高亮度InGaAlP DHLED结构设计的研究

InGaAlP双异质结LED结构设计的目的在于减少器件的光、电、热损耗 本文分析各层成分、层厚度、掺杂浓度以及有关的辅助技术 ,例如厚电流扩展层、电流隔离层、布拉格反射层、金属电镀反射层、透明衬底等对LED性能的影响 ,提出一个性能优良的高亮度LED应具有的结构模式     

废弃光盘中金属铝回收利用新方法

为回收利用废弃光盘反射层中的金属铝,基于化学侵蚀法采用NaOH与NaCl的混合溶液使光盘印刷层快速脱落,盐酸将光盘反射层金属铝快速溶解,在常态化的反应条件下使光盘中的铝以AlCl3的形式实现回收的酸碱联合新方法。同时考察了各个反应因素对反应的影响和碱性混合液的回用性能。研究结果表明,酸碱联合提铝方法可在15%NaOH与10%NaCl体积比为1∶2、70℃反应温度及300 r/min搅拌速度条件下使光盘印刷层在最短时间脱落,金属铝部分溶解,并在20%盐酸、70℃温度及300 r/min搅拌速度条件下可将反射层金属进行完全回收利用,且铝回收率可高达91.58%。     

金属反射层制备工艺对倒装LED芯片光电性能的影响

为了解决倒装GaN基LED芯片中金属反射层的Ag原子迁移问题,提高反射层的反射率和稳定性,采用Ag作为GaN基倒装LED芯片反射层薄膜材料;在Ag层上蒸镀TiW保护层,改变Ag反射镜制备过程中Ag/TiW溅射功率、Ar气体流量等工艺参数,研究其对LED芯片光电性能的影响。实验结果表明,当Ag溅射功率为200 W、TiW溅射功率为3 000 W、环境Ar气流量为150 mL/min时,LED芯片的工作电压和出光功率分别为2.91 V、1 247.03 mW,在400～800 nm波段,金属反射层的反射率平均提高了约0.31%,460 nm处的反射率高达96.70%,且产品的综合良率提升了约1.17%。     

提高14MeV中子热化效率的研究

为了提高14 MeV中子的热化效率,采用MCNP模拟,用多种材料、多层结构的组合对其慢化.用铅反射中子、慢化快中子,用镁聚集热中子,用水慢化中子.MCNP模拟结果显示,快中子反射层、快中子慢化层、热中子聚集层以及中子反射层可以使热化效率分别提高185％,37％,80％和538％.     

为什么有的光碟只能读取，有的可以写入，还有的可以反复擦写？

正A:光碟(又称光盘)是常用的数字信息载体。最常见的光碟是只读光碟(CD/DVD-ROM),它的基本结构是在原本平滑的聚碳酸酯等透明塑料的基底上刻出一系列亚微米尺度的"小坑",然后在小坑上覆盖一层反射层。在读取时,激光穿过聚碳酸酯层,被反射层反射后折回。而     

发光二极管（LED）和半导体激光器（LD）的应用前景展望

本文从ＬＥＤ和ＬＤ的特点和器件已达到的性能与水平展望其应用前景，目前ＬＥＤ和ＬＤ已在光纤通讯，显示器件，光存储，办公现代化，医疗，军事，检测等领域得到广泛应用显示出其蓬勃发展的应用前景。     

SOI基锗共振腔增强型光电探测器的制作与性能测试

在超高真空化学气相沉积设备上,利用低温生长的硅锗和锗作为缓冲层,在SOI衬底上成功外延出高质量的锗薄膜.基于谐振腔增强型探测器(RCE)理论,模拟优化了有源层和上下反射层的厚度尺寸.传输矩阵方法计算结果显示:将SOI衬底自有二氧化硅、硅层作为一对下反射层的情况下,取2对SiO_2/Ta_2O_5作为上反射层时,量子效率可以达到接近56%.制作的SOI基锗光电探测器,暗电流密度为0.65 m A·cm~(-2).在8 V的偏压下,探测器在1 550 nm处响应度1.45 m A·W~(-1),可以观察到探测器的共振现象.     

TCL+DBR与Ag+DBR倒装结构LED芯片光电性能比较

为给产业提供有效的参考,在同一的外延结构下,设计了TCL(透明导电层)+DBR(布拉格反射层)和Ag+DBR两种不同的结构倒装芯片,并实验对比两种结构的光电性能。结果显示:在500 mA的驱动电流下,相比于TCL+DBR结构的倒装芯片,Ag+DBR结构倒装芯片的输出亮度提升了8.7%,其饱和电流为1.32 A,比TCL+DBR结构的倒装芯片的饱和电流(1.16 A)高17.5%;同时,相比于TCL+DBR结构的倒装芯片,Ag+DBR结构的倒装芯片显示出更优的效率衰减性能。输出亮度、效率衰减性能的提升以及饱和电流的增加,主要归因于Ag+DBR结构的倒装芯片具有更佳的热分布效果、更宽的发光角度和更优的电流扩展效果。     

三结砷化镓叠层太阳电池的光学匹配设计与分析

电流匹配是两端式多结叠层太阳电池设计中的关键和难点;同时,合理的吸收光谱分布将有利于电流匹配的获得。文章采用TFC光学薄膜仿真软件,模拟与分析了三结砷化镓太阳电池的多层减反射膜、顶电池窗口层和顶电池等功能层的吸收谱、反射谱和透射谱,以及对太阳电池吸收光谱的影响,结合太阳电池性能分析,得出了几何结构优化设计,可确保较好的电流匹配。     

窄带滤光片设计中敏感度的影响因素

窄带滤光片设计中,通过改变一些参数可以设计出性能较好的窄带滤光片,但是有些理论设计却和制备的结果不符.为了揭示它们之间的变化关系,在光学薄膜设计软件Essential Macleod中进行了模拟试验.针对窄带膜系中的高低折射率间隔层、反射层层数、干涉级次和腔数对窄带滤光片设计与制备中敏感度的影响进行了分析.结果表明:增加反射层层数,会使陡度变好,半宽度变窄,矩形度变差,同时无论采用高折射率还是低折射率材料为间隔层都会增加膜系的敏感度,增大制备难度;增加干涉级次,会使陡度变好,半带宽变窄,矩形度变好,窄带滤光片的敏感度不会受到影响,然而当采用低折射率材料作为间隔层时,随着干涉级次的增加,敏感层(间隔层)会增大厚度误差和制作难度;增加腔数,会使陡度变好,半宽度变宽,矩形度变好,若以高折射率材料为间隔层则对膜系的敏感度没有影响,但是若以低折射率材料为间隔层则会增加膜系的敏感度.