低温烧结独石压电陶瓷变压器研制成功

清华大学化学工程系研制成功的“低温烧结独石压电陶瓷变压器”是一种体积小、质量轻、升压比高、驱动电压低的新型电源变换器件。该产品的特点是工艺上一次烧成整体极化,独石压电陶瓷的烧结温度大幅度的降低,比一般低200～300℃;且使这种压电陶瓷变压器的性能大为改善,升压比达8000以上,比一般压电变压器高20多倍;驱动电压可低于1V;已用于需用高压电源的静电超微量农药喷雾器、医用骨科治疗仪、静电吸附、静电复印激光器、夜视仪以及其他便携式电子设备等工农军医广泛领域。用作静电超微量农药喷雾器电源,经北京、江苏等地实际应用表明,耗…     

新闻·视点

“高性能片式压电陶瓷变压器的研究与开发”课题通过验收近日,由西安康鸿信息技术股份有限公司和清华大学共同承担的国家863计划特种功能材料主题“高性能片式压电陶瓷变压器的研究与开发”课题在北京通过验收。该项目研制出了能够低温烧结且具有优异工作特性的多层压电陶瓷变压器,连续极化的方法与装置；建立多层     

低温烧结PZT压电陶瓷的研究

对ＰＺＴ压电陶瓷的低温烧结进行了研究。实验发现，在ＰＺＴ陶瓷中添加少量低 熔玻璃（ｘＢ２Ｏ３－чＢｉ２Ｏ３－ｚＣｄＯ）可使烧结温度从１２５０℃降低至９６０℃。其性能参数： Ｋｐ≥０．５２～０．５６，Ｑｍ≥１０００，ε３３Ｔ／ε０＝８００～１２００， ｔｇδ≤５×１０－３．借助于扫描电镜 （ＳＥＭ）、电子探针微区分析（ＥＰＭＡ）、Ｘ光光电子能谱分析（ＸＰＳ）和体积烧缩速率的 测量，对陶瓷显微结构、烧结机理和添加剂的作用进行了讨论，所研制的低温烧结瓷料 巳用于制备独石压电陶瓷变压器，其空载交流升压比可高达 ９ ０００以上。     

低温烧结改性PbTiO3压电陶瓷制备工艺研究

研究了添加少量低熔物SiO2作烧结促进剂的的低温烧结改性PbTiO3压电陶瓷的制备工艺,确定出能充分挖掘其优良性能的较佳工艺参数。在此工艺扌制备的陶瓷具有低烧结温度、高压电活性、大压电各向异性、高机械品质因数等优点,可应用于叠层压电降压变压器、叠层压电陶瓷滤波器等叠层压电器件方面。     

低温烧结压电陶瓷材料及应用

从材料与工艺两方面论述了低温烧结压电陶瓷技术的研究进展,对实现压电陶瓷低温烧结的基本方法进行了分析和比较,介绍了可应用低温烧结压电陶瓷材料的几种具有实用价值的典型叠层结构压电陶瓷器件。     

压电陶瓷变压器及其应用现状

对压电陶瓷变压器的理论研究及应用现状作了较为全面的探讨和评述,并分析了存在的问题和今后发展方向.压电陶瓷变压器是一种新型固态电子器件,它具有结构及工艺制作简单、体积小、重量轻、无电磁噪声、无电磁式绕组、不可燃烧、完整性好以及大规模生产成本可以大幅度降低等优点.目前压电陶瓷变压器已在液晶显示器中的冷阴极管、霓虹灯管、激光管和X光管、高压静电喷涂、高压静电植绒和雷达显示管等方面得到广泛应用.     

一种全新概念变压器

压电陶瓷变压器及其系列应用产品压电陶瓷变压器是一种从材料、结构、工作原理都与传统电磁变压器截然不同的一种新型变压器。利用特殊的压电陶瓷材料,改性锆钛酸或铌镁锆钛酸等材料,按配方严格配料,经过球磨、喷雾干燥、高压力成型制胚、高温烧结、高压电场极化、严格检测等多道工艺过程,最后就得到了压电陶瓷变压器。它     

HNT-1型便携式He-Ne激光电源——压电陶瓷变压器的一个应用

HNT—1型便携式He—Ne激光电源是以压电陶瓷变压器为主体的电源变换器。 压电陶瓷变压器是最近发展起来的新型电子器件。 它是由一种铁片材料(例如锆——钛酸铅为主要成分)经烧结而成。由于它与电磁(线绕)·变压器相比,具有成本低、制作方便、体积小、重量轻、不用铜铁材料、无磁性而不产生电磁干扰、升压比高(达450以上)、无击穿和烧毁现象等优点,引起国内外十分重视,行了广泛研究①。HNT—1型电源是把压电陶瓷变压器应用到激光领域,用作便携式He-Ne激光电源的一个尝试,已获得初步成动。     

压电陶瓷变压器串联、并联应用

一、引言压电陶瓷变压器因具有比线绕度变压器体积小,重量轻,绝缘性能好等优点。又经过不断改进,性能不断提高,已被应用在诸如静电除尘器、离子发生器、静电印刷及雷达电视等方面。     

压电陶瓷材料的发展及其新应用

综述了近年来国内外压电陶瓷材料的最新研究进展，对于在生产实践中所采取的一系列压电陶瓷改性措施，包括沉淀法、溶盐法、溶胶-凝胶法及水热法等的优缺点作了比较，强调了低温烧结的优越性，特别指出它们在含铅的锆钛酸铅（PZT）压电陶瓷与不舍铅的铋层压电陶瓷和不合铅的钙钛矿型压电陶瓷制备中的重要作用；最后，简要介绍了压电陶瓷一些重要的新应用。     

PZT-PMN-BF压电陶瓷及压电变压器的研究

采用共沉淀法制备了纳米Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT)粉体,并经过适量的Fe3 ,Mn2 ,Bi3 ,Nb5 等离子掺杂后,制备了具有单一钙钛矿晶结构的PZT αPbMn1/3Nb2/3O3 βBiFeO3压电陶瓷粉体。通过低温烧结制备了压电陶瓷,并研制了一种Rosen压电陶瓷变压器。用扫描电镜对陶瓷微观结构进行了研究,并测量了压电变压器的电学性能。结果表明,用纳米粉体Pb(ZrxTi1-x)O3制备的四元系压电陶瓷结构致密,晶粒生长正常,晶粒尺寸约为4~6μm。基于此材料制作的Rosen型压电变压器在负载阻抗为20 MΩ,输入电压为5 V条件下升压比高达420倍以上。     

LLCC电路在压电陶瓷变压器上的应用

结合压电陶瓷变压器的特点,介绍了压电陶瓷变压器的等效电路.为了使压电陶瓷变压器获得良好的工作性能,必须使其工作在固有谐振频率并有良好的阻抗匹配,因此提出了将LLCC谐振电路应用在压电陶瓷变压器上的方法,并对该电路的特性进行了分析.分析表明,LLCC谐振电路能满足在压电陶瓷变压器的应用,并且根据其固有谐振频率的大小,可以推算出阻抗匹配电路的参数.     

基于单片机控制的压电陶瓷变压器驱动电源

以单片机及其控制电路为基础,设计了压电陶瓷变压器驱动电源,该电源为压电陶瓷变压器提供特定的振荡信号,根据压电陶瓷变压器的输出信号,适时调整输入频率,使其与压电陶瓷谐振频率一致,最大限度地保持了压电陶瓷的升压比,保证了压电陶瓷变压器的最大输出。实验数据表明,利用该驱动电源控制的压电陶瓷变压器,具有响应速度快,稳定性好,结构简单,调试方便,造价低廉,实用性强等特点,适用于压电陶瓷驱动器。     

压电陶瓷的应用进展与发展趋势

概述了压电陶瓷的发展现状,详细介绍了其在压电频率控制器、压电变压器、压电换能器和压电超声马达等方面的应用情况,最后从无铅压电陶瓷、压电复合材料和纳米压电陶瓷等几个方面探讨了其发展趋势．     

圆盘形压电陶瓷复合变压器的等效电路和特性

研究了由压电陶瓷圆盘,金属环,压电陶瓷环组成的圆盘形压电陶瓷复合变压器。推导了这种压电变压器的等效电路,输入阻抗,共振、反共振频率方程和电压增益方程。分析计算了压电变压器尺寸变化对频率、有效机电耦合系数的影响。研究了负载变化对压电变压器频率、有效机电耦合系数的影响,探讨了电压增益与负载的关系。研究表明,变压器随壁厚比的升高共振和反共振频率皆升高,有效机电耦合系数降低;随负载的升高,共振、反共振频率及电压增益升高,有效机电耦合系数降低。     

YCB—5A型压电陶瓷高压电源

本文对压电陶瓷变压器的材料性能，工艺参数和瓷片的特性进行了一系列试验与讨论。通过 电子扫描显微镜和Ｘ射线的分析，对压电陶瓷的物理性能和微观结构的关系，掺杂改性的机理提 出了一些看法。最后，对压电陶瓷变压器的电路和应用作了简要介绍。     

径向振动环状压电陶瓷复合变压器的研究

提出了一种新型的径向振动压电变压器,该变压器由两个径向极化的压电圆环与一个金属圆环在径向复合而成。基于径向极化压电圆环与金属圆环的机电等效电路,利用解析法得出此类压电变压器的机电等效电路,借助等效电路推出了压电变压器的共振、反共振频率方程及电压增益方程。利用数值法研究了压电变压器共振、反共振频率及有效机电耦合系数与金属圆环尺寸的关系,探讨了压电变压器共振频率及电压增益和负载阻抗的依赖关系。最后,用阻抗分析仪测试了压电陶瓷复合变压器的基频频率,实验测试结果与理论结果有很好的一致性。     

过渡金属氧化物改性KNN基无铅压电陶瓷研究进展

过渡金属氧化物不仅可用作助熔剂,改善陶瓷的烧结特性,同时也可作为掺杂物在陶瓷材料中进行离子取代,改善陶瓷的性能.本文详细叙述了过渡金属氧化物对KNN基无铅压电陶瓷烧结特性、微观结构、介电性能、压电性能、铁电性能的影响.分析总结过渡金属氧化物在改善KNN基无铅压电陶性能方面所起的主要作用,为今后助熔剂改性KNN基无铅压电陶瓷的研究提供参考.     

压电陶瓷变压器在雷达CRT显示器高压电源中应用研究

以四元系PMMN压电陶瓷变压器为升压器件,以脉宽调制器(PWM)和MOSFEET管所组成的开关振荡器为驱动电路,研制出适用于雷达显示系统的多路输出10kV压电陶瓷变压器高压电源．由于压电陶瓷变压器具有许多优点,不仅提高雷达整机的可靠性,而且能适应当前军事产品小型化、机动性强的发展需要．     

准同型相界内KNN-LS-BF无铅压电陶瓷的烧结与压电性能

采用传统的陶瓷工艺制备成分处于准同型相界(MPB)内的无铅压电陶瓷0.956K0.5Na0.5NbO3-0.004BiFeO3-0.04LiSbO3(0.956KNN-0.004BF-0.04LS),研究烧结温度对陶瓷的结构与压电、介电性能和相变温度的影响.研究结果表明:所有样品均为单一的钙钛矿结构;在1100℃以下烧结的样品的相结构均呈现明显的正交相与四方相共存的特征,同时略偏向四方相区;适当的烧结温度的提高,能促进陶瓷的致密化;随着烧结温度的升高,陶瓷的压电性能先显著提高后降低,陶瓷的介电损耗先降低后提高,但对正交相与四方相转变温度(θ0-1)和居里温度(θc)的影响比较小;当烧结温度为1100℃时,陶瓷具有最好的压电与介电性能,其压电常数(d33)高达297 pC/N,机电耦合系数(kp)高达54％,居里温度为355℃,tanδ为2.6％,这表明0.956KNN-0.004BF-0.04LS无铅压电陶瓷具有广阔的应用前景.