掺铋钇铁石榴石法拉第效应的增强机理研究

提出用电荷控制法研究ａ－ＳｉＣＣＤ电荷转移特性的理论模型，通过引入平均场效应迁移率的概念，推导出计算ａ－ＳｉＣＣＤ电荷转移损失率的解析解，理论计算与实验结果符合较好．该模型可以较好地反映热扩散、自感应电场和边缘电场的漂移机制对ａ－ＳｉＣＣＤ电荷转移特性的影响，分析结果表明，ａ－ＳｉＣＣＤ的电荷的转移主要是受电场漂移作用控制．     

有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响

研究了有源层ａ－Ｓｉ：Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ；ＨＴＦＴ特性的影响，研究结果表明，ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ；ＨＴＦＴ的静态特性，（如开／关态电流比，阈值电压等）有较大的影响，理论分析表明，这是由于钝化怪固体电荷的有源层背面引入了背面空间电荷层造成的，详细分析了背面空间电荷怪的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，提出了一个ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ有源层厚度优化设计的下限值，理论与实验相符合。     

有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响

研究了有源层ａ－Ｓｉ∶Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响．研究结果表明，ａ－Ｓｉ∶Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ的静态特性（如开／关态电流比、阈值电压等）有较大的影响．理论分析表明，这是由于钝化层固定电荷在有源层背面引入了背面空间电荷层造成的．详细分析了背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响，提出了一个ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ有源层厚度优化设计的下限值，理论与实验相符合     

真空紫外光直接光化学气相沉积SiO2界面特性的研究

通过ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ特性曲线和Ｃ－Ｖ特性滞后曲线，对不同淀积条件下的ＳｉＯ２－Ｓｉ界面特性进行了研究，并与热氧化法和ＰＥＣＶＤ法生长的ＳｉＯ２膜界面进行了比较，结果表明，在不同工艺条件下，其界面电荷密度有所不同，与热氧生长膜的界面电荷密度相近，比ＰＥＣＶＤ膜的界面电荷密度稍低，且其界面基本上呈现负电荷中心，根据俄歇电子能谱的结果，对其界面负电荷的形成作了定性的解释。     

真空紫外光直接光化学汽相沉积SiO_2界面特性的研究

通过ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ特性曲线和Ｃ－Ｖ特性滞后曲线，对不同淀积条件下的ＳｉＯ２－Ｓｉ界面特性进行了研究，并与热氧化法和ＰＥＣＶＤ法生长的ＳｉＯ２腹界面进行了比较．结果表明：在不同工艺条件下，其界面电荷密度有所不同，与热氧化生长膜的界面电荷密度相近，比ＰＥＣＶＤ膜的界面电荷密度稍低，且其界面基本上呈现负电荷中心．根据俄联电子能谱的结果，对其界面负电荷的形成作了定性的解释．     

a-Si/CuInSe2叠层太阳能电池中的空间电荷效应

基于ｐｉｎ结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳能电池中的空间电荷效应，讨论了ａ－Ｓｉ／ＣｕＩｎＳｅ２叠层太阳能电池的稳定性。采用计算机数值模拟方法，得出由光生空穴俘获产生的ａ－Ｓｉ：Ｈ层中正空间电荷密度的增加，改变了电池内部的电场分布，普遍抬高了ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中的电场强度；在当照射下，空间电荷效应不会给ａ－Ｓｉ／ＣｕＩｎＳｅ２叠层结构中的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中的场强度；在光照射下，空间电荷效应不绘给ａ－Ｓｉ／Ｃｕ     

非晶态合金的自旋波激发与结构涨落及超精细场分布

本文研究了非晶态（ａ）－Ｆｅ－ＴＭ－Ｓｉ－Ｂ（ＴＭ＝Ｃｏ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｎｂ）合金从１．５Ｋ到３００Ｋ的磁化强度及室温穆斯堡尔谱，得到了成里温度Ｔｃ、饱和磁化强度σｓ（０）、自旋波颈度常数Ｄ及平均超精细场等。结果表明，（ａ）对于Ｆｅ８３Ｓｉ５Ｂ１２，当Ｎｂ，Ｍｏ与Ｓｉ，Ｃｏ取代Ｆｅ后，Ｆｅ－（Ｎｂ，Ｍｏ）－Ｓｉ－Ｂ的磁性质不同于Ｆｅ－（Ｓｉ，Ｃｏ）－Ｓｉ－Ｂ；（ｂ）ａ－Ｆｅ－（Ｍｏ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｗ，     

应用Visual_Basic语言设计多媒体CAI课件

本文通过介绍用Ｖｉｓｕａｌ Ｂａｓｉｃ语言设计“电荷耦合器件－ＣＣＤ”多媒体计算机辅助教学课件的实际应用，说明用Ｖｉｓｕａｌ Ｂａｓｉｃ编写多媒体ＣＡＩ课件的可行性和有效性。     

Bi＿2Sr＿2Ca＿1Cu＿（2－x）Fe＿xO＿y超导体穆斯堡尔谱电场梯度的研究

利用点电荷模型和有效离子键价理论，对铋系２２１２相中对超导性能有重要意义的金字塔晶位的电场梯度进行了计算。在低浓度铁掺杂的铋系２２１２相晶体中，处于金字塔晶位的Ｃｕ原子被Ｆｅ原子替代，计算了以Ｆｅ原子为中心，半径为ｒ≤１５Ａ的球形区域中，各电荷对Ｆｅ处电场梯度的贡献。此Ｃｌｕｓｔｅｒ内包含了９１３个离子。理论计算得到金字塔晶位上铁核处电场梯度对称的四极劈裂为ＱＳ＝０．６１４４ｍｍ／ｓ，与Ｂｉ＿２Ｓｒ＿２Ｃａ＿１Ｃｕ＿２－ｘＦｅ－Ｏ＿Ｙ样品的室温穆斯堡尔谱实验结果符合很好。     

QED—QCD干涉效应引起的电荷相关互作用

该文对ＱＥＤ－ＱＣＤ干涉效应做了唯象的微扰ＱＣＤ理论的２种研究，计算了Ｎ－Ｎ＾１Ｓ０散射长度，微扰方法所得结果在定性上是正确的，且得到了一组既符合ｎ－ｐ质量差，△＾＋＋－△＾０质量差又同时符合△ａｃｓＢ和△ａＣＩＢ的唯象的参数。     

An／C_（60）－Polymer／P－Si结构C－V特性

报道了利用ＰＥＣＶＤ技术在Ｐ－Ｓｉ衬底抛光面上淀积含Ｃ６０聚合物薄膜及在薄膜表面蒸金形成Ａｎ／Ｃ６０－Ｐｏｌｙｍｅｒ／Ｐ－Ｓｉ结构．通过常温及温偏处理后的不同Ｃ－Ｖ特性，推算了聚合物薄膜中的几种电荷密度和介电常数，并对经过温偏处理后Ｃ－Ｖ曲线的畸变做了讨论．     

Si3N4和Si3N4／Sio2驻极体薄膜的化学表面修正

采用补偿法对六甲基二硅胺烷（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｅｄｉｓｉｌａｎｅ,ＨＭＤＳ）和二氯二甲基硅烷（ｄｉｃｈｌｏｒｏｄｉｍｅｔｈ ｓｉｌｉａｎｅ,ＤＣＤＭＳ）有面修正恒压电晕充电硅基氮化硅（Ｓｉ３Ｎ４）薄膜驻极体及氮化硅／二氧化硅（Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２）薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了比较性的研究。实验结果表明,经过化学表面修正后,驻极体薄膜在高湿环境中的电荷储存稳定性显著提高;在低于２００℃时,ＨＭＤ     

CaO－Al_2O_3－SiO_2熔渣的作用浓度计算模型

根据相图和炉渣结构的共存理论，推导了ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２渣系作用浓度的计算模型，计算的ＮＣａＯ和ＮＳｉＯ２与相应的实测αＣａＯ和αＳｉＯ２基本符合，从而证明所得模型可以反映本渣系的结构本质。与此同时，还发现生成正硅酸盐（２ＣａＯ·ＳｉＯ２）的碱度因Ａｌ２Ｏ３的增加而变大的事实和本渣系有∑ｎ较小的活跃部分。     

C_3A 的 Al-O,Ca-O 键与水化活性关系的量子化学研究

通过量子化学的ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘα计算方法，分别研究了Ｃ３Ａ分子结构中２种ＡｌＯ４四面体和３种ＣａＯｘ（ｘ＝６，６，９）多面体的价键特性与活性。原子净电荷、键强、电子态密度、ＥＬＵＭＯ以及ΔＥ（ＬＵＭＯ－ＨＯＭＯ）等的计算结果表明：与水反应时，多面体活性大小顺序为Ｃａ（４）Ｏ９＞Ｃａ（１）Ｏ６（或Ｃａ（３）Ｏ６）＞Ａｌ（１）Ｏ４＞Ａｌ（２）Ｏ４。Ｃ３Ａ具有高水化活性主要与弱的Ｃａ－Ｏ键和空洞缺陷有关。     

CaO—Al2O3—SiO2熔渣的作用浓度计算模型

根据相图和炉渣结构的共存理论，推导了ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２渣系作用浓度的计算模型，计算的ＮＣａＯ和ＮＳｉＯ２与相应的实测αＣａＯ和αＳｉＯ２基本符合，从而证明所得模型可以反映本渣系的结构本持。与此同时，还发现生成正硅酸盐（２ＣａＯ．ＳｉＯ２）的碱度因Ａｌ２Ｏ３的增加而变大的事实和本渣系有Σｎ较小的活跃部分。     

射频反应溅射非晶硅基薄膜的红外谱

本文研究了用射频反溅射法制备的非晶硅基系列薄膜（ａ－Ｓｉ：Ｈ，ａ－ＳｉＣｘ：Ｈ，ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ和ａ－ＳｉＣｘＮｙ：Ｈ）的红外吸收谱，对其中的主要吸收区进行了分析和讨论。     

石墨还原CaO－SiO_2－Al_2O_3－FeO熔渣过程中泡沫化行为

石墨还原ＣａＯ－ＳｉＯ_２－Ａｌ_２Ｏ_３－ＦｅＯ熔渣过程中泡沫化行为黄宗泽，肖兴国，肖泽强，ＳＤ辛格在１４４０～１５３０Ｃ，通过Ｘ射线装置观测了石墨活原ＣａＯ－ＳＩＯ；－ＡＩ。Ｏ。－ＦｅＯ＄渣（ＣａＯ）／ＳＩＯ。一０·７５～１·５）中ＦｅＯ反应过程中?..     

CaS:Sm3+中Sm3+的发光特性与其格位对称性的相关性

利用固相反应法合成了不同浓度Ｓｍ ３＋ 掺杂的ＣａＳ荧光粉．研究了Ｓｍ ３＋ 在ＣａＳ基质中的发光特性与其格位对称性的相关性．发现Ｓｍ ３＋ 掺杂浓度较低时，其电荷补偿方式所引起的晶格畸变程度较小，Ｓｍ ３＋ 仍处于对称性格位．当Ｓｍ ３＋ 的掺杂浓度增加，其主要的电荷补偿方式所引起的晶格畸变程度较大，且占据非对称性格位的Ｓｍ ３＋ 浓度相对增加．     

酚类化合物苯环碳原子的化学位移与其净电荷的关？…

用ＡＢ－ＩＮＩＴＩＯ法对只含酚羟基的７种酚化合物的苯环碳原子的净电荷做了计算，并测定或查阅了它们的＾１３ＣＮＭＲ谱，参考标准图谱找出了Ｃｉ对应的化学位移δｉ，发现Ｑｉ－δｉ间呈现较好的线性关系。每种化合物均有最负净电荷与最低化学位移（δｍｉｎ），Ｑｍｉｎ与δｍｉｎ出现在酚羟在邻位同一碳原子上，而这一碳原子具有最大的亲核－亲电反应活性。那些δｉ〉１３０的碳原子反应活性极小，以至不能发生亲核－亲电反应     

LDF－Slater过渡态理论计算原子系统激活能

在ＬＤＦ理论基础上，按Ｓｌａｔｅｒ过渡态理论，利用Ｋｏｈｎ－Ｓｈａｍ－Ｄｉｒａｃ方程对原子系统的芯态和价态离化能进行第一性原理计算．以Ｃａ和Ｓ原子为例，根据ＬＤＦ本征值ξｉ、基态和激发态的ＬＤＦ自洽收敛总能差△ＳＣＦ、Ｓｌａｔｅｒ过渡态理论三种方法计算结果与实验值对比表明，△ＳＣＦ和Ｓｌａｔｅｒ过渡态理论可以明显改善原子系统激活能的计算结果，而后者更具有实用且简单的优点，可推广到更复杂的系统．