采用负动态电阻稳压器件的稳压电源的研究

从理论上论述了采用负动态电阻稳压器件为基准电压的稳压作用及其可行性，并通过实验证明了理论分析的正确性．     

器件结构对有机薄膜器件负电阻性能的影响

研究了有机染料掺杂聚合物薄膜器件的J－U特性，发现存在明显的负电阻现象，制备了不同结构的有机染料掺杂聚合物薄膜器件进行了能级分析，表明载流子的不平衡流入对器件J－U曲线负电阻特性影响显著。     

集电极电阻的供电方式对稳压电源的影响

在串联型晶体管稳压电路中 ,集电极电阻有内部电源和外部电源两种供电方式。文中定量分析了在电网电压和负载电流发生波动时 ,不同供电方式对输出电压的影响     

采用负电阻技术的增益恒定放大器

对传统型单级差分放大器在先进工艺下的增益降低进行分析,在电路设计实现上提出了具体的改进方法.通过金属氧化物半导体(MOS)管的交叉耦合正反馈形成了小信号负电阻,并通过负电阻抵消放大器的正的输出电阻,通过小信号负电阻的大小设置,使得其增益能表达成为两个跨导的比值,并且能实现先进工艺下增益的提高,因而增益能不受工艺和沟道长度的影响,具有优异的工艺兼容性,适用于低压应用和深亚μm工艺.基于此结构,实现了工艺转换而无需再设计的放大器.仿真结果表明,该运算放大器能实现不同工艺下的增益恒定以及稳定的相位裕度.     

负电阻及其在混沌研究中的应用

简单介绍了负电阻的概念和性质,并通过电路实验实现了负电阻,且画出该电路的伏安特性曲线.通过对典型的非线性电路进行分析且在示波器中观察到混沌现象,进一步说明了负电阻在混沌研究中的应用.     

引入负电阻的LC振荡电路

提出了引入负电阻形成的LC振荡电路，该电路的振荡频率只与L、C有关，同时大大提高了电路的品质因数Q，电路的性能得到明显改善。     

电阻、电感和频变负电阻的OTA-C模拟电路

提供了运算跨导放大器和电容模拟电路Ｒ、电感Ｌ、和频变负电阻Ｍ的并联与串联电路的新方法,电路中的Ｒ、Ｌ、Ｍ又可分别作为接地和浮地的器件使用,给经们在滤波器上的应用例。     

有机反转电致发光器件的负阻特性

对结构为Si/Al/Alqs/PVK:TPD/PTCDA/ITO的有机反转电致发光器件Ⅰ-Ⅴ特性的测量发现,其电压出现了峰值的负阻现象.分析表明:高电压注入时,器件内形成了高浓度的等离子体;载流子寿命和迁移率随注入电压变化;特别是体内出现了严重的电导调制效应使得器件由高阻区变为低阻区,这些是形成负阻特性的主要原因.通过引入双极迁移率和双极扩散系数将空穴和电子的电流连续性方程联合起来,解释了具有负阻区段的Ⅰ-Ⅴ特性曲线.     

用精密锁相放大器剖析稳压二极管的噪声特性

运用精密锁相放大器对一些稳压二极管的噪声特性进行了全面测试,解释了实际使用中发现噪声与生产厂提供的噪声指标不符的事实,为用户正确使用稳压二极管提供了依据。     

一种预稳压的高压线性稳压器的设计

设计了用于高压电源管理芯片中的内部稳压器电路,为系统中低压模块提供稳定的电源电压输入.电路主要由基准和线性稳压器两个部分组成.不同于传统的线性稳压器结构,不采用稳压二极管反向击穿稳定电压给后级电路供电,引入预稳压的带隙基准电路,产生精确的基准电压,并给误差放大器提供电源.有效减小了芯片的面积,降低了设计对工艺的依赖.通过0.35 μm CMOS工艺模型仿真,稳压器各种性能参数良好.     

负阻特性的研究

本文详细介绍了负电阻的特性、分类及负电阻在振荡器中的应用,并从定性与定量两方面分析了负阻振荡器的原理。     

高稳定度稳压电源(GWE-1型)的研制

本文简要介绍了GwE-1型稳压电源的设计原理,已研制出样机,电势差计使用此电源比它用干电池要节约数千元。此电源值得推广应用。     

基于动态衬底电阻的自衬底触发ESD保护器件

利用版图设计方法对衬底触发多叉指GGNMOS器件进行了改进设计,优化了多叉指保护器件的触发均匀性。同时通过在保护器件源极扩散区周围增加N阱环来增大等效衬底电阻,以提高其触发性能。器件仿真结果表明,与传统GGNMOS器件和普通衬底触发GGNMOS器件相比,所提出的基于动态衬底电阻的自衬底触发GGNMOS结构的ESD鲁棒性达到了9.7 mA/μm,同时触发电压也降低了约32%,达到了提高保护器件ESD鲁棒性和降低触发电压的目的。     

PLBT硅光电负阻器件及光控正弦波振荡器

首次报道了 PL BT硅光电负阻器件及光控正弦波振荡器的初步研究结果 ,介绍了硅光电负阻器件 (PL BT)的特性并对用该器件所构成的光控正弦波振荡器进行了实验研究     

基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器

基于单电子晶体管(SET)和PMOS管串联产生的负微分电阻(NDR)特性,提出了一种新型的SET/CMOS反相器.该反相器利用NDR特性与NMOS负载管的电流-电压特性构成两个单稳态点,实现反相功能.应用HSPICE仿真器,采用精准的单电子晶体管的子电路模型及22nm CMOS预测技术模型对该反相器进行仿真,结果表明:该反相器的功能正确,具有比传统CMOS反相器更低的功耗;与其它单电子反相器相比,该反相器可在室温下实现输出电压全摆幅,且具有较低的传输延迟.     

异甘草素分子器件输运性质的第一性原理研究

基于密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的计算方法,研究了异甘草素分子以不同方式耦合到金电极上时,其耦合程度与结构的伏安特性关系。研究表明,异甘草素分子能够与金电极形成良好的耦合;无论以何种方式耦合,所构成分子器件的电流随电压的增大先增大后减小,即存在负微分电阻效应。分子两端分别通过碳和氧原子与金电极耦合的分子结出现负微分电阻效应所需的电压小于两端分别通过硫原子和探针与金电极耦合的分子结;通过对比发现,在电压小于1.56 V时,分子两端分别通过碳和氧原子直接与金电极耦合的分子结的电阻较小,导电能力强。     

接触电阻动态测定智能仪的研究

讨论一种带有四探针传感器的智能仪器，它可用于测量微欧姆级接触电阻。仪器中设计了大电流低频交流恒流源，高灵敏度前置放大器，并用单片机软件代替了大量电子线路的功能。通过实验，用数理统计进行数据处理，证明该仪器是达到设计要求。     

提高串联稳压电源稳定度的几个措施

影响稳压电源稳定度的因素很多，外部因素包括输入电压、负载、环境温度的变化，内部因素有基准电压、分压比、运放参数变化等，在分析诸因素对稳定度影响的基础上，从实验探讨的角度，提出了几个切实可行的措施。     

基于ATK的一维分子链负微分电阻效应计算

利用应用第一性原理计算软件Atomistix ToolKit（ATK）计算了由一维线性分子链（CpFeCpV）．和镍电极组成的两电极体系的负微分电阻效应．该计算方法基于电子密度泛函和非平衡态格林函数理论．通过对于不同结构下的伏安特性曲线的计算，我们预测了该体系中的负微分电阻效应，并讨论了末端基团和吸附位置对负微分电阻效应开始电压的有效调控．     

数控交流稳压电源中零电流触发的研究

本文介绍了数控交流稳压电源中零电流触发脉冲的前沿相位和脉冲宽度，流过双向晶闸管的电流的零电脉冲宽度的关系，电压控制信号的最佳到达相位。