石榴石磁泡膜饱和磁化强度的两种测量方法

用振动样品磁强计（ＶＳＭ）测量了石榴石磁泡膜饱和磁化强度Ｍ，并与用磁光法测量的结果进行了比较，发现用两种方法测得的Ｍ随温度的升高而下降的趋势存在着明显的差别，用ＶＳＭ测得的下降趋势缓慢，用磁光法测得的下降趋势迅速，这就引出一个问题，与磁光法测量Ｍ有关的理论可能存着不足。     

石榴石磁泡膜中枝状畴的形成

“低直流偏场法”是一种以枝状畴为出发点来形成硬磁畴的新方法；使用它能够在“脉冲偏场法”无法 产生硬磁畴的磁泡薄膜上很容易地产生三类硬磁畴。     

Ni／Cr多层膜的磁各向异性

利用振动样品磁强计和铁磁共振仪研究了Ｎｉ／Ｃｒ多摹 磁各向异性。     

石榴石磁泡膜中哑铃畴缩灭行为的进一步研究

通过对于第一类哑铃畴（ＩＤ）缩灭行为的实验研究，发现在直流偏场增加的过程中，ＩＤ以稳定的圆形畴存在的直流偏场范围ΔＨｂ随着其条泡转变场的增加而减小，直至趋于零．据此也讨论了第二类哑铃畴的缩灭行为     

奥氏体不锈钢氮离子注入层的研究

本文用俄歇能谱仪（ＡＥＳ），结合高精度表面轮廓仪测定奥氏体不锈钢氮离子注入层深度及氮浓度分布．用超显微硬度计（试验载荷为０．１ｇ至２．０ｇ）测量注入层的本征硬度，还用ｘ射线低角度掠射技术（ＧＩＸＲＴ）分析注入层的组织结构．研究结果表明：氮离子注入层为过饱和氮的单相国溶体非晶态层，它强化了奥氏体不锈钢表层，提高耐磨性，降低摩擦系数．注入态的耐蚀性优于非注入态．     

Co/Pb多层膜的磁垂直各向异性与磁光克尔效应

我们用射频磁控溅射方法制备了一系列Ｃｏ／Ｐｂ多层膜样品，转矩仪测量结果表明，当Ｐｂ层厚度小于２纳米时，磁垂直各向异性场Ｈｕ随Ｐｂ层厚度的减小而增加。在磁光极克尔效应的测量中，发现在短波方向有磁光增强现象，并对磁光增强的可能机制进行了研究     

在离子束混合下磁性多层膜的磁电阻与感生磁各向异性现象

本实验表明在磁场中进行离子束（Au^ ）混合处理的AuFe多层膜，超顺磁和非超顺磁的磁矩都对磁电阻有贡献，并且表现对于磁场的不对称性。这与在磁场离子下离子束混合造成的感生磁各向异性有关。并且离子束混合可以使磁阻增加5倍左右。本实验同时发现不均匀的微结构对磁阻有重要贡献。     

图纹结构Co/Pt多层膜的制备及垂直磁各向异性研究

采用自组装技术制备大面积有序聚苯乙烯微球模板.在此基础上,制备Co/Pt多层膜纳米碗列阵阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)对样品表面形貌和磁性进行了分析.结果表明:纳米碗阵列保留了聚苯乙烯微球模板的有序形貌.磁性多层膜随着Pt或Co厚度的增大,矫顽力和Mr/Ms变化的总体趋势是先增大后减小.随着衬底胶体球半径的增加,曲率诱导作用逐渐减弱,矫顽力降低.     

石榴石磁泡膜泡状硬畴畴壁中VBL对其缩灭场的影响

石榴石磁泡膜泡状硬畴畴壁中ＶＢＬ对其缩灭场的影响河北师范大学物理系唐贵德，孙会元，曹新国，聂向富本文以实验为依据，近似算出石榴石磁泡膜泡状硬磁畴的缩灭场及缩灭泡径与其畴壁中的ＶＢＬ数目的关系曲线，将这个多年来未能解决的问题向前推进了一步．在磁泡技术发...     

立方磁晶各向异性对面内场下硬磁畴的影响

实验研究了立方磁晶各向异性对面内场作用下非压缩状态的三类硬磁畴（普通硬磁泡（OHB）、第Ⅰ类哑铃畴（ID）和第Ⅱ类哑铃畴（IID））畴壁中垂直布洛赫线（VBL）的影响,发现对应于垂直布洛赫线消失的临界面内场的数值变化与磁畴消失场的数值变化规律相反,且该临界面内场的变化呈六重对称性。此外,发现立方磁晶各向异性对垂直布洛赫线消失的临界面内场的影响很小。     

等离子体离子注入类金刚石多层膜机械特性

采用非平衡磁控溅射及等离子体离子混合注入方法在奥氏体不锈钢 1 Cr1 8Ni9Ti基体上制备 N/ Ti N/ Ti(N,C) / DLC梯度膜 .研究了类金刚石 (DLC)梯度膜的结构特征和力学性能 .试验结果表明 ,N/ Ti N/ Ti(N,C) / DLC梯度膜最外层为典型的 DLC层 .梯度膜的硬度、弹性模量、断裂韧性以及界面结合强度值分别为 1 9.84GPa、1 90 .0 3GPa、3.75MPa· m1/ 2和 5.68MPa·m1/ 2 .试验所制备的 DLC多层膜比 DLC单层膜具有更好的综合机械性能 .     

层间交换耦合作用对面内单轴各向异性金属磁性三层膜微波物性的影响

基于Landau-Lifshitz方程和Maxwell方程组,我们探讨了垂直入射微波在面内单轴各向异性金属磁性三层膜中的传播性质.研究发现由于存在层间交换耦合作用,沿膜厚度方向不均匀的激发磁场显著影响铁磁层的磁导率,导致新颖的微波传播性质.     

Gd-Co系非晶薄膜垂直于膜面的磁各向异性的起源

本文认为,被网状非磁性介质(包括空隙)包围的磁性柱状组织的形状各向异性是Gd-Co系非晶膜磁各向异性的主要来源,由于Gd的易氧化和择优再溅射,使磁性柱表面层的磁性Gd含量低于柱内部,各向异性常数K_u可近似地表为: K_u=K_aM_a~2+k_bM_b~2+K_(ab)M_aM_b,其中M_a和M_b分别为柱内部和表面层构平均磁化强度,K_a,K_b和K_(ab)是与膜结构的几何尺寸有关的系数。根据两种M_s(T)显著不同的偏压溅射Gd-Co-Mo膜的K_u(T)和M_s(T)的实验资料,用上式分别计算了它们的M_a(T)和M_b(T),结果表明,这两种膜的M_a(T)都呈现Gd含量多于平均成份2—4％的Gd-Co-Mo膜的M_s(T)特性,其中M_s(T)有低抵消点的膜还呈现出磁抵消点的特性,M_b(T)则呈现富Co膜的特性。这表明本文的模型基本正确,计算表明,这些膜的非磁性介质占20％以上,且柱的表面层厚度不很薄,用本文的模型还解释了K_u与膜的氧化程度等工艺因素的关系,另外,本文指出,用平均分子场分析所得的Co-Co和Co-Gd间的交换积分,J_(co-co)和J_(co-Gd)以及0°K下的Co的自旋值S_co(0)随对膜中非磁性介质的比体积的不同估计而明显变化;随这个比体积的增加,J_(co-co)值提高,J_(co-cd)和S_co(0)值降低。     

缓冲层对NiCo薄膜各向异性磁致电阻的影响

用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在不同温度下对两种样品退火.结果表明:在NiCo厚度相同的情况下,以NiFeCr作为缓冲层的样品的各向异性磁致电阻(AMR)值明显高于Ta作为缓冲层的样品.X射线衍射(XRD)的结果表明,NiFeCr/NiCo薄膜的晶粒平均尺寸大于Ta/NiCo薄膜,且两种样品的磁膜/缓冲层界面存在较大差异,这可能是造成两者AMR差异的原因.此外,对样品进行温度适当的热处理可以明显改善薄膜的物理性质.     

应用沟道效应对CaGe系列磁泡材料进行离子注入特性的研究

本文报导了利用B~ 、Ar~ 高子对2～3μm泡径的YSmLuCaGe-IG系列的磁泡材料所进行的离子注入特性的研究.买验中,观察到明显的“沟道效应”.在能量为70KeV、剂量为2×10~(15)B~ /cm~2的离子注入条件下,磁泡材料的破灭场范围ΔH_0随注入角度θ的增大而有规律地增大.当注入角度为2°时,ΔH_0减小到最小值(2.3Oe)。在Ar~ 离子注入实验中,也观察到了类似的现象.实验表明,利用小的入射角(θ<3°)对于取向〈111〉生长的磁泡石榴石料材进行离子注入,不仅能明显降低离子注入能量,而且能产生足够的损伤,从而达到抑制硬泡和制备充磁壁磁泡器件的目的.     

磁性多层膜磁特性的蒙特卡罗模拟

利用Monte Carlo模拟方法研究了样品的尺寸、交换耦合相互作用、各向异性对磁性多层膜的磁特性的影响。重点研究磁性多层膜的维度特性及其相变，当磁性层厚度减小时，系统从三维转变为二维，居里温度减小，M（T）呈线性的维度效应。Bloch系数B与磁相互作用J及平均配位数Z有很大的关系，B正比于^-Z^-3/2及J^-3/2。模拟结果与用自旋波激发理论和平均场理论计算的结果相吻合，且较好地解释了实验事实。     

磁泡材料中硬磁畴与物性的关系

利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间的关系:VBL间的最小平衡间距随温度的升高逐步增大;较硬的普通硬磁泡(OHB)可以随着温度的升高转变为较软的第1类哑铃畴(ID),而较软的第1类哑铃畴(ID)又可以随着温度的升高转变为较软的第2类哑铃畴(IID);为3类硬磁畴畴壁结构的一致性提供了直接证据.此外,VBL的这些温度特性反映出BLM方案的不足.     

高磁损耗型纳米多层膜研究

研究一种能用于微波吸收的高磁损耗型纳米多层膜材料,该多层膜材料采用软磁合金层CoFeZrNd和绝缘介质层SiO2交替的周期结构,用磁控溅射工艺制备的这类薄膜在微波段可具有高磁导率和大磁损耗,2GHz时μ121,μ147．重点探讨了磁性合金层厚度、介质层厚度、周期数等对这类多层膜材料微波复磁导率的影响规律和机理．     

Fe／SnO2多层膜的磁特性

研究了高频溅射制备的Fe／SnO2非晶的磁特性。当SnO2层厚度dm固定为5nm时,样品的饱和磁化强度Ms随Fe层厚度dm的减小而降低,这主要受样品的死层效应和维度强应的影响。另外,在dm很小时,样品呈现准二维磁性。样品矫顽力Hc随dm的变化呈现一个峰值。