缓解NBTI的有效关键门识别方法

在关键门输入端插入传输门(TG)是缓解负偏置温度不稳定性(NBTI)效应的一种有效方法,因此关键门的精确识别至关重要。针对现有关键门识别方法未考虑关键门输出对后续逻辑门影响的不足,本文提出了一种有效的关键门度量与识别方法。该方法使用路径延迟减法重新确定关键门,同时提出了应用这种有效度量的老化分析框架,最后使用传输门插入算法防护关键门,进一步缓解NBTI引起的老化。结果表明本文的老化延时改进率平均为36.76%,与原有方法相比,面积平均减少了55.08%。     

针对抗老化门替换技术的关键门识别算法

为解决现有门替换技术应用中存在的时延仿真不精确和关键门选取冗余问题,对时序分析方法进行改进,通过引入电路内部节点信息,准确预测电路NBTI老化.然后,提出了一种门替换技术应用下的关键门识别算法,定义了表征门电路抗NBTI老化能力的度量公式,将其作为电路老化关键门的识别依据,用于提高关键门识别精度和效率.基于45 nm PTM工艺库和ISCAS85基准电路的仿真结果表明,应用改进门替换技术进行电路抗NBTI老化设计得到的电路时延退化改善率平均值为25.11%,较现有方案提高13.24%,而反映硬件开销的平均门替换率仅为5.82%,明显低于现有方案的11.95%.因此,所提方案仅以较低的硬件开销便可获得较好的门替换技术抗老化效果.     

一种互补式LVTSCR的CMOS芯片ESD保护方法

为实现对CMOS芯片进行ESD防护提出了一种互补式LVTSCR结构,给出了该结构横切面电路模型以及等效电路,分析了工作原理及可行性,并与现有的ESD保护结构进行对比分析,采用ISE-TCAD工具进行仿真实验.结果表明:该结构具有占用面积小,单位面积防护效率高的特性,可有效降低成本.     

逻辑综合中关键门的寻找

关键路径一直是电路性能优化的核心问题之一，门的尺寸调整和插入缓冲器是时间优化的重要方法。实际上，电路拓扑图中最长的路径不一定就是关键路径，只有在一定输入下能敏化的最长路径才是关键路径，因此，仅仅按拓扑信息优化最长的路径不一定能真正提高电路的性能，此外，仅仅利用D－算法判断路长敏化有不足之处，本文利用电路拓扑找出超出时间限制的路径，然后利用改进的FAN算法－T－FAN算法，提取关键门－即和电路整体延时有关系的门，为优化指出具体、准确的目标，实验表明，改进的算法在保证优化效果的前提下，能平均减少30％－40％优化对象。     

串口总线电路的防护设计

阐述了串口总线电路的防护设计方法,主要对防止串口总线电路吊死的逻辑设计原理进行了较详细的阐述,分析了现有的串口总线电路设计中存在的缺陷,并提出一种通过逻辑控制来实现的串口防护设计方案.该方案实现简单、可靠性高,可广泛应用于各系统的串口总线电路中.     

浅析如何创建网络自动防御体系

]本文是关于对创建网络安全的主动防御体系，达到让网络体系具有最高级别的安全等级的一篇论文。从网络缺陷进行分析入手，开始创建进行深入，最后总结出一个最新的具有主动防护性的网络安全是要以防护任何未知的攻击，保护网络安全，并以一个良好的安全策略为起点的。     

创建网络安全的主动防御体系的新探索

本文从实践的形式对创建网络安全的主动防御体系进行了新的探索,达到让网络体系具有最高级别的安全等级。最后总结出,一个最新的具有主动防护性的网络安全是要防护任何未知的攻击,保护网络安全,并以一个良好的安全策略为起点的。     

高速公路路径识别综述

回顾了高速公路二义性路径识别问题所涉及的两个方面,对现有的高速公路路径识别技术进行了合理分类,概述了现有高速公路路径识别技术的基本原理和基本方法,分析了相应高速公路路径识别技术的优缺点和各自的适用条件,提出了高速公路路径识别的目标是为精确拆分通行费提供依据,进而保障各投资主体的合理利益,并展望了未来高速公路路径识别方法的发展趋势。     

基于依存语义注意力的词对上下位关系识别

针对现有上下位关系识别方法未能充分挖掘利用词对共现句中上下位关系语义的问题,提出一种基于依存语义注意力的词对上下位关系识别方法．利用词对共现句最短依存路径的路径向量训练Softmax分类器进行上下位关系识别,引入依存语义注意力机制,构建最短依存路径的注意力权重向量和路径评价函数,更细粒度挖掘和表示不同词和不同路径对上下位关系语义的不同贡献,从而更充分利用精细语义特征实现更准确的上下位关系识别．结果表明：相比HypeNet和NPM等代表性方法,本方法在中文和英文实验数据集上的识别准确率分别可提高2.0%和1.3%,且识别性能更稳定．     

基于半导体桥的防护电路设计

半导体桥(SCB,Semiconductor Bridge)易受到外界复杂环境的干扰导致误爆,所以防护电路的设计对其应用显得尤为重要。传统的防护电路由于吸收能量小、工艺复杂等原因难与SCB集成制造。提出了一种基于CMOS工艺的保护技术,利用电容和肖特基管来完成对SCB的静电放电(ESD)防护和电磁干扰(EMI)防护,易与SCB进行集成化制造,提高SCB器件的稳定性和安全性,在Simplorer仿真中验证了所设计防护电路的性能满足要求。