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标准CMOS工艺下单片集成MSM光电探测器的 2 Gb/s光接收机 总被引:1,自引:0,他引:1
在标准互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺下设计了1种单片集成金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal, MSM)光电探测器的光接收机. 带有源反馈和负米勒反馈电容的跨阻前置放大器用来提高光接收机的带宽. 由于MSM光电探测器具有较高的响应度, 所以光接收机的灵敏度得到改善. 由于MSM光电探测器的寄生电容较小, 在特许半导体0.35 μm工艺下实现了带宽为1.7 GHz的光接收机. 测试结果表明, 在-15 dBm的光功率和误码率为10-9的条件下, 光接收机的数据传输速率达到了2 Gb/s. 在3.3 V电压下, 芯片的功耗为94 mW. 相似文献
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提高VLSI集成度的重要途径之一是研究器件的新结构,发展三维集或电路,即在制成的MOS器件上形成一层SiO_2绝缘层,再在其上的再结晶多晶硅层上制作另一层MOS器件。近年来关于这方面的工艺研究已有一些报道。我们用高压电子显微镜对这种三维电 相似文献
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1969年的一个下午,位于美国新泽西州默里希尔的贝尔实验室里进行着一场例行的自由讨论。人们在黑板上摆弄了一些数字和画了一些草图之后,威拉德·博伊尔(Willard Boyle)当时就知道将有某种特别的东西问世。数码相机里的电子眼原型——即后来所谓的电荷耦合元 相似文献
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在未来的几十年里,人类渴望揭开的谜很多,包括:我们是否宇宙中唯一的智慧生物?能否从生理学上揭开意识之谜?生物的进化是否已有新方向?物理学家能否发现宇宙的万物之理?……事实上,如果刚刚过去的50年在科学上的革命性变化可以互联网和人类基因组为代表的话,那么,未来50年科学上的激动人心的进展,我们现在甚至无法想象…… 相似文献
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世界最高科学成就奖揭晓两位美国科学家成为2006年度诺贝尔生理学或医学奖得主——他们所开创的一项基因技术,给2世纪的医学带来革命性的进步。本年度诺贝尔医学奖的成果是RNA干扰(RNAi,一种关闭特定基因的自然现象)机制的发现。虽然科学家们目前已把这项技术当作一种极为有效的研究工具,但更为人们关注的是RNAi所具有的潜在应用价值。专家认为,RNAi能用于开发新疗法来根治各种顽疾,如亨廷顿氏舞蹈症、某些失明症、心脏病、糖尿病以及癌症。这两位科学家是现年47岁的斯坦福大学教授安德鲁·法尔(AndrewZ.Fire)和45岁的马萨诸塞州立大… 相似文献
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Ce:LiNbO_3晶体双光束耦合的温度特性 总被引:1,自引:1,他引:1
温度对光折变效应的影响是光折变非线性光学中一个值得研究的问题,Cheng等研究了半导体光折变材料的这一问题,并指出氧化物光折变材料由于禁带宽度太宽而很难从实验上观测到温度的影响,我们在稳态下对掺铈铌酸锂晶体进行了实验研究,非常明显地观测到了温度对双光束耦合过程的影响,用Kukhtarve的带导模型和稳态耦合波方程,可以从理论上半定量地解释实验现象。 相似文献
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介绍了一种新型的I-V特性为Λ型的负阻器件(negative resistance device,NRT),该器件使用上华0.5μm标准互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor transistor,CMOS)工艺制造.为节省器件数目,此类负阻器件并不调用上华工艺库中现有的标准元件模型,而是将一个金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)和一个双极晶体管(bipolar junction transistor,BJT)制作在相同的n阱中,利用p型基区层作为MOSFET的衬底,从而将两个器件合二为一.NRT拥有较低的谷值电流-6.8217nA和较高的电流峰谷比(peak-to-valley current ratio,PVCR)为3591.器件的峰值电流较小,为-24.4986μA,意味着较低的功耗.该负阻器件的平均负阻阻值为32kΩ.不同于近年来的大多数负阻器件,本器件制作于硅材料衬底上而非化合物材料衬底.因而能够与主流CMOS工艺兼容.新型NRT功... 相似文献
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