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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
利用大功率CO_2激光烧结新工艺制备钨酸铝负温度系数热敏电阻材料,发现材料在一定温度范围内阻温特性呈线性关系.研究激光烧结工艺条件对材料特性的影响.XRD及XPS的研究发现了具有类钙钛矿结构钨青铜导电相AlxWO3,是它使材料具有半导性并有NTC效应  相似文献   

2.
利用激光烧结工艺合成了Al2O3-WO3系列NTC热敏陶瓷材料.研究发现,这种陶瓷材料在一定的组分范围和工艺条件下,在较宽的温区内,其阻温特性呈现良好的线性关系.X-ray衍射分析表明,经激光烧结的NTC热敏材料中含有Al2O3,Al2(WO4)3和AlxWO3相,且此材料中的导电相为钨青铜结构的AlxWO3.AlxWO3相是在Al2O3-WO3二元系平衡相图中所没有的.  相似文献   

3.
研究了2F4特性瓷料中加入少量SrTiO3及SrTiO3的加入方式对材料介电性能和窑业性能的影响.试验表明,在以BaTiO3-CaSnO3为主的2F4特性瓷料中加入少量的SrTiO3有明显的改性作用.SrTiO3的加入使瓷料居里峰展宽、负温度特性变好、介质损耗降低,耐电强度提高.SrTiO3加入方式明显影响烧结性能.先将BaCO3、Sr-CO3、TiO2共同合成(Ba1-XSrX)TiO3固溶体再进行配料烧结的比用BaTiO3、SrTiO3进行配料烧结的有较宽的烧成范围和较好的耐潮性.  相似文献   

4.
研究了二氧化硅对陶瓷材料阻温特性和烧结特性的影响,实验结果表明:烧结助剂二氧化硅的加入可以使材料的烧结温度降低,改善材料的V型PTC复合热敏性能。在1150℃烧结时,其最佳加入量wSiO2为5%,材料的最低电阻率为3.1×102Ω·cm  相似文献   

5.
中温烧结BaTiO_3基多相铁电瓷料X7R特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用铋钛低熔物降低BaTiO3基资料的烧结温度。当加入量约0.05mol时,可实现中温烧结,此过程存在过渡液相烧结。改性添加物La2O3、Nb2O5等在固-液烧结过程中溶-析及A、B位缺位补偿因溶,使主晶相BaTiO3晶粒形成“核-壳”结构。从ε-T特性和微观结构分析,探讨了不均匀分布的BaTiO3基多相铁电瓷料具有X7R特性的机制。  相似文献   

6.
激光气相法制备TiO2超精细粉末   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用脉冲红外激光产生的等离子体,诱导反应体系TiCl4/O2合成了TiO2超精细粉末,采用IR、XRD、XPS、TEM等技术对粉体进行了分析表征,结果表明,TiO2超精细粉末粒径在140A左右,具有大小均匀,不团聚,粒径尺寸分布窄等优点,由该粉体催化CO氧化结果表明,对CO氧化反应具有较高催化活性。  相似文献   

7.
运用飞行时间质谱方法,对XeCl准分子激光烧蚀多种SiO2多孔结构材料而产生的团簇进行了研究,在负离子通道中得到了丰富的「(SiO2)nX」^-团族,实验结果表明延迟时间及材料的多孔网络结构和表面活性基团对「(SiO2)nX」团簇的检测与产生有重要作用。  相似文献   

8.
ZnCr2O4陶瓷烧结反应机理的探究   总被引:4,自引:0,他引:4  
雷元礼  薛赛凤 《贵州科学》1998,16(3):165-169
用TG,DTA及XRD等方法研究了ZnCr2O4-Cr2O3陶瓷传感材料,在常温-1000℃程序升温过程中的化学反应机理及烧结产物的物相结构。  相似文献   

9.
溶胶—凝胶技术制备ZrO2陶瓷膜研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
以ZrOCl2·8H2O为起始原料,通过溶胶-凝胶技术制备了ZrO2陶瓷膜。使用DTA、XRD以及SEM等测试手段对其结构进行了分析,同时研究了SiO2对ZrO2陶瓷膜烧结行为的影响。结果表明:ZrO2陶瓷膜具有高度的择优取向特征;膜烧结过程存在ZrO2晶相转变,430°C左右ZrO2四方相开始析晶形成,550~750°C温度区域逐渐转变为单斜相;引入SiO2后ZrO2四方相一直到1350°C才转变为单斜相,表现为引入SiO2抑制了ZrO2晶相转变,提高了ZrO2陶瓷膜的结构完整性。  相似文献   

10.
物理法制备的纳米过渡金属催化剂上CO的氧化(Ⅱ …   总被引:1,自引:0,他引:1  
用TEM、XRD等方法研究了蒸发法制备的纳米铜真空热处理后粒子尺寸及晶相的变化。将处理后的铜粒子负载于氧化铝上,考察了对CO氧化反应的催化活性。结果表明。随真空热处理温度的增加,纳米铜粒子烧结程度增加,尺寸变大,催化活性下降,晶相也由Cu、CuO变为Cu2O。  相似文献   

11.
本文用Sol-gel法合成了Bi1.6Pb0.3Sb0.1Sr2Ca2Cu3Ox体系的高TC超导原粉,对于不同的烧结时间,材料的超导性有不同程度的差异,(超导转变温度为108.3~116.1K)并与同种方法合成的Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3Ox体系进行了比较.用Sol-gel法,在Bi系中掺杂Pb,同样会缩短烧结时间(缩短60h),促进高温相的形成,同时掺杂Pb,Sb,形成超导材料所需的烧结时间进一步缩短(缩短153h).利用SEM和X-ray观察和分析了样品的形貌特征和物相结构.Sol-gel法具有工艺简单,烧结时间短,样品颗粒均匀、粒度小、组分易控等优点,在高TC超导材料中不失为一种行之有效的材料制备工艺.  相似文献   

12.
高致密、结晶好的钽酸锶铋陶瓷靶由SrCO3、Bi2O3和Ta2O5粉末混合、预烧、压模和烧结而成,预烧和烧结温度范围分别为900~1000℃和1000~1400℃。用脉冲准分子激光沉积技术制备得到非晶钽酸锶铋薄膜,在氧气氛下经退火得到多晶钽酸锶铋薄膜。XRD分析得到钽酸锶铋薄膜择优取向以(008)和(115)为主;TEM分析得到钽酸锶铋薄膜晶界清晰、结构致密,平均晶粒大小约为20nm,薄膜的界面清晰、陡峭,厚度约为200nm。  相似文献   

13.
本文研究了Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_x(简称2223)单相超导块材的制备工艺。X射线衍射谱的分析和交流磁化率测量结果表明,对于名义组分为Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_x的配料,在相当宽的温度范围(875℃~950℃)内烧结都有2223相生成。在897℃烧结2h得到了纯的2223单相样品,其Tc(R=0)值达120K。  相似文献   

14.
研究了Nb掺杂Ba-Sn-W-O系复合陶瓷材料的显微结构及电导特性。研究表明,该系列材料是主导电相为Ba(Sn,Nb)O3的低B值NTC热敏电阻材料,Nb2O5的引入,在烧结过程中可能在两主晶相晶粒的表层分别产生VBa和Vo,影响烧结过程中的扩散机制。当Nb2O5的引入量约为1.0mol%时,可促进该系列材料烧结成致密瓷。  相似文献   

15.
研究BaO-PbO-Bi2O3-Nd2O3-TiO2五元系统在800~1200℃烧结中物相变化和电性能.XRD测试数据:1000℃时BaTiO3消失,主晶相为BaTi4O9、Bi4Ti3O12和Nd2Ti2O7,BaNd2Ti5O14开始出现,1100℃到1150℃,Bi4Ti3O12在XRD图上消失,BaTi4O9和Nd2Ti2O7含量逐渐减少,BaNd2TiO14逐渐增加;1200℃时,XRD图谱全部为BaNd2Ti5O14,证明该系统的主晶相BaNd2Ti5O14是由Nd2O3、TiO2对具有微波特性的BaTi4O9改性而得:铅含量增加,主晶相的a、b二晶轴缩短.调整各组分及玻璃的含量,获得ε=90±5、损耗tgδ≤3×10-4、绝缘电阻ρv≥1012Ωcm、电容量温度系数αc=0±15×10-6/℃、中温(1150℃)烧结的NPOMLC瓷料.  相似文献   

16.
采用加入Bi2O3_PbO_ZnO玻璃及Bi、Co、Nb掺杂的方法,使BaTiO3基铁电瓷料中温烧结(1080~1140℃)。在实验结果的基础上,探讨X7R铁电瓷料中的第二相和晶粒尺寸对MLC的ε_t性能的影响,并研究其烧结机制。  相似文献   

17.
添加氧化物粉末对FeCr烧结合金交流磁特性的影响(日)大同工业大学和大同特殊钢公司技术开发研究所为进一步提高FeCr系烧结合金的交流磁特性,研究了添加SIO。、CaO、AI。O。的粉末混合物对低C的Fe-13Cr-0.SSi烧结合金磁性的影响。试验用...  相似文献   

18.
在高Tc超导体Bi_1.6Pb_0.4Sr_2Ca_3Cu_4(1-x)Fe_4xOy中,我们发现由于Cu部分被Fe元素替代,其超导特性发生改变,样品的电阻——温度关系,交流磁化率——温度关系都与不同Fe含量有关。同时研究了得到铋系单相性好的超导材料的烧结工艺。  相似文献   

19.
本文报导了以水合RuO2为原料而采用固相反应、烧结工艺制备脉冲激光沉积用RuO2、BaRuO3、SrRuO3靶材的工艺。首次报导了烧结的BaRuO3多晶材料的导电特性在室温附近由半导体向金属转变。  相似文献   

20.
实验研究CaO-MgO-SiO2熔块对Al2O3瓷烧结的作用结果表明:在20%wt%CaO,30wt%MgO,50wt%SiO2区域附近的熔块能很好地促进Al2O3瓷的低温烧结;除了第2相对晶界的钉扎作用以及固溶作用外,MgO在烧结中的作用能维持CaO/SiO2比,即维持烧结系统中的液相量;La2O3,Sm2O3能使Al2O3瓷的烧结温度下降大约30℃,其表面显微结构也有所改善。  相似文献   

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