多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型

提出一个多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型.该模型同时考虑了晶体管沟道内晶粒的数目、载流子在晶粒与晶粒间界处不同的输运特性和栅致迁移率降低效应,适应于从小晶粒到大晶粒线性区的多晶硅薄膜晶体管.研究表明:当晶粒尺寸Lg0.4μm时,其有效迁移率主要由晶粒间界控制;降低晶粒间界陷阱态密度可提高有效迁移率;减小栅氧化层厚度可增强栅压对有效迁移率的控制作用;高栅压时出现明显的有效迁移率退化效应.     

利用高斯分布模型研究多晶硅晶硅界电学特性

研究了多晶硅晶界的载流子输运过程和导电机制，建立了新的晶界结构模型和晶界势垒分布模型.将晶界区域及其势垒的变化视为高斯分布，利用这个模型，给出了改善的电流-电压特性方程，并用这个关系式来解释多晶硅的电学特性.数值计算表明，多硅电阻率随势垒高度的增加而基本呈线性增加.另外，电阻率ρ随掺杂浓度的增加而减小，当掺杂剂浓度约为1×1019cm-3，ρ和ρgb下降最快.且在晶粒尺寸为102nm范围内晶界的电阻率比晶粒的电阻率约大2～3个数量级.分析结果表明，晶界是高电阻区，晶界的这种精细分布描述，有助于进一步理解多晶硅的晶界特性，从而提高多晶硅太阳电池的光电转换效率.     

温度对多晶硅薄膜迁移率的影响

本文研究了多晶硅薄膜在－１９５℃到９６℃的环境温度下霍尔迁移率变化的规 律。在Ｓｅｔｏ提出的多晶硅薄膜导电模型的基础上，进一步从理论上分析了迁移率随 环境温度变化的规律。对非高度简并化的多晶硅薄膜样品，先是随环境温度升高而增 大，达到极值后，又随温度的继续升高而降低，并且指出达到极值的温度和晶粒边界 的势垒高度有关，理论分析和实验结果一致。对高度简并化的多晶硅薄膜样品，实验 结果表明．当测试温度上升到－１６５℃以后直到８０℃，其迁移率基本上不随温度变 化．     

p-Si TFT的电场增强MILC制备技术

采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,并采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/(V·s),开关态电流比为5×106.采用拉曼光谱分析、X射线衍射、扫描电镜等微观分析手段对多晶硅薄膜进行了分析,结果表明加电场于两电极之间有促进多晶硅薄膜晶化的作用.采用EFE-MILC技术获得了大的晶粒尺寸,并用此技术制备了p沟多晶硅TFT.表明EFE-MILC技术是在低温下获得大晶粒尺寸p-Si薄膜和高性能p-SiTFT的好方法.     

低温射频氧等离子体氧化SiO2／Si界面陷阱的DLTS研究

对温度５００℃、ＲＦ氧等离子体氧化生长的ＳｉＯ２形成的ＭＯＳ结构进行了ＤＬＴＳ测量。应用能量分辨ＤＬＴＳ模型对这种高密度界面陷阱的特性进行了分析和计算。结果表明界面电子陷阱在禁带上半部的密度为３～８×１０＾１２ｅＶ＾－１ｃｍ＾－２；俘获截面σｎ（Ｅ）约为１０＾－１８ｃｍ＾２数量级。结合准静态Ｃ－Ｖ测量研究了后退火对陷阱的影响，经４００℃／３０分钟、Ｎ２气氛热退火可使陷阱密度降为１～２×１０＾１１ｅ     

激光退火对多晶硅结构和电学性能的影响

利用调Q红宝石激光器(λ=6943A,τ=30mμs,能量1.8～2J/cm~2),对LPCVD和常压CVD生长的多晶硅薄膜(5000A)离子注入后进行退火。用透射电子显微镜观察晶粒结构;用X衍射仪测定其优选晶向;用Vanderpauw方法测定电阻率、迁移率和戴流子浓度;用阳极氧化逐步去层结合Vanderpauw霍耳测量测定截流子及迁移率分布。发现晶粒经激光退火后,由200～1000A~0增大至1μ量级;优选晶向增强(100)晶向;戴流子电激活几乎可达100％;迁移率符合王阳光等所提出的理论模型;戴流子在多晶硅膜内的分布变的更加平坦。     

离体玉米精细胞的电泳分析与分离

细胞显微电泳表明，介质ＰＨ值对离体玉米精细胞电泳迁移率有较大影响，在ＨＣｌＧｌｙ（甘氨酸）缓冲液中，其等电点介于ＰＨ２．４－３．０；在ＰＨ６．７的ＭＥＳ缓冲液中，电泳后统计分析表明，离体玉米精细胞可以区分为电泳迁移率有差异的２种类型，其电泳迁移率分别为（１．８０３±０．０４３）×１０＾－６和（１．６６７±０．０５２）×１０＾－６ｍ＾２．Ｖ＾－１．ｓ＾－１。根据电泳迁移率的差异，利用一种支无持细胞电     

去甲肾上腺素在正常及去肾上腺大鼠海马调节机体细胞免疫功能 …

用噻唑蓝（ＭＴＴ）比色分析法检测了在正常及去肾上腺大鼠双侧海马内微量注射去甲肾上腺素（Ｎｏｒａｄｒｅｎｌｉｎｅ,ＮＡ）对刀蛋白（ＣｏｎＡ）刺激的脾淋巴细胞增加增殖反应的影响。结果：（１）在正常大鼠,ＮＡ（４μＬ,６．０＊１０＾－３ｍｏｌ／Ｌ）、β１受体激动剂Ｄｏｂｕｔａｍｉｎｅ（Ｄｏｂ,４μｌ,６．０＊１０＾－３ｍｏｌ／Ｌ）和β２受体激动剂Ｍｅｔａｐｒｏｔｅｒｎｏｌ（Ｍｅｔ,４μｌ,８．０＊１０＆     

一个非局部的反应扩散方程

考虑一个带参数的非局部反应扩散方程，证明了小初值时非负解整体存在，大初值时，存在一个临界值ε＾＊，使得当０〈ε〈ε＾＊时方程的非负解体存在；当ε〉ε＾＊时方程的非负解在有限时刻爆破，而且爆破集是整个区域Ω＾－。     

两卵形弧间的等距对立

本文目的是研究两卵形弧间的等距对应，所得的主要结果是下列两定理：设Ｃ和Ｃ＾＊（是两处正则的卵形线，它们的长度相等，ψ：Ｃ→Ｃ＾＊是等距映射，则在Ｃ上有４个不同的点Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４使Ｃ在Ａｉ的曲率等于Ｃ＾８在ψ（Ａｉ）（ｉ＝１，２，３，４）。设Ｃ和Ｃ＾＊是都是以Ａ、Ｂ为端点的卵形弧，它们的长度相等；ψ：Ｃ→Ｃ＾＊是等距映射使ψ（Ａ）＝Ａ；Ｍ以Ｃ上一点；对于ＡＭ上任一点Ｐ有ｋ（Ｐ）≥ｋ（ψ（ｐ）     

强受限半导体量子点的形状对受限激子的影响

在有效质量近似下,采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响。结果表明对于采用体激子的等效Ｒｙｄｂｅｒｇ能量Ｒ＾＊比较大的材料制备的量子点,其形状带来的影响是显著的。     

关于图中给定端点的Hamilton—路及D—路

设Ｇ是有限无向简单图。｛ａ,ｂ｝等于包含于Ｖ（Ｇ）,Ｎ［ａ］＝Ｎ（ａ）∪｛ａ｝,令Ｊ（ａ,ｂ）＝｛ｕ│ｕ∈Ｎ（ａ）∩Ｎ（ｂ）且Ｎ（ｕ）等于包含于Ｎ［ａ］∪Ｎ［ｂ］｝。Ｇ＾＊称为Ｇ的部分平方图：Ｖ（Ｇ＾＊）＝Ｖ（Ｇ）,Ｅ（Ｇ＾＊）＝Ｅ（Ｇ）∪｛ａｂ│ａｂ不属于Ｅ（Ｇ）,Ｊ（ａ,ｂ）≠Φ｝。设Ｇ是（ｋ＋１）－连通图（ｋ≥２）,｛ｕ１,ｕ２｝等于包含于Ｖ（Ｇ）。本文主要结论：（ａ）设Ｇｗ是Ｇ中添加新顶点     

S^＊是使μ^＊成为测度的最大的σ—代数

本文提出了“对于由半环上的测度μ引出的外测度μ＾＊，不存在比Ｓ＾＊更大的σ－代数，使μ＾＊在其上为测度。”这一结论，进而描述了Ｓ＾＊“最大”的意义。     

多晶硅薄膜和金属铝接触的研究

研究了ｎ型多晶硅薄膜和铝的欧姆按触、整流接触。在掺杂浓度Ｎ≥２．９×１０１９ ｃｍ－３的情况下为欧姆接触：在掺杂浓度Ｎ≤２．９×１０１８ｃｍ－３的情况下为整流接触； 用ＴＬＭ方法测出了Ｎ＝２．９×１０１９ｃｍ－３时的接触电阻率ρｃ＝５．５４×１０－３Ω．ｃｍ２； 从理论上定量地分析了掺杂浓度（１．４×１０１７～２．９×１０１９）ｃｍ－３的Ｕ－Ｉ特性曲线．理 论计算结果和实验数据符合较好．讨论了肖特基势垒高度φｂ和晶粒间界势垒高度φｇ 随掺杂浓度变化的规律，φｂ不随Ｎ变化，保持为常数；而φｇ却有极值。在实验 方面．探讨了用Ｔｉ代替Ａ１实现低阻浅结欧姆接触的可能性。在掺杂浓度较低的情 况下，给出了制备欧姆接触的方法。     

Ca^2＋离子对Na扩散（Sr,Ca）TiO3系电容—压敏陶瓷结构与性能的影响

研究了Ｃａ＾２＋离子（＜５０ｍｏｌ％）对Ｎａ扩散（Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ３系电容－压敏陶瓷结构与性能的影响。ＸＲＤ及ＩＲ吸收谱的实验结果表明，Ｃａ＾２＋离子的加入，使立方钙钛矿结构发生畸变。这些结构上的变化，使得当Ｃａ＾２＋离子含量增加时，晶粒电阻率上升，晶粒尺寸减小；在Ｃａ＾２＋离子的含量约小于３０ｍｏｌ％时，随Ｃａ＾２＋离子含量的增加，经Ｎａ扩散热处理后陶瓷的视在介电系数增加，压敏电压降低。尤其是     

茂兰喀斯特山地华南五针松邻体干扰强度研究

用邻体光率和邻体干扰指数模型Ｉ＝Ｎ／∑ｉ＝１Ｓｉ．Ｓ＾－１．ｄｉ＾－１，对与贵州茂兰喀斯特山地原始森林中华南五针松个体生长行为之间关系进行研究探讨。结果表明，华南五针松下体生长速度和个体大均与邻体截光率和邻体干扰指数呈显著负相关，表明了邻体的干扰指数和截光对华南五针松的生长较强的干扰作用。     

Al2O3衬底上多晶硅薄膜的外延和区熔再结晶

研究了陶瓷衬底上多晶硅薄膜的生长和区熔再结晶.利用快速热化学气相沉积(RTCVD)方法,在低成本的Al2O3衬底上沉积了重掺杂的致密多晶硅薄膜,薄膜的晶粒尺寸在微米级.经区熔再结晶(ZMR)后,薄膜的晶粒尺寸有了较大的提高,而且迁移率较高,这样的薄膜可以用作晶体硅薄膜太阳电池的籽晶层.最大的晶粒达到毫米量级,空穴迁移率超过50 cm2·V-1·s-1.在籽晶层上外延的活性层形貌与此类似.这些结果显示这种薄膜在光伏应用方面有较大的潜力.     

Ca^2＋掺杂对PTCR元件电性能的影响

研究了Ｃａ＾２＋取代Ｂａ＾２＋后对ＰＴＣＲ材料电性能的影响，发现随着Ｃａ＾２＋含量的增加，ＢａＴｉＯ３系ＰＴＣＲ样品的平均晶粒直径单调下降，耐电压性能单调上升。Ｃａ＾２取代量在一定范围内，常温电阻率变化不大，但超过一定值后，常温电阻率急剧上升，这种现象与晶界缓冲效应有关。     

云南老王寨金矿区煌斑岩富集地幔源区的Sr,Nd同位素和NH^＋4 …

分析了云南老王寨金矿区煌斑岩的Ｓｒ，Ｎｄ同位素组成和固定铵的含量与原始地幔现代值相比，本区煌斑岩上具有相对高＾８７Ｓｒ／＾８６Ｓｒ比值（０．７０６４４－０．７０８９５）和低＾１４３Ｎｄ／＾１４４Ｎｄ比值（０．５１２４３６－０．５１２５２４）；岩石固定铵（ＮＨ＾＋４）含量（７４．３４＊１０＾－６－４６８．７２＊１０＾－６）明显高于其他幔源岩石（１＊１０＾－６－２７＊１０＾－６），低于矿区炭质围岩（７     

第Ⅱ类二维离散Hartley变换(DHT-Ⅱ)的一种快速算法

在实序列数据处理中,Ｈａｒｔｌｅｙ变换仅需实运算,一些实际应用表明其比Ｆｏｕｒｉｅｒ变换更经济、更有效、文章给出第Ⅱ类二维离散Ｈａｒｔｌｅｙ变换的一种快速计算法,对Ｍ＊Ｎ＝２＾ｒ＊２＾ｓ２Ｄ－ＤＨＴ－Ⅱ的计算,其计算复杂性为１／４ＭＮｌｏｇ２Ｍ＾２Ｎ＋Ｏ（ＭＮ）个实乘和３／２ＭＮｌｏｇ２ＭＮ＋Ｏ（ＭＮ）个实加（当≥ｓ时）１／４ＭＮｌｏｇ２ＭＮ＾２＋ｏ（ｍｎ）个实乘和３／２ｌｏｇ２ＭＮ＋Ｏ（）ＭＮ）