新型氧化物导电陶瓷的物理性质

以一氧化物为主要原料，掺以少量杂质，采用传统的电子陶瓷工艺制备了新型导电陶瓷．经检测表明：该导电陶瓷具有较优良的物理性质．其室温电阻率为０．０６８Ω·ｃｍ，密度为４．９６～５．４５ｇ／ｃｍ３，３０～２８０℃温度范围的平均比热为０．４５８Ｊ／ｇ·℃，１４～１０００℃时的平均线膨胀系数为５．８８５Ｘ１０－６℃－１，当跨距为１５ｍｍ时，其抗折强度（抗弯强度）的平均值为２５．２７５ＭＰａ，ＨＲＡ（洛氏）硬度的平均值为６３．０８．     

新型大功率氧化物导电陶瓷

介绍一种新型大功率氧化物导电陶瓷。该陶瓷是以六角密堆（ＨＣＰ）结构的ＺｎＯ为主要原料，添加少量杂质，采用电子陶瓷工艺研制而成，研究了陶瓷材料的差热分析（ＤＴＡ）及扫描电子显微结构，测量了瓷体的电阻率。     

新型大功率氧化物导电陶瓷

介绍一种新型大功率氧化物导电陶瓷．该陶瓷是以六角密堆（ＨＣＰ）结构的ＺｎＯ为主要原料，添加少量杂质，采用电子陶瓷工艺研制而成．研究了陶瓷材料的差热分析（ＤＴＡ）及扫描电子显微结构．测量了瓷体的电阻率．     

固体氧化物燃料电池用导电陶瓷材料的研究进展

综述了导电陶瓷材料在固体氧化物燃料电池中的应用现状,分别从燃料电池的关键组件（电解质材料、阴极材料、阳极材料和连接材料等方面）对导电陶瓷的要求及其研究现状进行了讨论,提出目前研究广泛的导电陶瓷在固体氧化物燃料电池中存在问题。     

双掺杂透明导电氧化物纳米线的制备与发光性能

文章以金属镓(Ga)、铟(In)和氧化亚锡(SnO)粉末作为前驱反应物,通过简单的热蒸方法成功制备出双掺杂的氧化物ISGO(掺杂了In、Sn的Ga2O3)纳米线。样品的形貌、结构与成分的测定分别在场发射扫描电镜、X射线衍射谱仪、选区电子衍射、高分辨透射电镜以及X射线能量散射谱仪上进行,结果表明已合成的纳米线为掺杂In和Sn具有单斜晶结构的-βGa2O3;还提出了用自催化气-液-固(VLS)生长机制来解释双掺杂氧化物ISGO纳米线的生长;提出了由于Sn和In成分的双掺杂,使得其发光峰的峰位明显红移、半高宽变宽。     

透明导电氧化物薄膜的制备方法研究

主要介绍了制备透明导电氧化物薄膜的方法,其中包括磁控溅射法、脉冲激光沉积法（PLD）、喷涂热解法、分子束外延法（MBE）、溶胶-凝胶技术（sol-gel）法,总结了各种方法的优缺点,并对透明导电氧化物薄膜的研究进行了展望。     

导电复合陶瓷的电加工性研究

通过试验测算和数据分析,对导电复合陶瓷的电加工性能进行了研究,并在加工机理上提出了热应力剥蚀作用和电火花加工积屑瘤等新见解,对各脉冲参数(脉冲能量、脉冲宽度、脉冲间隔)、电极极性、电极材料和介质状态等对加工效率和加工表面质量的影响规律进行了分析和探讨。     

铅酸钡导电陶瓷的电性能研究

制得铅酸钡（ＢａＰｂＯ３）导电陶瓷,它具有象金属一样的导电性,而且还具有正温度系数（ＰＴＣ）特性． 本文主要研究ＢａＰｂＯ３ 导电陶瓷的导电性和导电机制     

非导电结构陶瓷的电加工

本文综合分析了非导电结构陶瓷材料的加工方法及工艺,提出非导电结构陶瓷的有效加工方法应是分为粗精加工,得出了适合快走丝电火花线切割的高效加工工艺.     

导电高分子和无机氧化物为基灵巧窗口的探索

用电化学合成的方法在氧化铟锡导电玻璃上分别镀上了电致变色的三氧化钨和聚苯胺膜，并将这两种ＩＴＯ玻璃用高分子电解质粘结形成灵巧窗口。当外加电压在－１．４Ｖ－＋１．４Ｖ之间变化时，灵巧窗口在可见光区具有很显的透光率变化。     

P型透明导电氧化物CuAlO_2的研究进展

CuAlO2作为一种天然的P型透明导电氧化物(TCO)成为近年来P型TCO的研究热点.介绍了CuAlO2近几年最新的研究进展,简述了不同的制备方法及其优缺点,综述了对其光电、热电等性能的研究状况,对CuAlO2掺杂前后性能改变的研究进展做了详细介绍,并提出了CuAlO2未来的研究方向.     

氧化锌陶瓷低温导电特性研究

研究了Nb2O5掺杂的ZnO陶瓷在低温下导电特性,结果表明,低温状态下,随着Nb2O5掺杂量的增加,ZnO电阻率降低,不同温度下烧结的ZnO样品,烧结温度越高,电阻率愈小,同一烧结温度下,不同烧结时间的ZnO样品,随着烧结时间的增加,电阻率愈小.     

P型透明导电氧化物CuAlO_2的研究进展

CuAlO2作为一种天然的P型透明导电氧化物(TCO)成为近年来P型TCO的研究热点.介绍了CuAlO2近几年最新的研究进展,简述了不同的制备方法及其优缺点,综述了对其光电、热电等性能的研究状况,对CuAlO2掺杂前后性能改变的研究进展做了详细介绍,并提出了CuAlO2未来的研究方向.     

深过冷银熔体热物理性质参数的研究

将差示扫描量热与助熔剂处理相结合,研究了深过冷状态下银的比热及其他相关热物性参数．通过实验获得银熔体在深过冷范围内的比热与温度成线性关系,计算出了深过冷银熔体与对应温度固态之间的焓差、熵差和吉布斯自由能差,分析了深过冷银熔体的热扩散系数和热传导系数随温度的变化关系．     

透明导电薄膜(I):掺杂透明导电氧化物薄膜

透明导电氧化物薄膜具有良好的光电性能.作为前电极,此类半导体材料薄膜广泛应用于半导体器件.本文以典型的掺杂TCO薄膜为切入点,综述了透明导电氧化物薄膜的发展历史及应用,重点阐述了几种典型掺杂TCO薄膜的结构特征、光电特性、制备方法及应用展望.     

钡钇铜氧化物陶瓷超导电性的研究

赵忠贤等报导了对Ba_(0.5)Y_(4.5)Cu_5O_(5(3-y)陶瓷超导电性的早期研究结果,经1000℃烧结6小时后炉冷试样的零电阻超导温度为78.5K,转变宽度为4K.测量电阻-温度曲线所用的电流密度为0.04A/cm~2,未给出临界电流密度Jc的值. 本文所用试样的成份为Ba_2Y_2Cu_3O_(3(3-y′).混合均匀的金属氧化物粉末由草酸盐分解法制得.氧化物粉末经压制成型后于空气中加热至920℃至1050℃烧结6小时炉冷.X-衍射分析结果表明,试样基本上为单相的准正交相,其晶格常数为a=3.840A.b=3.906A,c=11.718A.断口扫描测试表明,该试样的平均晶粒尺寸小于5μ,晶粒大小均匀.断口相呈部份穿晶断裂,有不太明显的断裂台阶,韧性及强度均较好.能谱     

材料热物理性质的自动检测

介绍了热物性瞬态自动测量仪的原理、结构及测量方法。并对测量结果进行了简要分析。     

La0.5-xYxBa0.5CoO3系导电陶瓷导电性研究

通过对La0.5-xYxBa0.5CoO3系导电陶瓷的导电性、导电机制和微观形貌的研究,探讨了元素对该系导电陶瓷各方面性能的影响.发现稀土元素Y和La0.5Ba0.5CoO3系导电陶瓷的导电性有较大的影响.     

钙钛矿复合氧化物纳米陶瓷薄膜材料的结构与导电性

实验以柠檬酸为配体,采用ＩＳＧ法制备了钙钛矿型稀土复合氧化物ＬａＭＯ３（Ｍ为Ｎｉ＾３＋、Ｃｏ＾３＋、Ｃｒ＾３＋和Ｆｅ＾３＋）纳米陶瓷薄膜,研究其在还原气氛下的结构与薄膜导电性的关系,通过Ｂ位离子对征钛矿型稀土复合氧化物气体敏感效应影响的考察,发现随着还原程度的增大,纳米薄膜的化学吸附氧减小,氧空位增多,电阻显著增大。     

高Tc超导氧化物YBa2Cu3O7—x的比热研究

作者采用连续法测量了Y-Ba-Cu-氧化物块状材料在80-120K温区内的比热,在转变温度92.7K附近观察到明显的比热反常现象。比热跃迁△c与转变温度T_c的比值△c/T_c为:40mJ/mol·K~2,比热跃迁△o与比热c的比值△c/c为3％左右。上述测量结果与国外同行的研究成果基本一致。