一种新的双栅MOSFET物理模型

本文以单栅MOSFET的物理模型为基础,导出了双栅MOSFET的物理模型,该模型中,不仅考虑了漏压对沟道长度的调制效应,而且也考虑了栅压对沟道中载流子迁移率的影响,由该模型导出的双栅MOSFET的V—I特性与实验结果做了比较,二者符合得很好,并对器件的V—I特性从物理机制上进行了详细讨论。     

部分重叠双栅MOSFET特性的研究

研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知:部分重叠双栅MOSFET器件通过沟道电场的调节,可降低短沟效应和等效栅电容、提高击穿电压,跨导可由栅压调节,阈值电压随沟道缩短而下降的变化率在文中讨论的3种结构中最小.     

一种新型双材料双栅的MOSFET器件的性能研究

为了给新型场效应晶体管的工艺制造和设计提供新的设计思路和依据,文章以金属-氧化物-半导体场效晶体管(MOSFET)为研究对象,提出了一种新型双材料双栅MOSFET器件的设计方案.该器件采用具有宽禁带、高饱和电子速度、高热导性、高温工作等性能优势而在微电子领域和光电子领域广泛应用的新型半导体材料GaN.同时,通过仿真模拟...     

重新氧化氮化n—MOSFET‘s断态栅电流的温度特性

对采用迅速热处理方法制备的重新氧化氮化ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ的断态栅电流Ｉｇ的温度特性进行了实验研究和理论分析，研究表明，在合适的氮化和重新氧化条件下，Ｉｇ随温度增另可保持几乎不变，这归因于重新氧化部分恢复了Ｓｉ／ＳｉＯ２界面处相应于空穴发射的氮化感应致使势垒高度的降低，从而使得在升高的温度下，热空穴主的增另几乎抵消了雪崩区空穴产生的减小。     

深亚微米SOI MOSFET阈值电压特性研究

在建立SOI MOSFET阈值电压模型的基础上,对其阈值电压特性进行了研究,分析了阈值电压与硅膜掺杂浓度、前栅、背栅氧化层厚度、温度的关系.     

非对称Halo的异质栅SOI MOSFET阈值电压解析模型

为了改善MOSFET的短沟道效应和驱动电流，首次提出了非对称Halo掺杂的异质栅SOIMOSFET结构，这种结构在沟道源端一侧注入浓度较高的杂质，再由具有不同功函数的两种材料拼接形成栅极．通过求解二维电势Poisson方程，建立了全耗尽器件表面势和阈值电压的解析模型．研究表明，该结构能有效抑制漏致势垒降低和热载流子效应，且在沟道长度小于100nm条件下，阈值电压表现出明显的反短沟道特征，在Halo和栅材料界面附近的电场峰值使通过沟道的载流子的传输速度显著提高，解析模型与二维数值模拟软件MEDICI所得结果吻合度较高．     

高k栅栈MOSFET共振隧穿模型

针对高介电常数（k）栅堆栈金属氧化物场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）实际结构,建立了入射电子与界面缺陷共振高k栅栈结构共振隧穿模型.通过薛定谔方程和泊松方程求SiO2和高k界面束缚态波函数,利用横向共振法到共振本征态,采用量子力转移矩阵法求共振隧穿系数,模拟到栅隧穿电流密度与文献中实验结果一致.讨论了高k栅几种介质材料和栅电极材料及其界面层（IL）厚度、高k层（HK）厚度对共振隧穿系数影响.结果表明,随着HfO2和Al2O3厚度减小,栅栈结构共振隧穿系数减小,共振峰减少.随着La2O3厚度减小,共振峰减少,共振隧穿系数却增大.随着SiO2厚度增大,HfO2,Al2O3和La2O3基栅栈结构共振隧穿系数都减小,共振峰都减少.TiN栅电极HfO2,Al2O3和La2O3基栅栈比相应多晶硅栅电极栅栈结构共振隧穿系数小很多,共振峰少.     

MIM结构薄膜应变栅的实验研究

运用薄膜沉积技术,制作了ＭＩＭ（金属－介质－金属）结构薄膜应变栅介绍了薄膜应变栅的制作工艺,并对其性能参数进行了测试     

大面积薄栅MOSFET的V_T与D_(OX)的关系研究

本文研究了大面积薄栅M OSFET的阈值电压与栅氧化层厚度的关系。实验结果表明,在薄栅情形(d_(ox)=135～312 )中,阈值电压随着栅氧化层厚度的减少而下降;阈值电压的一维模型仍然适用于大面积薄栅MOSFET。     

温度对非晶SiOx薄膜的光致发光特性的影响

采用双离子束共溅射法制备的SiOx薄膜为非晶结构,在室温下观察到了可见光致发光（PL）现象,探测到样品有四个PL峰,它们的峰位分别为－320nm,-410nm,-560nm和－630nm,且峰位和峰强随温度（基片温度Ts和退火温度Ta)的变化而发生变化,并对实验结果进行了讨论。     

电力场效应管的使用方法及保护研究

根据电力场效应管的特点和性能 ,介绍了电力场效应管在使用中必须注意的事项以及在使用中应采取保护的种类、原理和实现的方法。     

杂质纵向高斯分布UTBB-SOI MOSFET的虚拟阴极阈值电压解析模型

采用Sentaurus Process工艺仿真工具,验证了超薄硅膜内单次纵向离子注入并快速热退火后所实现的轻掺杂杂质分布符合高斯规律。设计杂质纵向高斯分布的轻掺杂纳米UTBB-SOI MOSFET,用虚拟阴极处反型载流子浓度来定义阈值电压的方法,为器件建立二维阈值电压解析模型。通过与Sentaurus Device器件仿真结果对比分析,发现:阈值电压模型能准确预测器件在不同掺杂、器件厚度和偏置电压下的阈值电压,正确反映器件的背栅效应,其模拟结果与理论模型相符。     

Preparation and characteristics of flexible all-organic thin-film field-effect transistor

Much attention has been attracted to organic thin-film field-effect transistors (OTFFETs) in the past decades[1—4]. Because of their lower cost and easier preparation, OTFFETs are considered to be useful in driving liquid crystal displays (LCD) and organic light-emitting diodes (OLED). Furthermore, flexible OTFFETs will be one of the most useful electronic devices for flexible active matrix driving circuits. OTFFETs based on pentacene single crystal have been reported to be of g…     

基于MOSFET管的电压型逆变器开关特性研究

通过对基于MOSFET管电压型逆变电路的试验，研究了在不同负栽情况下电子器件及电路的耦合作用对逆变电路输出电压和电流的的综合影响。在对MOSFET管开关特性研究的基础上对逆变电路建立了稳态和瞬态模型，通过仿真和大量实验提出了改进逆变电路的方案，并根据仿真和实验结果找出最佳实验值，抑制了逆变电路输出波形中的尖峰脉冲，改善了逆变电路的输出特性。     

亚微米埋沟pMOSFET阈电压模型

亚微米埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ的阈电压模型，该模型考虑了热电子发射等短沟道效应。只要对模型中的符号作相应改变，则可作为ｎＭＯＳＦＥＴ的模型。     

宽温区体硅MOST阈值电压温度特性的研究

本文在深入研究硅费米势和禁带宽度温度特性的基础上,详细探讨了宽温区体硅ＮＭＯＳＴ阈值电压的温度特性及沟道掺杂浓度与栅氧化层厚度对其温芳特性的影响,提出了２９８－５２３Ｋ宽温区体硅ＮＭＯＳＴ阈值电压的γ－α因子温度非线性简化模。该模型的模拟结果与高温ＭＯＳ器件模拟软件ＴＨＭＯＳ的数值模拟结果吻合得很好。     

最小二乘拟合计算有机薄膜晶体管阈值电压的研究

通过制备了一个基于并五笨为有源层的顶栅底接触OTFT器件获取电流电压实验数据,并运用电流电压特性曲线理论拟合计算方法计算其阈值电压.研究发现,采用不同的拟合方法得到的阈值电压值有较大的差异.若选取转移特性曲线线性区距中心1/2范围内测试点进行最小二乘拟合计算出的阈值电压能减少采用其他拟合方法的固有不准确性,而且与其他方法得到阈值电压最接近.