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1.
采用MOD工艺制备PZT铁电薄膜及其性能 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了采用金属有机化合物热分解(MOD)法制备锆钛酸铅Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜的工艺及PZT薄膜的介电性能,利用XRD分析了薄膜的结晶过程,制得具有钙钛矿结构的PZT薄膜,铂电极有利于钙钛矿相的形成,薄膜的介电温谱研究结果表明,薄膜的居里温度约为430℃(1KHz)。 相似文献
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镧钛酸铅铁电薄膜的快速热处理研究 总被引:5,自引:1,他引:5
以不同热处理温度和保温时间的组合条件,对在不同种基片上制备的镧钛酸铅薄膜进行了快速热处理,主要研究了快速热处理工艺对薄膜相结构、化学组成、形貌的影响,并给出了典型样品的介电和铁电性能。实验结果表明:在较宽的热处理温度和保温时间薄内,都可得到无裂纹、均匀致密、晶粒大小约20nm的纯钙钛矿结构薄膜;不同的基片对薄膜的结晶有不同的影响;铂电极有利于薄膜结晶。在700℃保温60s的样品,1kHz时介电常数 相似文献
3.
锆钛酸铅铁电薄膜的MOD工艺制备及其性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
致密、纯钙钛矿结构的PZT(50/50)铁电薄膜已用MOD工艺(金属有机物热分解工艺)获得.通过优化原料的提纯和合成工艺,消除了原料中微量杂质离子,控制PZT先体溶液合成时的环境温度,制得透明、稳定的锆钛酸铅先体溶液.采用多次甩胶成膜法,经400~500℃热处理,在Pt/SiO2/Si衬底上制得PZT(50/50)薄膜,膜厚520nm,其介电常数为270,损耗角正切为0.035(1kHz,0.05V测试电压),其绝缘电阻率为10~100TΩ·cm,剩余极化强度为20.6μC/cm2,饱和极化强度为27.7μC/cm2,矫顽场强为80kV/cm 相似文献
4.
在温度为97℃,水浴回流10h的条件下,用旋涂法在Si(100)基底上,通过改变溶胶的滴加量、转速、升温速率、煅烧温度及保温时间,制备出性能良好的PLZT铁电薄膜,并用精密阻抗分析仪(PIA)对其介电性能进行测试,研究发现:PLZT铁电薄膜未被击穿时,随着测试频率厂的提高电容逐渐减小,而介电损耗会出现突变,在测试频率达到1MHz时,介电损耗一次突变;当PLZT铁电薄膜被击穿时,随着测试频率厂的升高,介电损耗会逐渐增大,在外场频率达到1MHz时开始减小,当膜被击穿后,电感将不可恢复,而材料的电容具有恢复特征,随着测试频率的升高,电容在逐渐减小. 相似文献
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6.
在镀Pt的Si基底上用射频溅射方式制备了Pb(Zr0.55Ti0.45)O3铁电薄膜,成膜温度为250℃。X射线衍射分析表明几乎没有焦绿石相产生。另一方面,氧化钛-氧化锆固溶体则作为反应产物出现,由此提出了PZT固溶体的一种可能的形成机理。 相似文献
7.
介绍多次微量技术制取锆钛酸铅薄膜。XRD分析表明:经高温退火处理后的薄膜呈与源材料一致的钙钛矿结构,增加退火时间能减少残存Pb3O4的数量;电滞回线检测表明,薄膜具有铁电特性。 相似文献
8.
比较了Sol-Gel工艺制备PZT薄膜的两种热处理过程成膜情况和对PZT/Si结构的影响,其中,低温烘烤、快速升温、高温退火的热处理方式有利于钙钛矿相成相。但PZT薄膜完成全过程退火后难以进行图形加工。对含有SiO2的Si衬底上的情况分析表明SiO2有改善界面特性的作用。 相似文献
9.
采用水基热分解法在SiO2/Si基底上制备了钛酸铅和掺镧钛酸铅铁电薄膜。详细研究了以水为溶剂,将铅盐和钛醇盐等直接加入到溶剂中制成先体溶液,测量溶液的DTA-TGA曲线和透光率曲线;对薄膜作XRD和SEM分析,并对其结果进行了简要讨论了测量了室温下薄膜介电性能和铁电性能。 相似文献
10.
KTiOAsO4(KTA)晶体是一种新型的性能优良的铁电晶体,它的电光效应和非线性光学效应尤为突出,使得它在光电子技术及非线性光学领域有一系列重要应用[1].KTA与另一种已知的性能出众的非线性光学材料KTiOPO4(KTP)相比,具有更高的非线性光... 相似文献
11.
根据CuInSe2多晶薄膜的反射特性和透射特性,研究了薄膜的吸收系数α(λ)、消光系数k(λ)、折射率n(λ)以及光学禁带宽度Eg.结果表明,用双源法制备的CuInSe2多晶薄膜的光学特性和其它方法获得的CuInSe2多晶薄膜的光学特性基本一致 相似文献
12.
多晶硅薄膜太阳电池效率影响因素的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
研究了影响单晶硅衬底的多晶硅薄膜太阳电池转换效率的因素,得到该种电池的快速热化学汽相沉积(RTCVD)的最传教条件,同时改进了制备薄膜太阳电池的若干工艺问题,得到了转换效率为14.08%的太阳电池,其填充因子为0.808。 相似文献
13.
采用反应溅射方法制备了氮化碳薄膜,研究了反应气体压力、溅射功率对薄膜形成的影响,并用X射线电子能谱(XPS) 和富里叶变换红外光谱(FTIR)对样品的电子结构进行了分析.结果表明:反应气体N2 的压力太高或太低、溅射功率太大或太小,均不利于氮化碳膜的形成;在N2 压力为8 Pa、溅射功率为200 W 时,薄膜的氮原子数分数得到最大值41% ;XPS和FTIR分析结果揭示了膜中没有自由的N原子,所有的N原子均与C原子作用形成化学键,而且C N 单键、C N 双键、C N 三键共存.膜中C H 和N H 振动模式的存在,说明沉积在Si 衬底上的氮化碳薄膜有较强的从空气中吸收氢的能力. 相似文献
14.
李谟介 《华中师范大学学报(自然科学版)》1986,(4)
用复合工艺实现了玻基SnO_2薄膜与导线的高强度焊接,并同时在薄膜上制得了金属导电带。其焊接的抗拉强度可达20N/mm~2。通过EDX 分析指示出,获得高强度效果的原因是,在焊区表面的金属Ni 层下有一个膜质与基片玻璃质的共存区。 相似文献
15.
采用一种新方法——自泵浦相位共轭干涉测量法,测量弱吸收薄膜的光学参数:折射率、吸收系数以及厚度,实验结果表明,该方法具有操作简便,并能自动消除相位畸变等优点。 相似文献
16.
吴本科 《合肥工业大学学报(自然科学版)》1996,(3)
文章从物理统计规律观点出发.研究了微观溅射粒子的动力学淀积过程。着重考虑到真空度、基片温度、溅射角度等因素对淀积的影响.模拟研究了B.A.Movchan-AV.Demchishin的溅射微观结构关系图。 相似文献