗

利用化学镀的方法制备了非晶态Ｆｅ－Ｍｏ－Ｗ－Ｂ四元合金镀层，利用Ｘ射线衍射方法屯镀层的结构，样品的磁损耗的由交流互感电桥原理测量，结果表明：具有较宽形成玻璃体能力的成分区域同时具有较低的磁损耗，与Ｆｅ－Ｍｏ－Ｂ非晶态合金镀层比较，Ｗ元素的加入并不明显改善镀层磁损耗，同时研究了样品在逐步退火过程中磁损耗随退火温度的变化规律。     

非晶合金Fe50Ni30B20的磁驰豫的低能激发

在双能级模型及凝聚态物质的低频涨落，耗散和驰豫行为的统一理论基础上，研究了非晶合金Ｆｅ５０Ｎｉ３０Ｂ２０于４８０Ｋ退火２ｈ以后，在２５０－３５０Ｋ范围的磁后效谱，计算得到红外发散指数ｎ＝０．１１，特征驰豫时间τ∞＝２．８×１０＾－１７Ｓ．在驰豫峰温处，计算的表观激活能Ｅ为１．７ｅＶ，此结果与实验很好地一致。计算结果表明，对此非晶合金，磁后效是由于Ｂ原子跳跃引起Ｆｅ－Ｂ，Ｎｉ－Ｂ原子对的局域重排而导     

机械合金化Sm-Fe-B的结构和磁致伸缩

通过机械合金化方法对不同成分配比的Ｓｍ－Ｆｅ－Ｂ混合粉末经４０ｈ球磨球制备合金。利用Ｘ射线衍射，Ｆａｒａｄａｙ磁天平和ＹＪ－２５型静态应主仪研究了Ｓｍ－Ｆｅ－Ｂ合金的结构，磁化强度和磁致伸缩。     

水—磁约束等离子弧切割方法研究

提出了用水箍及磁场对等离子弧进行综合二次约束的原理，并通过不锈钢切割试验探讨了水－磁约束等离子弧的特性、切割质量和加工速度的一般规律，研究表明：这种二次约束方法兼具水约束和磁约束的优点，其约束效果及相应的切割效果都优于单一水约束 或磁约束所能达到的效果；利用水－磁二次约束也有助于降低喷嘴热负荷，提高喷嘴寿命与加工稳定性。     

水－磁约束等离子弧切割方法研究

提出了用水箍及磁场对等离子弧进行综合二次约束的原理，并通过不锈钢切割试验探讨了水－磁约束等离子弧的特性、切割质量和加工速度的一般规律。研究表明：这种二次约束方法兼具水约束和磁约束的优点，其约束效果及相应的切割效果都优于单一水约束或磁约束所能达到的效果；利用水－磁二次约束也有助于降低喷嘴热负荷，提高喷嘴寿命与加工稳定性。     

趋磁细胞研究：I.武昌东湖水体中趋磁细胞WD—1的分离

武昌东湖水域中存在杆状，螺旋状和旺状等不同形态的趋磁细胞，通常在细胞内有２～１０个数量不等的磁小体，在微好氧条件下利用半固体培养基分离到一株Ｇ＾－，短杆状的趋磁细胞ＷＤ－１，能谱电镜分析表明，该菌磁小体的元素组成是Ｆｅ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｐ和Ｓ，共含量分别占８４，５７％，３．９８％，２．７５％、２．２１％、１．１２％和０．９３％。     

Sm2Fel7-xGaxCy化合物磁晶各向异性的晶场分析

用单离子模型晶场理论计算了Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘＣｙ化合物的磁晶各向异性场随温度和Ｇａ、Ｃ含量的变化关系,讨论了不同晶位的Ｇａ原子和间隙位Ｃ原子对磁晶各向异性的贡献。从而解释了Ｇａ原子对Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘ和Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘＣｙ化合物磁晶各向异性的影响。     

用于磁光盘误码率测试的信号处理系统

研制了一种用于磁光盘误码率测试的信号处理系统，对信号再生电路的结构与设计要点进行了详细的阐述；并提出了一种采用“采集－暂存”结构的磁光盘盘面数据采集仪。研究结果表明，该信号处理系统引入的判决误码率与磁光盘原始误码率的下限值相比，还要低３－４个数量级，能够充分满足磁光盘误码率测试的要求。     

用XANES研究Ga1-xMnxN稀磁半导体的Mn原子的局域结构

利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga（1-x）MnxN（x=0．01，0．25，0．10）稀磁半导体中Mn原子的局域结构．结果表明在低Mn含量（摩尔浓度）的Ga0.990Mn0．010N样品中，Mn原子替代了GaN中的Ga，以替位形式存在．当Mn含量增加到0．025时，部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位，并与替位Mn原子形成了MnGa-Mn1二聚体．当Mn含量进一步增加到0．100时，样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在．     

α-Fe(Si)纳米晶对软磁合金的贡献

本文用置换固溶体结构机制，去分析ＦｅＣｕＮｂＳｉＢ纳米软磁合金中α－Ｆｅ（Ｓｉ）相表面Ｆｅ原子的合成磁矩．并用磁畴理论等物理视角去解释该类合金综合软磁物理性能优异的主原因     

室温磁致冷复合工质材料的研制

采用铜包套包覆轧制工艺制备出了室温磁致冷工质Ｇｄ＿（１－ｘ）Ｔｂ＿ｘ的实用复合工质薄带。薄带表面光滑厚度均匀，具有良好的室温磁热熵效应。对制备工艺条件及若干影响磁热熵效应的因素进行了较详细的分析。     

垂直磁记录介质Co－CoO膜的磁畴结构和反磁化机理

应用Ｌｏｒｅｎｔｚ显微术观察了反应蒸镀的Ｃｏ－ＣｏＯ膜的磁畴结构。当垂直各向异性场Ｈ＿ｋ和磁化强度相对垂直取向比增加时，它的磁畴结构从典型的１８０°面内畴变成点状畴，后老是单轴垂直磁各向异性介质的一种典型特征。用ＶＳＭ测量的ＯＲ的角度依赖性显示了垂直磁各向异性的Ｃｏ－ＣｏＯ膜中存在一定量的面内磁化强度分量。结合对矫顽力Ｈ＿ｃ，剩磁矫顽力Ｈ＿（ｃｒ）和磁滞损耗Ｗ＿ｈ的角度依赖性测量结果进行分析，可以得出结论：这种垂直磁各向异性的Ｃｏ－ＣｏＯ膜的反磁化机理是磁矩的涡旋式（Ｃｕｒｌｉｎｇｍｏｄｅ）非一致转动过程。     

MTGA和MDTG法及基在材料研究的应用

介绍磁热重分析和磁微商热重的原理及其在材料研究中的应用。首次提出了利用ＴＧＡ系统建立独立的ＭＴＧＡ和ＭＤＴＧ热分析法，对应用过程中某些容易被混淆的概念给予讨论和分析。     

抗磁效应的微观解释

运用涡旋电场的概念分析了抗磁质在外磁场中磁化过程抗磁效应的起因。     

用XANES研究Ga_(1-x)Mn_xN稀磁半导体的Mn原子的局域结构

利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga1-xMnxN(x=0.01,0.25,0.10)稀磁半导体中Mn原子的局域结构.结果表明在低Mn含量(摩尔浓度)的Ga0.990Mn0.010N样品中,Mn原子替代了GaN中的Ga,以替位形式存在.当Mn含量增加到0.025时,部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位,并与替位Mn原子形成了MnGa-MnI二聚体.当Mn含量进一步增加到0.100时,样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在.     

用XANES研究Ga1-xMnxN稀磁半导体的Mn原子的局域结构

利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga1-xMnxN(x=0.01,0.25,0.10)稀磁半导体中Mn原子的局域结构.结果表明在低Mn含量(摩尔浓度)的Ga0.990Mn0.010N样品中,Mn原子替代了GaN中的Ga,以替位形式存在.当Mn含量增加到0.025时,部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位,并与替位Mn原子形成了MnGa-Mn1二聚体.当Mn含量进一步增加到0.100时,样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在.     

太阳能热应用的新方法

利用太阳能（转化成热能）作为记忆合金热机和热磁机的热源，记忆合金热机和热磁机利用太阳能方式、冷却方式、高低温度交替方式，当太阳能（热能）储存技术成熟时，可以直接用在动力设备上。