高压ZnO避雷器的改性实验研究

研究了掺杂及工艺对ＺｎＯ阀片电学性能的影响规律，其结果表明：适量的Ａｌ２Ｏ３掺杂，可改变ＺｎＯ阀片的大电流区特性，过多的Ａｌ２Ｏ３掺杂将使ＺｎＯ阀片性能变差；ＭｇＯ可提高压敏电压、增大大电流冲击的稳定性；ＳｉＯ２可有铲提高压敏电压主及非线性系数，适量的ＳｉＯ２能提高阀片的冲击稳定性，在烧结ＺｎＯ阀片时，在８００－１２００℃温区内，样品的热处理升温速度应控制在２５－５０℃／ｈ左右，这不仅使阀片的残压     

发电机灭磁的氧化锌阀片串并联组合技术

在氧化锌串并组合技术上,合能电气公司采用均能的原则,使用计算机对氧化锌阀片进行优化组合,并且尽量提高移能效率,留有足够的能量裕度,加强对氧化锌阀片的保护和对磁场断路器检测调试,使装置具有灭磁容量大、速度快、动作可靠、寿命长等优点。 目前国内生产的氧化锌单只阀所能承受的极限能量是15KJ～25KJ,而大型发电机励磁绕组中存贮的能量是几百万焦耳。因此必须采用大量的氧化锌阀片进行串并联组合以提供足够的能容。由于氧化锌阀片间存在着固有的离散性,因此保证氧化锌阀片串、并联组合的均衡性,是氧化锌阀片串并联组合技术的关键。     

ZnO陶瓷键合Cu电极技术的研究

研究了Ｃｕ－ＺｎＯ陶瓷键合技术，并探讨了其作为电极用在线性ＺｎＯ陶瓷电阻器上对器件性能的影响，运用扫描电镜对Ｃｕ－ＺｎＯ陶瓷的键合结构进行了分析，测量了键合Ｃｕ电极后的接触电阻及器件耐电流冲击的稳定性，并与镀Ｃｕ、喷Ａｌ及烧Ａｇ电极进行了分析对比。同时，研究了键合Ｃｕ电极的工艺对ＺｎＯ陶瓷本体电阻产生的影响。     

相似算子代数的导子与自同构

讨论了用ｅ型电子枪热蒸法制备的非化学计量的ＺｎＯ薄膜的光电性能。采用了ＸＰＳ等方法，实验结果表明，对于不同的基底温度及掺杂浓度，ＺｎＯ薄膜Ｏ／Ｚｎ比不同，光电性能也因此而异，本研究还对最佳成膜工艺进行了探讨。     

氧化锌非线性电阻片无机侧面绝缘层的研究

为了提高氧化锌非线性电阻片抗４／１０μｓ大电流冲击能力，进行了无机侧面绝缘层的研究。对氧化锌阀片侧面绝缘层所用有机和无机材料的性能进行了比较。通过对氧化锌阀片无机侧面绝缘层釉的机理的分析，成功地研制出了一次烧成的阀片用无机侧面经缘层釉，并介绍了应用效果。     

EFFECTSOFVARIOUSTEMPERATURESOFSUBSTRATESANDANNEALINGSONTHEOPTICALANDELECTRICALPROPERTIESOFNON－STOICH

讨论了用ｅ型电子枪热蒸法制备的非化学计量的ＺｎＯ薄膜的光电性能。采用了ＸＰＳ等方法，实验结果表明，对于不同的基底温度及掺杂浓度，ＺｎＯ薄膜Ｏ／Ｚｎ比不同，光电性能也因此而异，本研究还对最佳成膜工艺进行了探讨。     

用离子团簇束及反应离子团簇束技术沉积Zn及ZmO薄膜

用文题所述技术，在玻璃基板上制出了Ｚｎ及ＺｎＯ薄膜。用ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＡＥＳ及ＳＥＥＬＦＳ方法，分别研究了其表面形貌、组成、薄膜结构及表面精细结构，同时探讨了薄膜生长过程。结果表明：Ｚｎ薄膜为（００２）面上择优生长的多晶膜，其生长过程为岛状生长；ＺｎＯ薄膜为无定形迷津网络结构，薄膜表面主要含有Ｚｎ、Ｏ两种组分，无其它杂质，Ｚｎ－Ｏ键长为０．２０３ｎｍ。     

用离子团簇束及反应离子团簇束技术沉积Zn及ZnO薄膜

用文题所述技术，在玻璃基板上制出了Ｚｎ及ＺｎＯ薄膜。用ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＡＥＳ及ＳＥＥＬＦＳ方法，分别研究了其表面形貌、组成、薄膜结构及表面精细结构，同时探讨了薄膜生长过程。结果表明：Ｚｎ薄膜为（００２）面上择优生长的多晶膜，其生长过程为岛状生长：ＺｎＯ薄膜为无定形迷津网络结构，薄膜表面主要含有Ｚｎ、Ｏ两种组分，无其它杂质，Ｚｎ─Ｏ键长为０．２０３ｍｍ。     

ZnO超微粒子膜的形成因素及三束表面改性对其形貌,结构的影响

用直流气体放电活化反应沉积法，制备了ＺｎＯ超微粒子（ＺｎＯＵＦＰ）。讨论了影响ＺｎＯ ＵＦＰ的形成因素；研究了三束（离子束、电子束、激光束）表面改性及等离子体、退火处理对ＺｎＯ ＵＦＰ的形貌和结构的影响。结果表明，ＺｎＯＵＦＰ有长大趋势，局部变成致密连续；且在激光束作用下ＺｎＯＵＦＰ出现析晶，同时原有的晶面择优生长趋势受到抑制，晶粒长大。     

基于径向基网络的金属氧化物避雷器阀片伏安特性拟合

为了解决现有金属氧化物避雷器阀片伏安特性拟合中存在的过冲、收敛慢、误差大的问题，用神经网络方法，通过对金属氧化物避雷器（MOA）的原始伏安数据进行分析，确定了神经元个数，并设计了输入、输出录属函数对数据进行预处理。用一个径向基神经网络系统对MOA阀片的伏安特性曲线进行了拟合，拟合结果与分段线性、多指数、线性与非线性拟合法相比，较大幅度地提高了拟合精度和收敛速度，完全适用于MOA阀片的伏安特性拟合。     

CdS／SiO2和ZnS／SiO2半导体掺杂玻璃三阶非线性光学性质的…

采用溶胶－凝胶和原位生长工艺成功地制备了ＣｄＳ／ＳｉＯ３和ＺｎＳ／ＳｉＯ２半导体微晶掺杂玻璃，给出了该样品三阶非线性光学性质的实验研究方法及最新实验结果。利用简并四波混频技术测得其三阶非线性极化率的大小在１０＾－２０ｍ＾２／Ｗ。此结果比纯ＳｉＯ２基本提高约２－３个数量级。表明半导体掺杂玻璃的三阶光学非线性明显增强。     

氯化锌与l—苯丙氨酸的配合行为

用半微量相平衡法研究了ＺｎＣｌ２－Ｐｈｅ－Ｈ２Ｏ三元体系在２５℃及全浓度范围内的溶度性质，结果表明，该体系中形成两种化合物：Ｚｎ（Ｐｈｅ）Ｃｌ２．１／２Ｈ２Ｏ和Ｚｎ（Ｐｈｅ）２Ｃｌ２．Ｈ２Ｏ，它们均属水中固液异成分溶解化合物。在相平衡结果指下，在水中制备了两种化合物，通过化学分析、元素分析、ＸＲＤ、ＩＲ和ＸＰＳ对它们进行了表征。     

非线性系统定阶的神经网络方法

前馈型神经网应用于非线性系统辨识的一个问题是确定系统阶次。采用前馈神经网进行非线性系统定阶与神经网的推广性问题密切相关。ＯＬＳ算法是构筑径向基神经网的一种学习算法，但是采用ＯＬＳ算法构筑神经网存在推广性问题。ＲＯＬＳ算法将ＯＬＳ算法与正则化（ｒｅｇｕｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）方法相结合，以提高算法的推广能力。本文将基于径向基网的ＲＯＬＳ算法应用于非线性系统定阶。本文对提出的方法进行了仿真研究，结果验证了方法的有效性。     

SnO_2·ZnO纳米微粒／硬脂酸交替L－B膜的制备及结构

采用胶体化学方法制备了ＳｎＯ_２．ＺｎＯ微粒的水溶胶和有机溶胶，实验结果表明，ＳｎＯ_２·ＺｎＯ胶体存在着明显的量子尺寸效应。应用Ｌ－Ｂ膜技术制备了ＳｎＯ_２·Ｚｎｏ纳米微粒／硬脂酸交替Ｌ－Ｂ膜，用原子力显微镜观察了ＳｎＯ_２·ＺｎＯ纳米微粒／硬脂酸交替Ｌ－Ｂ膜的形貌。通过加热除去硬脂酸后的ＳｎＯ_２·ＺｎＯ膜有好的气敏性及对酒精的选择性。     

核供热堆压力壳组合阀接管热应力的有限元分析

运用非线性有限单元法对200 MW 核供热堆压力壳组合阀接管的热应力进行了研究和数值计算,得到了压力壳组合阀接管的热应力分布情况,为核供热堆压力壳组合阀接管的强度校核提供了依据。     

ZnO压敏陶瓷次晶界及其对陶瓷性能的作用

研究了在烧结过程中，烧结温度与等温烧结时间对ＺｎＯ晶粒中次晶界的影响及次晶界对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的作用，结果发现随烧结温度升高、等温烧结时间延长，次晶界趋于消失，次晶界的存在将增大ＺｎＯ晶粒的电阻率、削弱ＺｎＯ压敏陶瓷的脉冲能量吸收能力。     

ZnO压敏陶瓷次晶界及其对对陶瓷性能的作用

研究了在烧结过程中，烧结温度与等温烧结时间对ＺｎＯ晶粒中次晶界的影响及次晶界对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的作用，结果发现随烧结温度升高，等温烧结时间延长，次晶界趋于消失，次晶界的存在将增大ＺｎＯ晶粒的电阻率、削弱ＺｎＯ压敏陶瓷的脉冲能量吸引能力。     

CuO／SiO2和CuO—ZnO／SiO2催化剂的热分析性质

用差热分析（ＴＧ／ＤＴＡ）技术研究了ＣｕＯ／ＳｉＯ２和ＣｕＯ－ＺｎＯ／ＳｉＯ２催化剂于Ｈ２气下的还原行为和在Ｏ２气下的氧化行为及对其催化性能的影响。结果表明,ＺｎＯ的加入有利于催化剂的热稳定性,并对ＣｕＯ的还原有促进作用;在有氧化气氛存在时,ＺｎＯ的加入不利于保持Ｃｕ＾０的还原态。     

用湿化学法制备电子材料用ZnO粉未

本文研究用湿化学法－ＮＨ３法改性ＺｎＯ粉末使之用于电子材料。用Ｘ－ｒａｙ衍射分析和ＳＥＭ分析方法确定了焙烧温度，球磨时间等主要工艺参数；用ＳＥＭ分析，ＢＥＴ分析，粒度与粒度分布分析方法研究了改性前后ＺｎＯ粉末的赋存状态。压敏电阻验证试验结果表明，改性后的ＺｎＯ粉末可以制备出小电流性能很好的ＺｎＯ压敏电阻。     

贵金属催化剂对锡酸锌气敏特性的影响￣①

采用均匀沉淀法合成了超微粒锡酸锌（Ｚｎ２ＳｎＯ４）气敏材料，利用浸渍法对Ｚｎ２ＳｎＯ４材料进行了掺杂，用ＸＲＤ和ＴＥＭ对其微结构进行了研究，实验结果表明，合成材料为均匀颗粒状，粒径小于０．１μｍ，该材料对可燃气体具有高的灵敏度，通过某些贵金属掺杂可提高Ｚｎ２ＳｎＯ４对Ｃ２Ｈ５ＯＨ气体的选择性，ＳｉＯ２的掺杂可大幅度提高Ｚｎ２ＳｎＯ４对氢气的灵敏度，Ｚｎ２ＳｎＯ４材料有可能在可燃气体、选择性酒敏元件上取得应用。