YBa_2Cu_3O_x超导体的临界电流与显微结构

用X光结构分析,电子显微镜(SEM)和高分辨率透射电镜(TEM)观察及电、磁测量等手段,系统地研究了烧结YBa_2Cu_3O_x超导体的制备工艺、显微结构与临界电流密度之间的关系,通过讨论分析,提出了主要影响临界电流密度J_c的3种界面缺陷     

高温超导陶瓷临界电流密度J_c的自动测试

本文讨论了YBaCuO高温陶瓷超导体临界电流密度J_c的定义,对不同种类的高温陶瓷超导体的V-A特性及J_c进行了测量。文中讨论了横向磁场对J_c的影响。     

YBa_2Cu_3O_x系烧结过程中电阻及结构的变化

为获得高Tc超导材料,在选定金属氧化物及其化学配比后,烧结过程是极为重要的。本文对YBa_2Cu_3O_x样品在高温下电阻行为进行了实际跟踪测量,以探讨YBa_2Cu_3O_x系烧结过程中电阻变化与结构变化的规律。     

高温超导临界电流密度J_c测量中的自场效应

讨论了高温超导临界态模型（Ｂｅａｎ模型）中的自场效应．通过计算和分析，得到了临界电流密度的测量值Ｊｃｅｘｐ（Ｂａ）．发现Ｊｃｅｘｐ（Ｂａ）与其真实值Ｊｃ（Ｂａ）之间在低外场时存在着较大的差异，从而解释了实验中发现的利用临界态模型测量高温超导体临界电流密度的值比直接测量值要小的现象．并提出了一种对实验测量值Ｊｃｅｘｐ（Ｂａ）进行修正的方法．     

提高高温超导材料临界电流密度Jc的方法分析

综述了目前国内外提高高温陶瓷超导材料临界电流密度Jc的主要方法,分析了塑性加工工艺的特点,探讨了通过塑性变形改善弱连接,提高高温陶瓷超导材料Jc的可能性。     

射频溅射法研制YBa_2Cu_3O_y高T_c超导薄膜

本文采用射频溅射法研制YBa_2Cu_3O_7高T_c超导薄膜,研究了溅射电压、气流、气压、基片及热处理工艺对超导膜成分、相结构及超导性能的影响,所得到的超导薄膜T_c(R=0)=89K,临界电流密度10~4～10~5A·cm~(-2).     

络合法制备YBa_2Cu_3O_(7-y)超导材料

用络合法制备出单相的YBa_2Cu_3O_(7-y)超导材料,分别用X—射线衍射仪和化学分析法测定了超导样品的晶体结构及化学组成,研究了不同温度等条件下超导样品的性能和化学稳定性。     

磁通蠕动对高温氧化物超导体临界电流密度的影响

研究了Y氧化物超导体的M（t）、Jc（T）和Ueff（M）关系.结果表明，Eu的部分替代引入了新的、更大钉扎势的钉扎中心，从而对临界电流密度有明显影响．     

Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O超导陶瓷的烧结反应与临界电流密度

用高温X射线衍射、SEM-EDX分析、差热分析和目测法确定了Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O超导陶瓷烧结过程中的中间产物的熔融反应,并考察了这种反应对超导陶瓷显微组织和临界电流密度(J_c)的影响。上述综合研究表明,中间产物[30A相与(Sr_(1-x)Ca_x)_2PbO_4相]的熔融反应产生(Sr_(1-x)Ca_x)_2CuO_3相粗粒,形成成分偏析的显微组织,这是高温反应烧结导致低J_c超导陶瓷的原因。     

高临界电流密度外延T12Ba2CaCu2O8超导薄膜

本文用直流磁控离子溅射及后热处理工艺在（００１）ＬａＡ１０３单晶衬底上制备的Ｔ１２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ８高温超导薄膜，经Ｘ－光衍射θ－２θ和Φ扫描测试证明，薄膜是外延生长的。薄膜的超导转变温度高达１０８．６Ｋ。在液氮温度下，零磁场时的临界电流密度达７．６×１０６Ａ／ｍ２。薄膜具有很强的磁通钉扎能力。当垂直于膜面外加一个４特斯拉的磁场时，临界电流密度仍可保持１．１×１０６Ａ／ｃｍ２。     

Effect of Processing Procedure on Critical Current Density of Ag-sheathed(Bi,Pb)_2Sr_2Ca_2Cu_3O_x Superconducting Tapes

ＥｆｆｅｃｔｏｆＰｒｏｃｅｓｉｎｇＰｒｏｃｅｄｕｒｅｏｎＣｒｉｔｉｃａｌＣｕｒｒｅｎｔＤｅｎｓｉｔｙｏｆＡｇ┐ｓｈｅａｔｈｅｄ（Ｂｉ，Ｐｂ）２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３ＯｘＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＴａｐｅｓＭａＹａｎｗｅｉ（马衍伟），ＷａｎｇＺｕｔａｎ...     

YBa2Cu3Ox超导体中Cl取代O的研究

分别以ＢａＣｌ２和ＣｕＣｌ２为配方试剂之一，制备得到掺Ｃｌ的超导体ＹＢａ２Ｃｕ３ＯｘＣｌｙ（ｙ＝０．２，０．４）。通过对比观测发现，掺Ｃｌ的ＹＢＣＯ超导体样品其Ｔｃ下降，超导转变温区变宽，晶胞参数发生变化，Ｃｌ进入１２３相晶格，文中还讨论了掺Ｃｌ对超导电性的影响。     

HoBa2Cu3Ox的超导电性

通过交流磁化率和X-ray衍射分析，对用固态反应法制备的HoBa2Cu3Ox超导体的超导电性进行了研究．实验结果表明：随淬火温度的升高．由正交相(123相)向介于正交和四方相之间的过渡相变化；超导转变温度Tc(0)(零场下)从90K降到38．5K；交流磁化率虚部峰值温Tp(H)随附加直流磁场的增加而降低，Tp与Hdc之间的关系偏离[1一Tp(H)／丁(0)]∞H^2/3规律．     

超导体中临界电流密度及磁通钉扎模型的计算

分析了Bi系高温超导体电流密度的实验数据，采用低温场临界态模型对实验数据进行了计算机模拟，给出了模型实验结果。通过Bi（2233）相厚模电流密度实验数据进行计算机模拟，发现在Tc附近Jc（T）的关系符合T·R·Fin－layson等人提出的低温场临界态模型[3]。由临界电流密度可以计算钉扎力，其结果与Y·Horie等人[4]的结果相近。这说明样品中晶粒边界钉扎是弱钉扎型的。