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1.
提出用电荷控制法研究a-SiCCD电荷转移特性的理论模型,通过引入平均场效应迁移率的概念,推导出计算a-SiCCD电荷转移损失率的解析解,理论计算与实验结果符合较好.该模型可以较好地反映热扩散、自感应电场和边缘电场的漂移机制对a-SiCCD电荷转移特性的影响,分析结果表明,a-SiCCD的电荷的转移主要是受电场漂移作用控制. 相似文献
2.
有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了有源层a-Si:H的厚度对a-Si;HTFT特性的影响,研究结果表明,a-Si:H层的厚度对a-Si;HTFT的静态特性,(如开/关态电流比,阈值电压等)有较大的影响,理论分析表明,这是由于钝化怪固体电荷的有源层背面引入了背面空间电荷层造成的,详细分析了背面空间电荷怪的a-Si:HTFT特性的影响,提出了一个a-Si:HTFT有源层厚度优化设计的下限值,理论与实验相符合。 相似文献
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研究了有源层a-Si∶H的厚度对a-Si∶HTFT特性的影响.研究结果表明,a-Si∶H层的厚度对a-Si∶HTFT的静态特性(如开/关态电流比、阈值电压等)有较大的影响.理论分析表明,这是由于钝化层固定电荷在有源层背面引入了背面空间电荷层造成的.详细分析了背面空间电荷层对a-Si∶HTFT特性的影响,提出了一个a-Si∶HTFT有源层厚度优化设计的下限值,理论与实验相符合 相似文献
4.
通过MOS结构C-V特性曲线和C-V特性滞后曲线,对不同淀积条件下的SiO2-Si界面特性进行了研究,并与热氧化法和PECVD法生长的SiO2膜界面进行了比较,结果表明,在不同工艺条件下,其界面电荷密度有所不同,与热氧生长膜的界面电荷密度相近,比PECVD膜的界面电荷密度稍低,且其界面基本上呈现负电荷中心,根据俄歇电子能谱的结果,对其界面负电荷的形成作了定性的解释。 相似文献
5.
通过MOS结构C-V特性曲线和C-V特性滞后曲线,对不同淀积条件下的SiO2-Si界面特性进行了研究,并与热氧化法和PECVD法生长的SiO2腹界面进行了比较.结果表明:在不同工艺条件下,其界面电荷密度有所不同,与热氧化生长膜的界面电荷密度相近,比PECVD膜的界面电荷密度稍低,且其界面基本上呈现负电荷中心.根据俄联电子能谱的结果,对其界面负电荷的形成作了定性的解释. 相似文献
6.
基于pin结构的a-Si:H太阳能电池中的空间电荷效应,讨论了a-Si/CuInSe2叠层太阳能电池的稳定性。采用计算机数值模拟方法,得出由光生空穴俘获产生的a-Si:H层中正空间电荷密度的增加,改变了电池内部的电场分布,普遍抬高了a-Si:H薄膜中的电场强度;在当照射下,空间电荷效应不会给a-Si/CuInSe2叠层结构中的a-Si:H薄膜中的场强度;在光照射下,空间电荷效应不绘给a-Si/Cu 相似文献
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黄志高 《福建师范大学学报(自然科学版)》1995,11(2):38-45
本文研究了非晶态(a)-Fe-TM-Si-B(TM=Co,Si,Mo,Nb)合金从1.5K到300K的磁化强度及室温穆斯堡尔谱,得到了成里温度Tc、饱和磁化强度σs(0)、自旋波颈度常数D及平均超精细场等。结果表明,(a)对于Fe83Si5B12,当Nb,Mo与Si,Co取代Fe后,Fe-(Nb,Mo)-Si-B的磁性质不同于Fe-(Si,Co)-Si-B;(b)a-Fe-(Mo,Nb,Cr,W, 相似文献
8.
罗绮霞 《华南师范大学学报(自然科学版)》1995,(1):1-79
本文通过介绍用Visual Basic语言设计“电荷耦合器件-CCD”多媒体计算机辅助教学课件的实际应用,说明用Visual Basic编写多媒体CAI课件的可行性和有效性。 相似文献
9.
利用点电荷模型和有效离子键价理论,对铋系2212相中对超导性能有重要意义的金字塔晶位的电场梯度进行了计算。在低浓度铁掺杂的铋系2212相晶体中,处于金字塔晶位的Cu原子被Fe原子替代,计算了以Fe原子为中心,半径为r≤15A的球形区域中,各电荷对Fe处电场梯度的贡献。此Cluster内包含了913个离子。理论计算得到金字塔晶位上铁核处电场梯度对称的四极劈裂为QS=0.6144mm/s,与Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2-xFe-O_Y样品的室温穆斯堡尔谱实验结果符合很好。 相似文献
10.
该文对QED-QCD干涉效应做了唯象的微扰QCD理论的2种研究,计算了N-N^1S0散射长度,微扰方法所得结果在定性上是正确的,且得到了一组既符合n-p质量差,△^++-△^0质量差又同时符合△acsB和△aCIB的唯象的参数。 相似文献
11.
报道了利用PECVD技术在P-Si衬底抛光面上淀积含C60聚合物薄膜及在薄膜表面蒸金形成An/C60-Polymer/P-Si结构.通过常温及温偏处理后的不同C-V特性,推算了聚合物薄膜中的几种电荷密度和介电常数,并对经过温偏处理后C-V曲线的畸变做了讨论. 相似文献
12.
Si3N4和Si3N4/Sio2驻极体薄膜的化学表面修正 总被引:2,自引:0,他引:2
采用补偿法对六甲基二硅胺烷(hexamethyedisilane,HMDS)和二氯二甲基硅烷(dichlorodimeth siliane,DCDMS)有面修正恒压电晕充电硅基氮化硅(Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅/二氧化硅(Si3N4/SiO2)薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了比较性的研究。实验结果表明,经过化学表面修正后,驻极体薄膜在高湿环境中的电荷储存稳定性显著提高;在低于200℃时,HMD 相似文献
13.
根据相图和炉渣结构的共存理论,推导了CaO-Al2O3-SiO2渣系作用浓度的计算模型,计算的NCaO和NSiO2与相应的实测αCaO和αSiO2基本符合,从而证明所得模型可以反映本渣系的结构本质。与此同时,还发现生成正硅酸盐(2CaO·SiO2)的碱度因Al2O3的增加而变大的事实和本渣系有∑n较小的活跃部分。 相似文献
14.
通过量子化学的SCC-DV-Xα计算方法,分别研究了C3A分子结构中2种AlO4四面体和3种CaOx(x=6,6,9)多面体的价键特性与活性。原子净电荷、键强、电子态密度、ELUMO以及ΔE(LUMO-HOMO)等的计算结果表明:与水反应时,多面体活性大小顺序为Ca(4)O9>Ca(1)O6(或Ca(3)O6)>Al(1)O4>Al(2)O4。C3A具有高水化活性主要与弱的Ca-O键和空洞缺陷有关。 相似文献
15.
根据相图和炉渣结构的共存理论,推导了CaO-Al2O3-SiO2渣系作用浓度的计算模型,计算的NCaO和NSiO2与相应的实测αCaO和αSiO2基本符合,从而证明所得模型可以反映本渣系的结构本持。与此同时,还发现生成正硅酸盐(2CaO.SiO2)的碱度因Al2O3的增加而变大的事实和本渣系有Σn较小的活跃部分。 相似文献
16.
本文研究了用射频反溅射法制备的非晶硅基系列薄膜(a-Si:H,a-SiCx:H,a-SiNx:H和a-SiCxNy:H)的红外吸收谱,对其中的主要吸收区进行了分析和讨论。 相似文献
17.
《东北大学学报(自然科学版)》1995,(1)
石墨还原CaO-SiO_2-Al_2O_3-FeO熔渣过程中泡沫化行为黄宗泽,肖兴国,肖泽强,SD辛格在1440~1530C,通过X射线装置观测了石墨活原CaO-SIO;-AI。O。-FeO$渣(CaO)/SIO。一0·75~1·5)中FeO反应过程中?.. 相似文献
18.
利用固相反应法合成了不同浓度Sm 3+ 掺杂的CaS荧光粉.研究了Sm 3+ 在CaS基质中的发光特性与其格位对称性的相关性.发现Sm 3+ 掺杂浓度较低时,其电荷补偿方式所引起的晶格畸变程度较小,Sm 3+ 仍处于对称性格位.当Sm 3+ 的掺杂浓度增加,其主要的电荷补偿方式所引起的晶格畸变程度较大,且占据非对称性格位的Sm 3+ 浓度相对增加. 相似文献
19.
用AB-INITIO法对只含酚羟基的7种酚化合物的苯环碳原子的净电荷做了计算,并测定或查阅了它们的^13CNMR谱,参考标准图谱找出了Ci对应的化学位移δi,发现Qi-δi间呈现较好的线性关系。每种化合物均有最负净电荷与最低化学位移(δmin),Qmin与δmin出现在酚羟在邻位同一碳原子上,而这一碳原子具有最大的亲核-亲电反应活性。那些δi〉130的碳原子反应活性极小,以至不能发生亲核-亲电反应 相似文献
20.
在LDF理论基础上,按Slater过渡态理论,利用Kohn-Sham-Dirac方程对原子系统的芯态和价态离化能进行第一性原理计算.以Ca和S原子为例,根据LDF本征值ξi、基态和激发态的LDF自洽收敛总能差△SCF、Slater过渡态理论三种方法计算结果与实验值对比表明,△SCF和Slater过渡态理论可以明显改善原子系统激活能的计算结果,而后者更具有实用且简单的优点,可推广到更复杂的系统. 相似文献