Hilbert空间中框架的几个性质

研究了Hilbert空间中框架的几个性质，并订正了文献[1]中的一个结论．     

Hilbert空间中框架分解的一种推广

研究了Hilbert空间中算子对框架的作用,并利用这种算子的作用得到了框架理论存在的一种新的框架分解.     

伸缩框架的一些结果

伸缩框架是通过对每个框架向量前乘以适当系数使其成为Parseval框架的一类框架.本文首先建立对偶框架特征,然后基于这个特征给出伸缩框架的伸缩因子与典则对偶框架的关系及伸缩因子界的范围.     

以对角阵平移或调制的Gabor框架的充要条件

在L2(Rd)上通过把函数g和平移参数A或调制参数B特殊化的方法,推导以矩阵平移和调制的Gabor序列构成框架的条件,得到了L2(Rd)上当平移矩阵或调制矩阵是对角阵且生成函数的紧支集在一个特殊的区域内时候的Gabor 序列构成框架的两个充要条件.     

广义框架的近似对偶框架的构造及扰动

框架的对偶框架与框架本身一样在表示信号时起着重要的作用.本文首先基于线性算子理论提出广义框架的近似对偶框架概念,然后构造广义框架的一系列近似对偶框架.最后,建立广义框架的近似对偶框架的扰动结果.     

Banach空间上的q-框架与q-Riesz框架

在Banach空间上引入了q-框架的对偶框架和q-Riesz框架的概念,讨论了q-框架对偶框架存在的充要条件以及q-Riesz框架的稳定性,给出了一些有意义的新结果.     

连续广义框架的对偶框架

连续广义框架是广义框架和连续框架的推广，文章给出了连续广义框架的对偶框架的概念并讨论了连续广义框架及其一些性质，所得的结果改进和推广了其他学者的结果．     

有限维Hilbert空间中紧框架的构造

讨论了R2上单位模紧框架的一些性质,以及R2上的单位模紧框架上可执行(r,k)手术的一个充要条件.最后推广了R2上的单位模紧框架可执行((a-1)·(k+u),k)手术的条件,并举例说明.     

K-fusion框架的刻画

引入Hilbert空间中K-fusion框架的概念,利用合成算子的性质进行刻画,并讨论其与K-框架的关系.     

关于Hilbert-Schmidt框架的一些性质

本文通过框架、g-框架与HS-框架三者之间的关系,首先,给出了一个任意的HS-Bessel序列在什么条件可扩展为紧HS-框架的条件;其次,证明了HS-框架与有界线性算子的线性组合在什么样的条件下仍为HS-框架;最后,证明了两个HS-框架的和仍为HS-框架.     

铈锶复合六角铝酸盐(Ce(0.7)Sr_(0.3))MgA1_(11)O_(18.85)的合成及发光性质

本文报道一种新的紫外发光材料铈锶复合六角铝酸盐(Ce_(0.7)Sr_0.3)MgAl_(11)O_(18.85),它与SrAl_(12)O_(19)类质同晶,晶胞参数为:a=0.5590nm,c=2.203nm。与CeMgAl_(11)O_(19)比较,(Ce_(0.7)Sr_(0.8)MgAl_(11)O_(18.85)有更强的紫外发射效率。在该基质中,Ce~(3+)-Ce~(3+)之间能进行短程的能量迁移,迁移的步数大约为4～12。这种能量迁移可能是一种偶极一偶极相互作用。     

(1-x)Bi_(0.5)(Na_(0.8)K_(0.2))_(0.5)TiO_3-x(Bi_(0.1)La_(0.9))FeO_3无铅压电陶瓷的微结构与电学性能的研究

采用传统固相法制备了新型(1-x)B i0.5(Na0.8K0.2)0.5TiO3-x(B i0.1La0.9)FeO3无铅压电陶瓷,利用XRD、SEM等测试技术表征了该陶瓷的晶体结构、表面形貌、压电和介电性能.研究结果表明,在所研究的组成范围内陶瓷材料均能形成纯的钙钛矿固溶体.压电性能随x的增加先增加后减少,在x=0.005时压电常数及机电耦合系数达到最大值(d33=149pC/N,kp=0.270).     

O(Spq(4))经由Uq(sp(4))的Jantzen途径实现

Jantzen由Uq(sl2(C)) 的表示论通过R-矩阵的方法给出了SLq(2)的定义关系式,用Jantzen的方法通过Uq(sp(4))的表示理论实现了OSpq(4))的定义关系式.     

非晶态合金(Fe_(100-x)M_x)_(83)B_(17)和Zr_(100-x)M_x的杨氏模量

用超声波脉冲透射技术获得了三元非晶态合金(Fe_(100-x)M_x)_(83)B_(17)和二元非晶态合金Zr_(100-x)M_x的声速,并确定了它们的杨氏模量。对于前者合金元素M指Cr,Mo,W,Zr和Co;对于后者指Fe,Ni和Co。文中讨论了声速与组分的原子百分数含量x之间的关系,并讨论了近程有序,合金元素密度以及不同尺寸原子之间的随机堆砌引起的致密化等对声速的影响。     

Tb_(0.3)Dy_(0.7-x)Pr_x(Fe_(0.9)Al_(0.1))_(1.95)合金的磁性、磁致伸缩和穆斯堡尔谱

系统研究了室温下Tb0.3Dy0.7-xPrx(Fe0.9Al0.1)1.95(x=0,0.1,0.2,0.25,0.3,0.35)合金中稀土元素Pr替代Dy对磁性、磁晶各向异性、磁致伸缩和穆斯堡尔谱的影响.对磁化强度和磁致伸缩的测量发现,少量Pr替代有助于降低磁晶各向异性;随着替代量x的增多磁致伸缩减小,x>0.2时超磁致伸缩效应消失.然而,x=0.1时合金的磁致伸缩略大于没有替代的,而且磁致伸缩随磁场更易趋于饱和;同时发现,随着Pr替代量x的增加,饱和磁化强度和Curie温度单调下降,而内禀磁致伸缩急剧增大.多功能磁性测量系统PPMS的研究和Mossbauer效应表明,随着Pr含量的增加,合金中的易磁化轴可能在{110}面上绕主对称轴作微小转动,发生自旋重取向.与Al元素替代效应相比,Pr替代Dy对自旋重取向的影响相对较小.     

R（Fe0.8Mn0.2）12（R=Y,Nd）化合物及其氮化物的晶体结构和磁性

利用Ｘ射线衍射技术的磁测量方法研究了Ｙ（Ｆｅ０．８Ｍｎ０．２）１２（Ｒ＝Ｙ和Ｎｄ）及其氮化物的结构和磁性，实验发现Ｙ（Ｆｅ０．８Ｍｎ０．２）１２和Ｎｄ（Ｆｅ０．８Ｍｎ０．２）１２在室温下均为铁磁性，其易磁化方向分别沿Ｃ轴与锥面，氮化后，晶格常数，居里温度和磁强度显著增加，此外，氮化物的磁晶各向异性也发生了根本变化，铁次晶格的易磁化方向转向基面，钕次晶格的易磁化方向则转到Ｃ轴。     

非晶态Cu_(71)Ni_(10)Sn_5P_(14)合金的晶化

用DSD法、X射线衍射法以及电镜观察分析了Cu_(71)Ni_(10)Sn_5P_(14)非晶态合金的晶化过程。证明该合金在晶化前发生非晶基体的相分离。此后,两种成分不同的非晶相分别按多型性晶化及共晶晶化的方式进行晶化反应。整个晶化过程分成三个主要阶段。     

La_(0.8)Sr_(0.2)Mn_(0.98-x)Fe_xCo_(0.02)O_3微波吸收特性研究

用溶胶-凝胶法制备La_(0.8)Sr_(0.2)Mn_(0.98-x)Fe_xCo_(0.02)O_3(x=0.08、0.10、0.12、0.14)晶粉,用场发射扫描电子显微镜和XRD表征其微观形貌和晶体结构,用微波网络矢量分析仪测量样品在2~18 GHz频率范围内的复介电常数和复磁导率,根据测量数据计算微波反射率与频率的关系曲线.研究结果表明:900℃煅烧3 h的La_(0.8)Sr_(0.2)Mn_(0.98-x)Fe_xCo_(0.02)O_3粉晶平均粒径约100 nm,晶体结构为钙钛矿型;在测试范围内,样品都有一个吸收峰,峰高及频率位置随x不同而异;厚度2 mm,x=0.08、0.10、0.14,大于10dB的吸收带宽达到4 GHz以上,样品既有介电损耗又有磁损耗,但介电损耗要大于磁损耗.     

Thermoelectric properties of phase separated Ti substituted Zr_(0.75)Hf_(0.25)NiSn_(0.985)Sb_(0.015) half-Heuslers

Sb is a very effective dopant for ZrNiSn based half-Heusler alloys.The effect of Ti substitution on Zr_(0.75)Hf_(0.25)NiSn_(0.985)Sb_(0.015) half-Heusler(HH) semiconductor alloys has been investigated to explore the structural modifications and composition variation.TixHf_(0.25) Zr_(0.75-x)NiSn_(0.985)Sb_(0.015)(x=0,0.15,0.30,0.45) alloys were synthesized by induction melting.A set of samples was also annealed for comparative studies.The samples were then sintered using plasma activated sintering(PAS) technique.XRD results confirmed the existence of ZrNiSn type HH compounds.Backscattered electron(BSE) images showed phase separations in the samples.Ti substitution improved the carrier concentration and electrical conductivity of the alloys.Moreover,thermal conductivity was also significantly reduced due to the enhanced phonon scattering.Consequently,a ZT value of 1.11 at 873 K was obtained for 30% Ti substituted(annealed) sample.     

线型三嵌段共聚物PSI-PIB-PSI的合成与性能

采用阴离子聚合方法,自制的双锂引发剂,环己烷为溶剂,两步法合成出线型三嵌段共聚物：苯乙烯异戊二烯无规共聚物-丁二烯异戊二烯共聚物-苯乙烯异戊二烯无规共聚物（PSI-PIB-PSI）。采用¹H-NMR研究了微观结构及共聚组成,透射电镜（TEM）观察了聚合物的形态,动态粘弹性仪(DMTA)对热机械性能进行了测试。结果表明：当四氢呋喃与活性中心锂的物质的量比（R值）为60时,可实现异戊二烯-苯乙烯(I-S)的无规共聚;TEM图表明聚合物PSI-PIB-PSI为两相结构,且随着苯乙烯（St）的含量的增加,相分离现象明显;当PIB/PSI的嵌段质量比为1/2,苯乙烯的质量分数为27%～28%时,该线型三嵌段共聚物具有最佳的综合力学性能。