静电场能量的计算

本论文着重讨论了静电场能量的计算，并归纳出三种计算方法。从教学角度出发，细致地分析了学生在学习过程中易混淆的一些电场能量的概念和公式。长期以来，一般书籍很少系统地讨论这一问题，本文应用电场能量理论，从特殊情形出来来分析和研究电场能量的计算，这对于电场能量的理论教学研究具有一定的意义。     

解析电场能量的守恒与转换

针对一些物理实际问题 ,探讨如何利用物理思想分析电场能量的守恒与转换 .     

静电场中的互能和电势能

本文在阐述静电场中互能和电势能的基础上,详细讨论了两者的区别与联系。     

用总场求静电作用力的方法

给出了用总场计算体电荷分布和面电荷分布两种带电体所受静电作用力的一种方法。     

模拟静电场虚拟实验的设计开发

传统的模拟静电场实验能将抽象的"力线"思想形象、直观地展现给学生.但受仪器的使用寿命、学生人数以及场地等因素的限制,局限性很强.而实体实验数字化是对传统实验教学的有力拓展.因此,结合具体模拟静电场虚拟实验进行设计开发.鼓励学生参与设计和开发过程,既深化了定理、定律的理解,又拓宽了知识面.     

电子自旋对体系能量的影响

从微观体系的Hamilton量及相对论两方面论述了电子自旋对体系能量的影响方式。     

力学计算中的能量方法

本文介绍了力学计算中常用的方法——能量方法。首先简单介绍了相关概念。然后介绍了变分原理,按位移变分和应力变分分为两类,并且以位移变分→虚功原理→最小势能原理→卡氏第一定理;应力变分→虚余功原理→最小余能原理→卡氏第二定理,两条主线将能量方法中的变分原理串连起来,使能量方法变得条理化、系统化。并着重对一些常用的重要原理进行了详细推导。     

不带电的二次曲面导体在均匀外电场中的静电分布

详细介绍了不带电的椭球导体在均匀外电场中静电分布推导过程。     

单片机在激光脉冲能量测量与控制中的应用

本文介绍了在激光加工中,采用单片机构成激光脉冲能量的测量与控制系统。该系统采用光电探测器对激光脉冲能量实时测量,由单片机系统进行实时数据采集与数据处理,对激光器进行实时控制,实验表明,该系统可提高激光脉冲能量的稳定性和精度。     

四维协变形式的麦克斯韦方程组的推导

借助电场强度,磁感应强度的矢势、标势表达式,直接推导出四维协变形式的麦克斯韦方程组,     

聚焦静电场结构及聚焦原理详析

利用电磁场的基本理论和计算机技术,对真空电子器件场结构及聚焦特点进行分析,并给出了空间曲线的电力线方程及微机模拟结果.     

基于有限元强度折减法分析土坡稳定

对有限元强度折减法进行了总结,并将其与ANSYS有限元程序很好的结合,通过算例,验证了这种方法在ANSYS分析土坡稳定问题时的可行性,结果表明:通过平面应变Mohr-Coulomb匹配的D-P准则与Drucker-Prager屈服准则的转化,可以求得更加符合实际的边坡稳定系数,并可以模拟出边坡的渐进破坏过程.     

关于功能原理之来源之探索

本文分析了由动能定理导出功能原理的过程。     

岩土空间面上抗剪强度与滑动面位置

通过理论推导出岩土任意空间面上抗剪强度通式，抗剪强度只与法向应力大小和洛德参数有关，空间破坏面垂直中主应力作用面，并给出了破坏面位置与准则的一般关系，为岩土空间滑移面的确定提供理论依据，对研究岩土强度准则具有指导意义。     

高校田径队跳跃项目最大功率力量训练法的研究

最大功率力量训练法是运动员在一定负荷下，用最快的速度完成动作以获得最大功率的训练方法．文章运用分组实验法、数理统计法、文献资料法等方法对最大功率力量训练法进行研究．结果表明：最大功率力量训练法对高校业余跳跃运动员训练前期爆发力的提高，有着明显的效果，为运动员提高专项成绩打下良好的基础．     

新型T形边缘场致发射器件的静电分析

对一种新型Ｔ形边缘场致发射体进行了静电分析,给出了一个三极管单元的数值计算结果,在静电场的计算中采用了一种新的数值方法－非正交有限差分算法,由于所取坐标轴与边界重合,所以方法能有效地处理任意形状的场致发射体。     

低表面能涂层降低流体噪声的试验研究

给出了非溶性表面能涂层在０３Ｂ水筒中铝合金回转体模型上降低流噪声的试验结果;用反射傅立叶约外光谱、电子显微镜和化学用电子分析能谱探讨了降噪涂层表面上的化学结构状态。     

等价算符(OE)型势函数和d~N离子各谱項O_h場矩阵元的OET計算

本文给出了全部点群的OE型势函数,导出d~N离子各谱项等价算符的变换系数:并利用OET方法计算了d~N离子各谱项的O_h群谱项能。计算结果用我国量子化学家唐敖庆等人提出的标准化计算方法和亲态比系数(cfp)法进行了核对。     

再谈感生电场中导体的电势

本文分析放置在感生电场中导体的电势,指出不闭合导体若与感生电场方向处处垂直时,不能引进电势的概念.而对于放置在感生电场中的闭合导体(不论均匀不均匀)都可在其中引进电势的概念.