掺杂对TiO2湿敏薄膜特性的改进

采用真空镀膜技术制备TiO2与TiO2∶MgF2薄膜湿敏元件,仔细研究了薄膜湿敏元件的感湿特性.结果表明:掺杂适量MgF2的TiO2∶MgF2薄膜湿敏元件,工作频率为100Hz时,在全湿度范围内具有良好的阻抗-湿度特性,感湿特性曲线线性良好;元件具有灵敏度高,滞后小,响应快,长期稳定性好等优点.     

液态源掺杂对SnO2薄膜特性影响

在单晶硅片上生长ＳｉＯ２绝缘层，再用蒸发的方法在ＳｉＯ２层上淀积超微粒ＳｎＯ２薄膜．采用液态源扩散方法对ＳｎＯ２薄膜进行掺杂．实验表明，采用此法掺杂可精确控制掺杂浓度，此法工艺简便。可靠，使掺杂和热处理一次完成，掺杂后的薄膜气敏特性得到较大的改善．     

TiO2:MgF2薄膜的湿敏特性

采用真空镀膜技术制备了TiO2MgF2薄膜湿敏元件,仔细研究了薄膜湿敏元件的感湿特性.结果表明工作频率为100Hz时,该元件在全湿度范围内具有良好的阻抗-湿度特性,感湿特性曲线线性良好;元件具有灵敏度高,滞后小,响应快,长期稳定性好等优点.     

二氧化锡薄膜结构对光学气敏特性的影响

研究了ＳｎＯ４薄膜的光学特性及有关光学参数的推导，建立了光学气敏的数学模型。较详细地研究了不同结构的ＳｎＯ２薄膜接触还原性气体后光透射率的变化。     

非晶态CuO—SiO2多孔薄膜的湿敏特性

利用溶胶－凝胶工艺和浸渍－提拉法制备了非晶态ＣｕＯ－ＳｉＯ２多孔薄膜湿敏元件,研究陀们的感湿特性,制备的湿敏元件具有响应速度极快、灵敏度高、线性度较好、湿滞小和一致性好等优点。     

多孔硅湿敏特性研究

应用阳极氧化技术在单晶硅片上生长一层多孔硅（ＰＳ）薄膜，用真空镀膜方法分别在其上下两面蒸发一层适当厚度的金属铝作为电极，设计了两种电极图形，制成二端结构的敏感元件。在不同湿度环境下，测出其电容值，得到了多孔硅ＲＨ－Ｃ湿敏特性曲线。通过不同材料、不同工艺条件的试验研究发现：多孔硅湿敏元件的湿敏特性、响应时间与其孔隙率、膜厚等参数有关。从而，确定了适合于敏感应用的材料导电类型、电导率、工艺条件和元件结     

叶绿素铜钠盐敏化SnO2超微粒薄膜的光电转换性能

采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法,制备ＳｎＯ２超微粒薄膜（ＵＰＦ）作光电极。ＳＥＭ分析结果表明,平均粒径为６０ｎｍ。采用叶绿素铜钠盐作光敏剂、ＳｎＯ２ＵＰＦ作光电极、Ｉ／Ｉ３氧化还原作电解液,导电玻璃或镀有金属铝膜的载玻片作集电极,我电化学基片。研究Ｉ／Ｉ３电解液,染料、两极距离及不同集电极对光电性能的影响,获得单位面积的开路电压（ＶＯＣ）为２６８ｍＶ,短路电流（ＩＳＣ）为２０μＡ。     

溶胶—凝胶法制备SnO2气敏薄膜的研究

以SnCl2.2H2O及乙醇为原料,利用溶胶－凝胶法制备SnO2纳米薄膜,探讨了制膜的工艺条件用XRD,SEM,TEM,AES以及XPS等研究了所得薄膜的结构性质,同时考察了薄的晶相结构、晶粒尺寸,表面形貌以及薄膜中元素的化学状态与热处理条件之间的相互关系。     

SnO2光透射率气敏薄膜的制备和研究

采用溶胶-凝胶技术，利用旋转涂膜法制备二氧化锡薄膜。结果发现，常温下在含有CO的气氛中光通过薄膜的透射率变大，对CO有较高的灵敏度。并对制备过程中出现的实验现象、制备机理及薄膜的结构和特性进行了分析和研究。     

SnO_2薄膜的MOCVD技术及其光电性质

引言SnO_2是一种宽半导体带隙材料(Eg～3.5eV),对Ⅲ,Ⅴ族元素掺杂有效。在可见光波段的透明度高(折射系数 n～1.9),在室温下对酸和碱的抗腐蚀能力强,可用于制做光电极、电阻器、透明加热元件、透明抗反射镀层以及多种器件的环境保护。采用 MOCVD 技术生长 SnO_2薄膜,是七十年代初开始的。最早是 Aoki 和 Sasahur-a 及 Muto 和 Furuuchi,用二甲基氯化锡为物质源(MO)进行化学气相沉积(CVD)制备 SnO_2 薄膜。后来人们采用了四甲基锡 Sn(CH_3)_4为制备薄膜的物质     

Al／BaTiO3／Si结构的湿敏特性

用氩离子束镀膜法制备ＢａＴｉＯ_３／Ｓｉ系统，并在４００－９００℃的温度下用氮气保护进行退火，然后制成Ａｌ／ＢａＴｉＯ３／Ｓｉ的ＭＩＳ结构。用俄歇电子能谱分析ＢａＴｉＯ３膜的化学组分．研究电容－相对湿度和电流－相对湿度特性，以及固定电荷密度对湿敏特性的影响．结果表明，当相对湿度从１２％变化到９２％时，电容量增加４８％到５０％；在３Ｖ偏压下，电流量增加４２０％到４４０％；随着固定电荷密度的减小，吸附响应时间增加，电流变化率减小．     

Mg^＋,Nb^＋离子注入对SnO2薄膜晶粒热稳定性的影响

采用Ａｒ＾＋离子溅射方法将３００ｎｍ ＳｎＯ２薄膜沉积在Ｓｉ片上，分别对膜层进行６０ｋｅＶ，５×１０＾１６ｃｍ＾－２Ｍｇ＾＋离子注入和１００ｋｄＶ，６×１０＾１６ｃｍ＾－１Ｎｂ＾＋离子注入，对未注入，Ｍｇ＾＋离子注入，Ｎｂ＾＋离子注入３种薄膜进行５００℃，４ｈ退火处理．     

少量异组分对贝利特性能的影响

本文采用正交试验法，探讨了ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｐ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｒ２Ｏ（Ｋ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ）等少量异组分对贝利特性能的影响及其影响的显著性大小．结果发现：ＺｎＯ对贝利特净浆强度影响最显著，ＢａＯ、Ｐ２Ｏ５的作用次之，而ＴｉＯ２、Ｒ２Ｏ在本实验条件下对贝利特净浆强度无明显影响．ＺｎＯ的掺入将显著降低贝利特净浆强度，而适量掺入ＢａＯ、Ｐ２Ｏ５则有利于提高贝利特净浆强度，但当ＢａＯ掺量过多时，将导致贝利特净浆后期强度降低．     

一种新型高聚物材料湿敏电容性能的研究

本文叙述用聚肉桂叉丙乙酸乙二醇－1，4丁二醇酯（简称JZ－YD）制造湿敏电容器的工艺条件和响应性能，并对实验结果进行了讨论。     

氧化物半导体气敏膜片光学特性研究

为了更深入地研究半导体气敏器件的气敏－光学特性,进一步提高其性能,地导体气敏元件的机理及光波在导电媒质中的传播,本文在实验基础上,建立了氧化物半导体气敏片的光学特性数学模型,导出了光通过膜片时上对透过率与膜片生长的若干主要因素的定量关系。     

掺杂对铌酸锶钡钾钠晶体性能的影响

各种不同掺杂的 KNSBN(铌酸锶钡钾钠)晶体分别呈现收缩的、稳定的和扩张的三种不同类型的电滞回线,随之在热电性及其稳定性等方面产生差异。     

聚合物基体的结构与其敏感膜性能的关系

研究了不同聚合物基体的敏感膜电极对聚氧乙烯类非离子表面活性剂的响应性能，采用差热分析、扫描电镜、Ｘ射线衍射分析等测试手段，对聚合物基体的结构以及聚合物基体与活性物质的相容性进行了系统的探讨。研究表明，具有良好响应性能的聚合物敏感膜基体应满足下列条件：分子链为柔性长链，不结晶、不交联，敏感膜的玻璃化转变温度低于室温，并且基体与活性物质的溶解度参数接近，二者充分相容。     

玻基SnO_2薄膜高强度焊接的EDX分析

用复合工艺实现了玻基SnO_2薄膜与导线的高强度焊接,并同时在薄膜上制得了金属导电带。其焊接的抗拉强度可达20N/mm~2。通过EDX 分析指示出,获得高强度效果的原因是,在焊区表面的金属Ni 层下有一个膜质与基片玻璃质的共存区。     

掺杂效应对氧化锡纳米晶微结构、形貌及其光学性能的影响

以二价SnCl2无机盐为原料，基于配合物前躯体方法制备了氧化锡及铜离子掺杂氧化锡纳米晶．根据DSC和TG分析结果在550℃对前驱体进行煅烧．运用FTIR、UV-VIS、XRD和TEM／HRTEM等测试手段对两纳米晶材料进行了分析表征．掺杂后掺杂相氧化物分散驻留在SnO2晶粒表面，阻止了SnO2晶粒表面的扩散，从而抑制其晶粒生长．此外，铜离子掺杂使得表面缺陷附近的自由电子能有效的定域化，从而使SnO2纳米晶体系的直接和间接带隙能均向高能方向移动．试验证明以无机盐代替金属醇盐为原料是切实可行的，且配合物前躯体法简单易操作，将有利于产业化．