Mo2C膜脱附激活能随沉积温度的变化规律

介绍了用金属有机气相沉积(MOCVD)制备Mo2C膜的过程和对膜的颗粒粒径的测量结果,建立物理模型,导出粒子脱附激活能的计算公式,探讨了Mo2C膜的脱附激活能随沉积温度的变化.结果表明:沉积温度低于380 ℃时,Mo2C膜的脱附激活能随温度升高而增大较快;而高于380 ℃时,激活能随温度升高而增大的速度变小.     

MOCVD制备的Mo2C膜粗糙度研究

介绍了金属有机气相沉积制备Ｍｏ２Ｃ膜的过程和对膜表面粗糙度的测量结果,在测量基础上进行统计,找出Ｍｏ２Ｃ膜的高差分布;应用非平衡统计理论导出表面高差分布公式,结果表明实际测量与理论推导结果一致。     

Mo2C膜表面粗糙度随温度和时间变化规律的研究

对以碳基金属气相沉积制备的MO2C膜表面粗糙度进行了测量；在测量基础上进行统计，找出了表面高度分布并确定表面粗糙度随时间和温度的变化规律。结果表明：MO2C膜表面粗糙化属快速粗糙化，粗糙度随时间的变化具有标度函数的特征；粗糙度随基底温度升高而增大。     

Mo原子表面扩散激活能的计算及Mo2C膜成膜机理

应用Ｃｏｌｌｉｎｓ模型,计算了Ｍｏ原子表面扩散激活能。根据实验结果,论证了如下结论：在制备Ｍｏ２Ｃ膜的过程中,Ｍｏ（ＣＯ）６的变化遵从先被基底吸附,发生相变再进行级联式分解的两步机制;其成膜过程是Ｍｏ（ＣＯ）６先分解,再由Ｍｏ碳化为Ｍｏ２Ｃ成膜。用Ｇｉｂｂｓ函数最小的原理,探讨了成膜的适宜温度。     

Mo2C膜表面粗糙度随温度和时间变化规律的研究

对以羰基金属气相沉积制备的Mo2 C膜表面粗糙度进行了测量 ;在测量基础上进行统计 ,找出了表面高度分布并确定表面粗糙度随时间和温度的变化规律 .结果表明 :Mo2 C膜表面粗糙化属快速粗糙化 ,粗糙度随时间的变化具有标度函数的特征 ;粗糙度随基底温度升高而增大     

四探针测量任意方形样品电阻率的修正因子

采用三维无限电像分布,推导了?点接触、任意形状排列探针测量任意大小方形样品电阻率的普遍表达式,作为特例,计算了点接触直线四探针的修正因子,并与实验比较,结果表明所推导的公式可准确计算任意大小方形材料的电阻率;当样品边界与探针的距离都大于探针间距四倍时,可近似看作半无穷大样品。     

电阻率测量技术研究

通过对测量半导体样品电阻率的四探针法的介绍,详细讨论了常规四探针法、双电测四探针法和范德堡法的测量方法,并给出了相应计算电阻率的公式和直排四探针法厚度修正公式,同时也对图像识别技术和电阻抗成像技术在电阻率测量中的应用进行了展望。     

探针压力对四探针法测量银薄膜电阻率的影响

本文用四探针法测量了220纳米厚的银薄膜的电阻率,研究了探针压力对银薄膜电阻率的影响。结果表明：随着探针压力从1.47牛顿增大到4.41牛顿,银薄膜的电阻率略微增大,最大探针压力时的电阻率比最小探针压力时的电阻率大约增加了7%。     

CVD方法制备Mo2C膜的化学反应机制和组分含量的热力学计算

报道了采用ＣＶＤ方法制备Ｍｏ２Ｃ膜的方法,在实验上证实了Ｍｏ２Ｃ膜的化学反应机制包括Ｍｏ（ＣＯ）６的分解和Ｍｏ的碳化两个过程,根据自由能极小原理对薄膜中各组分的含量与沉积温度的关系作了计算,计算值的变化趋势与测量值基本一致     

以PMMA为模板剂制备大孔ZrO2膜的研究

提高陶瓷膜孔隙率是高性能陶瓷膜制备的重要研究方面,有序大孔材料具有很高的孔隙率。以聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）为成孔模板剂,采用抽滤和重力沉积的组装方法制备了对称的大孔ZrO2膜。实验考察了制膜液的合成每件,通过调节模板剂和ZrO2粒子的电性制得了稳定的制膜液。同时用浸浆法在Al2O3多孔支撑体上制备了非对称大孔ZrO2膜。制得的对称大孔ZrO2膜的孔隙率达到了62％。扫描电子显微镜（SEM）照片显示制备出的ZrO2膜孔径均一,孔排列规则,具有很大的孔隙率。     

金刚石膜和氢化非晶碳膜电阻率测量的对比研究

对金刚石膜和氢化非晶碳膜的电阻率测试方法进行了对比研究，即对金刚石膜采用“大”尺度电极，氢化非晶碳膜采用“大”尺度电极和小尺度电极测量I－V曲线进行对比分析和讨论，得出了有意义的结果。     

La2Mo2O9的离子掺杂行为研究

以柠檬酸为络合剂,采用溶胶-凝胶法合成了La2Mo2O9以及La2Mo2-xMxO9(M=Fe、Mn、Ti、Co、Ni、W)掺杂的样品.应用X射线衍射(XRD)、差示扫描量热(DSC)等方法考察了离子掺杂的成相情况以及离子搀杂对La2Mo2O9结构的稳定化作用;运用双探针法测试了样品的电导率随温度的变化情况.研究结果表明Fe、Mn、Ti、Co、Ni等离子对Mo6 的取代掺杂量较少.纯La2Mo2O9在580℃左右存在相变,但Fe、Ti掺杂样品没有出现相变过程的吸热峰.W6 离子可取代部分Mo6 而进入La2Mo2O9晶格,但对抑制其相变没有作用.     

用XPS研究Ti－15Mo合金在盐酸中钝化膜的组成

应用ＸＰＳ和电化学测量技术研究了Ｔｉ－１５Ｍｏ合金在７０℃４ｍｏｌ／ＬＨＣｌ溶液中，９００ｍＶ，２００ｍＶ和０ｍＶ恒电位阳极极化条件下形成的钝化膜。结果表明，Ｔｉ－１５Ｍｏ合金在７０℃４ｍｏｌ／ＬＨＣｌ溶液中钝化膜很稳定。在高阳极极化电位下（９００ｍＶ），钝化膜表层中贫Ｍｏ，而在低阳极极化电位下（２２ｍＶ，０ｍＶ），钝化膜表层有Ｍｏ的富集现象。钝化膜内含有较多的电解质阴离子Ｃｌ－，而旦分布很深，推测氯离子可能参加了膜的生成反应。     

La2Mo2O9氧离子导体的合成及XPS研究

采用溶胶-凝胶法制备了La2Mo2O9氧离子导体,并利用XRD、X射线光电子能谱对其制备条件和氧物种进行了分析.研究表明,凝胶前驱体在600℃焙烧可以形成La2Mo2O9晶相.提高焙烧温度,有利于晶粒生长和致密化.XPS分析表明,La2Mo2O9中金属离子均处于其最高价态,只有晶格氧物种存在,没有吸附态的氧物种.高温相中各元素的结合能均较低温相高,可能归结于高温相立方结构中金属和氧的键合程度高于其在低温相的键合程度.     

C2+C2H2→C4H2反应机理的密度泛函研究

在密度泛函理论B3LYP/6-31 G水平上研究C2分子自由基与C2H2分子的反应机理。优化计算得到可能反应途径上的反应物、中间产物、过渡态和产物的几何结构,并通过频率振动分析对过渡态和中间产物进行了确认。结果表明,反应C2 C2H2→C4H2是多步骤的强放热反应。     

用XPS研究Ti—15Mo合金在盐酸中钝化膜的组成

应用ＸＰＳ和电化学测量技术研究了Ｔｉ－１５Ｍｏ合金在７０℃４ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ溶液中，９００ｍＶ，２００ｍＶ和０ｍＶ恒电位阳极极化条件下形成的钝化膜。结果表明，Ｔｉ－１５Ｍｏ合金在７０℃４ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ溶液中钝化膜很稳定。     

Mo2BC力学和电子性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软贋势方法,对正交结构Mo2BC的力学和电子性质进行了系统的研究.计算结果表明,正交结构的Mo2BC在零压下是稳定的,优化得到的平衡结构参数与实验值符合得很好.Mo2BC的块体模量为308 GPa、剪切模量为187 GPa、弹性模量为471 GPa、泊松比为0.245,德拜温度是80 K.电子结构的分析表明,Mo2BC的化学键是共价键和离子键混合,表现出一定的金属性.     

固相法制备Mo4.8Si3C0.6纳米粉体的反应机理研究

首先通过热力学计算探讨了合成Mo4.8Si3C0.6粉体的可能温度区间,进而以钼粉、硅粉和炭粉为主要原料,通过固相反应法来制备Mo4.8Si3C0.6粉体.采用XRD、SEM和BET等方法研究了温度对所得材料组成、比表面积、粒径和微观结构的影响.结果表明:在1 400～1 900 K温度范围内,Mo4.8Si3C0.6的标准生成吉布斯自由能较低,为-351.3～-338.1 kJ/mol;在1 823 K,1.5 h时能够获得无杂质相的Mo4.8Si3C0.6粉体,粉体颗粒呈花状,直径约3.2～4.2μm,组成花的六方片状晶粒厚度约为50～80 nm,粉体的比表面积为0.753 3 m2/g.固相法制备Mo4.8Si3C0.6粉体的反应机理为:反应温度为1 373 K时,主要产物为Mo2C;1 523 K时,主要产物为Mo5Si3,存在少量的Mo4.8Si3C0.6;当温度升高至1 673 K时,主要产物为MMo4.8Si3C0.6,仍存在部分Mo5Si3;1 823 K时,可获得无杂质相的Mo4.8Si3C0.6.     

CoPt/C颗粒膜矫顽力的研究

研究了影响CoPt／C颗粒膜的矫顽力大小的CoPt的成分、C的含量、合适的热处理条件和膜厚等因素．发现Co原子浓度在25％～57％之间均可以得到大矫顽力;适量的C能最大程度的提高膜的矫顽力;退火温度在650℃～700℃时足够使颗粒完成由软磁相向硬磁相的转变;矫顽力在一定范围内随膜厚的减少而增加．     

团簇Co2Mo2P3电子性质的研究

为了探究团簇Co2Mo2P3的微观电子性质,使用密度泛函理论中B3LYP/Lanl2dz方法对设计出的36种初始构型进行优化分析,共得到8种稳定构型,二、四重态各4种.通过对团簇Co2 Mo2 P3的电荷、布居数和原子间的自旋密度进行分析得出结论:P原子是团簇Co2 Mo2 P3的电子供体,是构型内部电子的主要贡献者;...