Sm替代对DyMn6Ge6化合物磁性和磁电阻效应的影响

利用X射线衍射和磁化强度测量,研究了Dy1-xSMxMn6Ge6(x=0.2～1.0)化合物的磁性和输运性质.结果表明x≤0.4的样品主要由HfFe6Ge6型相构成;0.6≤x≤1.0的样品主要由YCo6Ge6型相构成.样品的点阵常数和单胞体积随着Sm含量的增加而增大,随着Sm含量的增加,样品发生反铁磁-亚铁磁-铁磁性转变.x=0.2,0.4的样品为反铁磁性,其奈尔温度分别为425,430K,并在50K下发生二次磁相转变.x=0.6,0.8,1.0的样品在磁场高达5T下的磁电阻曲线上的拐点可能是由于磁场对费米面的影响,也可能是由于磁矩和洛仑兹力对传导电子散射作用之间竞争的结果.     

Mn_5Ge_(3-x)Cu_x系列化合物的结构和二级相变特性

采用流动氩气电弧熔炼和高温退火法,制备了Mn5Ge3-xCux(x=0.0-0.2)化合物,并用粉末X-射线衍射研究了该系列化合物的晶体结构.结果表明:这些化合物都具有Mn5Si3型六角结构,空间群为P63/mcm;Cu对Ge的替代不改变化合物的晶体结构;晶格常数a和晶胞体积V随着Cu含量的增加而增加,而晶格常数c略微减小.用Lakeshore 7407型振动样品磁强计对每个化合物在低场(0.05T)下进行热磁测量,确定了居里温度和磁相变.结果表明,随着Cu含量的增加,化合物的居里温度几乎不变,其磁相变属于铁磁-顺磁二级相变.     

SmMn2Ge2和GdMn2Ge2中的自发磁相变和场诱导的磁相变

在 1 0～ 80 0K的温度范围内用X射线衍射方法测量了SmMn2 Ge2 和GdMn2 Ge2 的晶格常数与温度的变化关系 .实验结果表明 :在各种类型的自发磁相变温度处观察到晶格常数的磁弹性异常现象 ;Mn Mn间的交换相互作用能不仅与晶格常数a有关 ,而且与晶格常数c有关 .此外 ,在 2 7T的脉冲强磁场中测量了SmMn2 Ge2 及GdMn2 Ge2 的磁致伸缩 ,在这 2种化合物中观察到了场诱导的一级磁相变 .     

(Mn1-xCox)65Ge35(x=0.2～0.5)合金的磁热效应

在氩气的保护下用熔炼法制备了(Mn1-xCox)65Ge35系列合金,通过X射线衍射和振动样品磁强计研究了样品的结构和磁熵变.结果表明,(Mn1-xCox)65Ge35系列合金在Co含量x=0.2时,样品为正交结构,磁矩反铁磁排列; 当Co含量0.2≤x≤0.5时,样品为六角结构,磁矩铁磁排列.随着Co含量的增加,合金的居里温度在250～302K范围内变化.在低磁场(0-1.5T)下,(Mn1-xCox)65Ge35系列合金的最大等温磁熵变为1.7J·kg-1·K-1.     

新化合物Er_5Co_6Sn_(18)的结构与磁电性能

对合成的三元化合物Er5Co6Sn18进行了研究。用X射线粉末衍射技术和Rietveld全谱图拟合法获得了化合物Er5Co6Sn18的晶体结构,该化合物为四方晶系,空间群为I41/acd,a=1.353 44(1)nm,c=2.699 28(2)nm,Z=8,Dcalc=8.807 g/cm3,为Tb5Rh6Sn18结构类型。在5～300 K温度范围对Er5Co6Sn18的磁性进行了测量,得到该化合物的顺磁居里温度约为-87.8 K,有效顺磁磁矩为12.8μB。电阻测量得到它的剩余电阻率为2.0。     

(Lal-xSmx)2/3Sr1/3MnO3材料的巨磁致伸缩及磁电阻效应

采用溶胶凝胶法制备了一系列的多晶(La1-xSmx)2/3Sr1/3MnO3样品,X射线衍射研究表明,随Sm含量的增加,样品出现从菱面相向正交相结构的转变,在低温下观察到一定Sm含量的样品具有约-180×10-6大小的磁致伸缩和320%的磁电阻效应,在室温下,样品的磁致伸缩和磁电阻随Sm含量的变化有类似的关系.     

金属间化合物RFe8Mn4的结构和磁性

通过X射线衍射和磁测量研究了金属间化合物RFe8Mn4（R＝Y,Gd,Ho和Er)的结构和磁性。所有这些化合物都具有单相ThMn12型结构,其晶格常数a,c和单胞体积V随原子序数增加而减小。HoFe8Mn4和ErFe8Mn4化合物的热磁曲线上出现了补偿点,补偿点温度分别为95K和70K左右。本文还给出了这些化合物的居里温度和饱和磁化强度。     

La0.55Eu0.1Sr0.15Na0.2MnO3的制备及其磁性

采用溶胶-凝胶方法制备钙钛矿型稀土锰氧化物La0.55Eu0.1Sr0.15Na0.2MnO3, 利用X射线衍射(XRD)、振动样品磁强计(VSM)和磁性测量系统(MPMS)对样品的结构、居里温度、磁卡效应和磁电阻效应进行研究. 结果表明, 样品具有单相六角钙钛矿结构, 居里温度为310 K, 磁电阻变化率为11.18%, 最大磁熵变为1.45 J/(kg·K).     

（La1—xSmx）2／3Sr1／3MnO3材料的巨磁致伸缩及磁电阻效应

采用溶胶凝胶法制备了一系列的多晶 (La1 -xSmx) 2 / 3Sr1 / 3MnO3样品 X射线衍射研究表明 ,随Sm含量的增加 ,样品出现从菱面相向正交相结构的转变 在低温下观察到一定Sm含量的样品具有约 -180× 10 - 6大小的磁致伸缩和 32 0 %的磁电阻效应 在室温下 ,样品的磁致伸缩和磁电阻随Sm含量的变化有类似的关系     

Ag与La_(0.6)Dy_(0.1)Sr_(0.3)MnO_3复合体系中的低场磁电阻增强

文章采用固相反应法制备La0.6Dy0.1Sr0.3MnO3/Agx(x=0,0.04)样品,通过XRD、磁化强度、电阻率与温度的关系,研究样品的磁性质、输运行为、输运机制及磁电阻效应。结果表明,少量掺杂时有Ag相出现,Ag主要以金属态分散到母体颗粒的界面处,使体系形成两相复合体。掺Ag样品在296 K、0.2 T磁场下,峰值磁电阻明显增强,达9.1%,比La0.6Dy0.1Sr0.3MnO3的2.2%增加了4倍多。这与颗粒母体界面结构的改善有关,也与材料电阻率的降低有关。掺Ag样品在45~130 K温区磁电阻均在20%以上,实现了增宽磁电阻温区的目的。     

甩带处理TbMn6Sn6化合物的磁性研究

研究了甩带速度对TbMn6Sn6化合物晶体结构和磁性的影响.结果表明,甩带冷却速度对TbMn6Sn6化合物的晶体结构几乎没有影响,主要是由1:6:6型相所构成,其中含有少量铁磁性的Mn3Sn2杂相;随着甩带速度从3900r/min降至1500r/min,试样晶粒尺寸依次为220、170、280和340nm;甩带冷却速度对TbMn6Sn6化合物的室温矫顽力几乎没有影响,以3900r/min甩带制成的TbMn6Sn6化合物的矫顽力,随着温度的升高,从5K下的1600Oe上升至100K下的11360Oe,然后随着温度继续上升至300K,其矫顽力减小至533Oe.     

SiH3与C6H6反应机理的理论研究

采用密度泛函理论(DFT)对SiH3自由基与C6H6反应机理进行了研究,在B3LYP/6-311G**水平上全参数优化了反应势能面上各驻点(反应物,中间体,过渡态和产物)的几何构型,通过内禀反应坐标(IRC)计算和频率分析方法,对过渡态进行了验证.研究结果表明,SiH3 与C6H6可以通过两种不同反应通道形成不同产物.     

Ge6H6几何构型的稳定性和电子结构的研究

应用ＧＡＵＳＳＩＡＮ９２从头算方法研究了Ｇｅ６Ｈ６几何构型的稳定性和电子结构，主要研究了两种最可能的几何构型，发现最稳定的构型是平面六 苯，平面六锗苯比棱柱六锗苯的能量低２０．９ＫＪ／ｍｏｌ，我们也研究了平面六锗苯和棱柱六锗苯的电子结构。     

Ge_6H_6几何构型的稳定性和电子结构的研究(英文)

应用GAUSSIAN 92从头算方法研究了Ge6H6 几何构型的稳定性和电子结构 ,主要研究了两种最可能的几何构型 ,发现最稳定的构型是平面六锗苯 .平面六锗苯比棱柱六锗苯的能量低 2 0 .9kJ/mol,我们也研究了平面六锗苯和棱柱六锗苯的电子结构     

收缩临界6连通图中的6度顶点

如果6连通图的一条边收缩后使得所得到的图仍是6连通,则这条边称为6可收缩边.一个不包含6可收缩边的非完全图被称为收缩临界6连通图.由Egawa的结果可知收缩临界6连通图中有6度点.设G是收缩临界6连通图,用V6表示G中6度点的集合.Ando等人通过证明存在常数c使得|V6|＞c|V(G)|且c≥(1)/(7).现将这一常数改进为c≥(1)/(5).     

浅析IPv6

IPv6是用于替代现行版本IP协议IPv4的下一代IP协议.探讨了从IPv4到IPv6的发展,分析了IPv6的地址格式和结构,IP地址的配置,IPv6的安全性,并简析了移动IPv6.     

N─苯基─2，2，6，6─四氯环己亚胺的合成

本文对医药邻─（２，６─二氯苯胺基）─苯乙酸钠的中间体Ｎ─苯基─２，２，６，６─四氯环己亚胺的合成工艺进行了系统研究，对该反应的催化剂种类、用量、原料配比、缩合温度等。艺条件进行了分析探讨，找出了较佳合成工艺条件，并对产品结构进行了认证。     

关于B_6—序列

设A都非负整数集N的一个非空子集合。如果对于任意整数n,不定方程n=x_1 … x_h在A中至少有一个解x_i∈A,x_1≤…≤x_h,则称A为B_h—序列。我们用A(x)表示A之计数函数。本文中,我们证明了:如果A为B_6—序列且满足A(x~2)<<(A(x))~2(x→∞),则 liminfA(x)(logx)~(1/6)/x~(1/6)<∞。     

园区网双栈环境下IPv6地址的规划

探讨IPv4/IPv6双栈环境下如何利用园区网已有IPv4地址分配方案实现对IPv6地址的规划和快速部署.