GaP、Si和Ge在高压下的金属化相变及其测定方法

一、引言 近些年来,第Ⅳ族元素和Ⅲ—Ⅴ族化合物在高压下由半导体转变成金属的研究已引起人们很大的兴趣。在1973年,Van Vechten根据电负性的量子电介质理论计算了一些第Ⅳ族元素和Ⅲ—Ⅴ族化合物的P-T相图。在这前后,人们已在几种不同类型的高压装置上,采用不同的测量方法观测到一些具有共价键的第Ⅳ族元素和Ⅲ—Ⅴ族化合物在高压下由半     

InSb化学比的电化学研究

随着化合物半导体的发展,化学比对半导体电学性质的影响受到了越来越多的注意。但过去这方面的研究多集中在PbS、CdTe、Bi_2Te_3等Ⅳ—ⅥⅡ—Ⅵ、Ⅴ—Ⅵ族化合物上面,而对Ⅲ—Ⅴ族化合物的研究较少。对后者来说,由于它们具有强的共价健,能将过剩的组分排除出去,因此一般认为它们对严格化学比的偏离应很小。实际上,除了GaSb或者还可能有InAs之外,还不能肯定地证明化学比对Ⅲ—Ⅴ族化合物的电学性质有显著的影响。例如,Hulme和Mullin发现,从富In和富Sb熔池中生长的InSb晶体的半导体性质并无显著差别。因此,为了更好地研究化学比对化合物半导体性质的可能影响起见,必须找到一个能鉴别化学比的比较灵敏的方法。     

Zn_(1-x)Fe_xSe薄膜的光吸收特性

稀释磁性半导体(DMS),或半磁半导体(SMSC)是一类新型的半导体材料。它是以Ⅱ—Ⅵ族、Ⅳ—Ⅵ族、Ⅱ—Ⅴ族或Ⅲ—Ⅴ族化合物为基体,以磁性离子随机地部分取代其中的非磁性阳离子而形成的三元或四元化合物。这些化合物呈现了与成分有关的带隙     

半导体材料研究的进展(二)

三、其他半导体材料寻找新半导体材料及其应用的另一个领域是:Ⅲ—Ⅴ族,Ⅱ—Ⅵ族化合物间的固溶体;化合物的异质结;各种三元以上的化合物;无定形半导体等.     

干法刻蚀Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展

一、前言 干法刻蚀技术在硅器件材料及其集成电路的制作工艺中早已得到了深入的研究和广泛的应用。Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料的干法刻蚀工作则是在80年代初才开始得到重视。近年来,光纤通信技术的迅速发展,对以Ⅲ—Ⅴ族化合物为基材制作的光电器件、图形加工精度和剖面垂直度要求越来越高,传统的湿法腐蚀技术已难以满足各种微米级、亚微米级甚至毫微米级器件结构尺寸和发光器件端镜面制作技术的发展要求,从而进一步推动了Ⅲ—Ⅴ族化     

场助InP/InGaAsP/InP半导体光电阴极时间响应的计算

一、引言 场助Ⅲ—Ⅴ族多元化合物半导体光电阴极与GaAs NEA(Negative electron affinity)光电阴极相比,具有可延伸光电探测的长波阈值、提高红外波段光谱灵敏度等优点,因此在光纤通信、微光夜视以及高速摄影等方面具有广泛的应用。虽然目前场助多元化合物半导体光电阴极的研究已取得了许多成果,但有关理论研究方面的报道却很少见,特别是判别多元化     

封面说明

<正>在半导体中注入自旋形成兼具电荷属性和自旋特性的稀磁半导体可以制成自旋阀、自旋二极管、高密度非易失性存储器以及磁感应器等新型的功能器件,具有诱人的应用前景.但是向传统的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中掺杂存在两点不足.首先,传统的稀磁半导体在引入自旋的同时也引入了载流子,这种自旋和电荷的捆绑效应严重制约了电性和磁性的调控维度.其次,基于掺杂中的不等价代     

Fe-Ni/ZnSe多层膜的磁性质

由磁性层和非磁性层组成的多层膜,通过改变非磁性层材料的类型及多层膜的结构,可以得到各种不同性质的新材料.ZnSe属于Ⅱ—Ⅴ族半导体化合物,当掺入磁性杂质原子时,便形成稀释磁性半导体,它有许多独特的磁学和光学性质.由磁性层和ZnSe组成的多层膜,界面处由于原子扩散,会形成一层很薄的稀释磁性半导体层,因而使多层膜形成了一个复杂的系统.我们曾研究过Fe/ZnSe双层膜,发现在700nm的波长下;极向克尔旋转角增加可     

閃鋅矿結构型的半导体

根据現有关于半导体,特別是閃鋅矿族半导体电学性能和物理性能的实驗材料,可以告訴我們这样一个概念:半导体是一种具有共价键(大多数半导体)和飽和原子价的物貭。对具閃鋅矿結构的半导体有意識的研究,首先是在苏联开始的。高留諾娃在从事由約飞院士建議的关于灰錫的研究中,发現在低溫条件下,白錫轉变为稳定的灰錫可借助于InSb或CdTe作为“引发剂”而实現。于是在1950年即使她們确信:按格里姆(H.G.Grimm)及索末菲(A.Sommerfeld)規則形成具閃鋅矿結构的化合物,不仅在結构上与Ⅳ6族相似,且在原子间的化学鍵型間     

混晶GaAs_(1-x)P_x(Te)深中心的电声耦合和光电特性

一、引言 近年来,Ⅲ—Ⅴ族化合物混晶半导体中施主杂质(如Al_xGa_(1-x)As中Ge、Si、Sn和GaAs_(1-x)P_x中S、Se、Te等)形成的深中心(DX中心)的某些奇特行为引起人们广泛关注。虽然这些材料的基质和杂质的类型不同,但深中心的特性相似,例如它们在禁带中引入一个浅能级和一个或几个深能级,深能级的浓度很大(可接近掺杂施主浓度);深能级的光离化能显著大于热离     

抗癌新生物碱11-羟基喜树碱

前曾报道我们先后从我国特有植物喜树的限及果中分离并签定了十几种化学成份,其中五种为喜树碱类化合物:去氧喜树碱(Ⅰ)、喜树碱(Ⅱ)、10-羟基喜树碱(Ⅲ)、10-甲氧基喜树碱(Ⅳ)与11-甲氧基喜树碱(Ⅴ)。经我所药理室动物试验表明,Ⅱ—Ⅴ均有同样显著的抗肿瘤活性,且Ⅱ与Ⅲ已在临床试用,分别用于治疗胃癌及肝癌等恶性肿瘤。为了分离其他有效成分,最近我们又从Ⅲ的母液中分得一新生物碱——11-羟基喜树碱(Ⅵ),经动物试验表明,Ⅵ与Ⅲ一样,同样有明显的抑瘤作用。     

铁的单核羰基络合物中铁原子的共价

原子价是化学中最重要的概念之一,但迄今为止仍缺乏严格而又被普遍接受的定义.较为通用的是Pauling所下的1个定义:1个元素的原子价是指它的1个原子和其它原子形成的共价键数.即V_A=∑键级.此定义对只形成正常共价键的分子非常适用.但在蓬勃发展中的金属有机化学、原子簇化学及现代无机化学中却遇到了许多困难.例如在CO分子中,∑键级=3,根据Pauling共价定义则有V_c=V_o=3.这是不能令人接受的,其中关键问题是化     

化学键共价性的参数判据

离子键-共价键间的键型过渡问题,是化学键理论的基本问题之一。由于化合物的许多重要物性都和键型过渡有关,这一问题的研究有一定实际意义。波林(Pauling)用电负性差作为离子键-共价键过渡的判据,虽应用颇广,但例外甚多。波林在判断部分离子性时,用理想的纯共价键     

多元铜基硫族半导体纳米晶的发光性能及其在电致发光器件中的应用进展

半导体纳米晶(又称为半导体量子点)由于其色纯度高和尺寸依赖的发光性能等优势,在照明和显示方面受到了科学界和产业界的广泛关注.目前,基于半导体量子点的电致发光器件所使用的发光材料以镉基硫族化合物量子点为主,然而镉元素对环境和人体都有一定的危害.因此,开发一种环境友好且光电性能良好的无镉半导体纳米晶是非常必要的.近年来,多元铜基硫族半导体纳米晶由于其毒性低、组分可调的发光特性及其在光电子器件领域的潜在应用受到了广泛关注.本文详细综述了多元铜基硫族半导体纳米晶的组分、表面配体、晶体结构和纳米结构等因素对其发光特性的影响,着重阐述了多元铜基硫族半导体纳米晶在电致发光器件中的研究进展,最后对多元铜基硫族半导体纳米晶的发展进行了展望.     

β-SiC(110)表面原子与电子结构的理论计算

用全势缀加平面波方法（FPLAPW）计算了β-SiC及其非极性（110）表面的原子与电子结构。计算出的β-SiC晶体结构参数。晶格常数和体积弹性模量与实验值符合得很好，用平板超原胞模型来计算β-SiC（110）表达的原子与电子结构。结果表明，表面顶层原子发生键长收缩和旋转豫特性，表面阳离子Si向体内移动而阴离子C向表面外移动，这与Ⅲ-Ⅴ族半导体（110）表面弛豫特性相似，表面重构的机制是Si原子趋向于以平面构型的sp^2杂化方式与其三配位C原子成键，C原子趋向于以锥型的p^3试民其三配位Si原子成键，另外表面弛豫实现表面由金属性至半导体性的转变。     

Mn~(2+)离子掺杂的纳米尺寸ZnS半导体超微粒的制备和光学性质

近年来纳米尺寸半导体超微粒的合成和光学性质研究引起了人们广泛的关注,并迅速发展成非常活跃的研究领域.各种半导体(如Ⅱ～Ⅵ族的CdS,ZnS,Ⅲ～Ⅴ族的GaP,GaAs等)超微粒被制备在聚合物、有机溶液和玻璃等介质中.伴随着微粒尺寸的减小,显著的量子尺寸效应和由之引起的各种光学性质变化在这些材料中得到了系统的研究,量子尺寸效应和各种非线性响应增强机制的理论和实验工作也日趋完善.但是,这些工作仅限于研究半     

一种交联结构的渐变折射率有机聚合物材料波导膜

由于集成光学器件主要是由LiN_BO_3和Ⅲ—Ⅴ族晶体材料制备的,在这些电光晶体上形成良好性质的波导是很困难的。虽然利用半导体工艺中的扩散和喷涂方法,可以在某些基材上形成波导,但由于特别大的光损耗和进一步集成的困难使得这些方法制备的波导材料的实用化受到限制。对具有良好波导性质,能与不同电光晶体复合的材料进行研究与开发是必要的。聚合物材料在这一领域虽属后来者,却以其相容性好、制备方便、易于集成化等一系列     

硬质合金WC-TiC-Co的制备和性能研究

硬质合金是由难熔金属硬质化合物和粘结金属组成的复合材料,难熔金属碳化物通常是指元素周期表中第Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ族的钨、钛、钽、钒、铪等元素的碳化物,在硬质合金中用得最广的是WC、TiC、TaC等,这些碳化物中的一种或者一种以上与粘结金属钻组成的合金常叫做硬质合金,这类合金普遍具有硬度高、耐磨性能好、红硬性好、化学热稳定性高、抗压强度高和     

聚合物蓝光发光二极管

由化合物半导体制备的发光二极管(Light-emitting diodes,LEDs)和激光管(Laserdiodes,LDs)目前已达到了相当成熟的水平,但在生产工艺和器件特性方面仍存在某些问题,蓝光波段发光就是无机半导体LEDs的空白.虽然作为1992年光电子领域的重大发现,利用Ⅱ—IV族化合物半导体材料已实现了蓝光发射,但目前的器件一般在低温下操作,且寿命较短,距实用化还有相当距离.与此同时,有机材料LEDs在实现多色及大面积显示方面     

锑化铟的热处理

热处理是研究半导体性能的一种方法,对于Si~[1,2]、Ge~[3,4]、PbS~[5,6]已有比较广泛、深入的研究,但对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的热处理研究是始于1959年Dixon等对P型InAs的研究,1960年注意中心由InAs转到GaAs,并进行了仔细的研究,对这两种材料一般认为铜是引起热处理效应的根源。关于InSb热处理研究,较全面的报导要算Hulme和Mullin的评述性文章,共做了二类实验:一类是真空中,500℃处理数小时,整个样品变为P型,发现P型载流子的增减是和石英管的纯度有关,并推论热转换是由石英中释放出来的快扩散杂质X造成,其扩散系数(500℃时)D_x>10~(-6)cm~2/