N光子康普顿散射的程序设计

笔者以N光子康普顿散射公式为基础,进行问题分析,用Matlab语言编写程序,并介绍了程序的设计思路和程序可以实现的功能,并对结果做出分析．     

康普顿散射与逆康普顿散射

求出并讨论发生康普顿散射、逆康普顿散射与初始条件和散射角的关系.     

二次康普顿散射和产生双光子的康普顿散射

从康普顿散射的基本原理出发,基于能量、动量守恒定律和相对论效应,首先讨论了康普顿散射中的二次散射,得出波长的改变量不仅与散射角有关,还与入射光子的波长(频率)有关;其次讨论了产生双光子的康普顿散射,由于这种散射的复杂性,只选取了两种特殊情形来讨论,得出散射光子的频率不仅与两个散射光子的散射角有关,还与入射光子频率有关,单一频率的入射光子发生双光子散射后,散射光子波长的改变还可能是连续变化的;康普顿散射实验说明二次散射和双光子散射的发生是可能的。     

应用康普顿散射研究电子的电磁质量

依据电磁场的能量-速度关系和动量-速度关系,对康普顿散射的实验数据进行了理论分析和探讨.理论分析的结果表明电子的电磁场能量对电子的静质量无贡献.并且,根据理论分析的结果同时提出了一个由康普顿散射测量电子的电磁质量的实验方面的建议.     

相对论性电子的Compton散射

用单粒子理论研究了相对论性电子的Compton散射. 当散射过程不改变光子运动方向时,存在n倍频效应,也存在光子频率及运动方向都不改变的散射过程. 指出了一定条件下可以实现激光场对电子的有效加速.     

非线性激光场中电子与氦原子的散射研究

应用玻恩近似理论,在一种特殊的散射模式(非线性激光场的波矢k垂直于散射平面,极化方向x^,y^互相垂直且都垂直于k)下,利用静电屏蔽的Yukawa势,计算了非线性激光场中氦原子被电子散射的微分散射截面.从计算结果中可以看出,频率参数p和交换光子数的不同对微分散射截面的变化趋势影响较大.这也间接说明了这些散射过程中原子亚稳态俘获现象的存在.     

康普顿散射中的'反冲电子'

文章对康普顿散射后电子的状态进行讨论.依椐散射电子所获得的能量分析散射后电于所处的状态,并按相对论效应和非相对论效应分别得到散射电子的速度表达式.根据电子获得的能量,讨论了散射电子的可能状态有:当所获得的能量为零时,电子保持原状态;当cosθ＞1-Eifm0c2/(hv0-Eif)hv0时,电子保持原态并电离出获得的能...     

铁的γ射线康普顿轮廓

用活度为210mCi (241)~Am放射源发出的γ射线测量铁的康普顿轮廓。由此求出铁的费米动量是0.98±0.04a.u.这一结果与自由电子气模型计算结果相一致。     

光电效应和康普顿散射中光子和电子的相互作用

基于爱因斯坦的光子原理,应用能量,动量守恒定律和相对论效应,讨论了光电效应和康普顿散射中光子与电子相互作用的过程,揭示出二者的物理本质．     

等离子体中单电子对光子的逆康普顿散射

逆康普顿散射是天体物理中一种重要的非热辐射机制。本文给出了等离子体中极端相对论电子对光子的散射概率和单色散射谱,该谱与真空中极端相对论电子对光子的逆康普顿散射谱完全一致。     

单电子逆康普顿散射的辐射谱

逆康普顿散射在天体物理中是一种重要的非热辐射机理，本文利用相对论不变量求得单电子在各向同性辐射场中穿行时的逆康普顿散射的辐射谱。此法与其它方法相比具有既较为简便又较为精确的特点。     

电子—原子弹性散射截面的比较研究

用相对论分波法计算了电子对３５种在１０ｅＶ－２５ｋｅＶ能区的弹性散射截面，并与相应的Ｍｏｔｔ截面进行了比较。结果表明，在１ｋｅＶ以上能区，Ｍｏｔｔ截面与分波截面定性地符合，虽然两者之间普遍存在偏差。小角处的偏差可以通过考虑对Ｍｏｔｔ同的屏蔽修正来减小，而在１ｋｅＶ及其以下能区，Ｍｏｔｔ截面肯定地不再适用，因为在此能区，束缚电子的屏蔽作用增强，而Ｍｏｔｔ截面没有考虑束缚电子的屏蔽效应。     

N光子集团的Compton散射截面

采用量子化辐射场与相对论电子作用的模型,从微扰论得出的跃迁概率表达式出发,导出了n光子集团与电子发生Compton散射的跃迁概率表达式.进而研究了 n光子集团Compton散射的光子散射截面性质,得出了双光子Compton散射的光子散射截面的具体表达式,结果表明n光子Gompton散射的光子微分散射截面不仅与散射角(光子入射方向与散射方向的夹角)有关,还与入射光场的光子数密度以及初始电子的能量有关.     

分子的电子结构对分子线电子输运性质的影响

分子通过硫氢官能团可以很强地吸附于金表面上，从而可作为连接体用于纳米电子学中的分子器件，利用密度泛函理论计算了分子结论，讨论了温度对分子结构的影响，并利用轨道的扩展情况讨论了分子电子结构及分子线电导的影响。     

电子与原子低能散射的等效绝热极化势研究

本文对常用的等效绝热极化势公式进行了修正,使其在近区具有良好的物理性能,对c—He弹性散射截面在0.5～20eV范围内进行了计算,获得了满意的结果。     

电子与原子碰撞中关联极化势研究

本文根据文献~([3])中提出的不含自由参数的新的关联极化势公式,对低能电子被氖和氩原子弹性散射的截面进行了计算,获得了相当满意的结果。     

高能电子散射的新进展

介绍了高能电子散射实验的最新进展,它们包括少体核的电磁形式因子,中子电形式因子,ＥＭＣ效应,质子自旋“危机”及核子中的奇异夸克等等。     

高频二极管掺金、掺铂和12MeV电子辐照性能的研究

对高频二极管掺金、掺铂和１２ＭｅＶ电子辐照试验结果进行了对比分析研究．实验研究结果表明：掺金器件有最佳的ＶＦ～ＴＲＲ折衷曲线，但高温特性却最差；掺铂器件有最佳的高温特性，但ＶＦ～ＴＲＲ折衷曲线却最差；全面衡量器件各参数，１２ＭｅＶ电子辐照最有利于器件参数的最佳化．据此，提出了不同类型的高频二极管少子寿命控制技术的优选方案．