大功率CO_2激光器合成钨酸铝热敏电阻材料

利用大功率ＣＯ_２激光烧结新工艺制备钨酸铝负温度系数热敏电阻材料，发现材料在一定温度范围内阻温特性呈线性关系．研究激光烧结工艺条件对材料特性的影响．ＸＲＤ及ＸＰＳ的研究发现了具有类钙钛矿结构钨青铜导电相ＡｌｘＷＯ３，是它使材料具有半导性并有ＮＴＣ效应     

Al2O3-WO3二元系线性热敏材料研究

利用激光烧结工艺合成了Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３系列ＮＴＣ热敏陶瓷材料．研究发现,这种陶瓷材料在一定的组分范围和工艺条件下,在较宽的温区内,其阻温特性呈现良好的线性关系．Ｘ－ｒａｙ衍射分析表明,经激光烧结的ＮＴＣ热敏材料中含有Ａｌ２Ｏ３,Ａｌ２（ＷＯ４）３和ＡｌｘＷＯ３相,且此材料中的导电相为钨青铜结构的ＡｌｘＷＯ３．ＡｌｘＷＯ３相是在Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３二元系平衡相图中所没有的．     

2F4特性瓷料中SrTiO3的改性作用

研究了２Ｆ４特性瓷料中加入少量ＳｒＴｉＯ３及ＳｒＴｉＯ３的加入方式对材料介电性能和窑业性能的影响．试验表明，在以ＢａＴｉＯ３－ＣａＳｎＯ３为主的２Ｆ４特性瓷料中加入少量的ＳｒＴｉＯ３有明显的改性作用．ＳｒＴｉＯ３的加入使瓷料居里峰展宽、负温度特性变好、介质损耗降低，耐电强度提高．ＳｒＴｉＯ３加入方式明显影响烧结性能．先将ＢａＣＯ３、Ｓｒ－ＣＯ３、ＴｉＯ２共同合成（Ｂａ１－ＸＳｒＸ）ＴｉＯ３固溶体再进行配料烧结的比用ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３进行配料烧结的有较宽的烧成范围和较好的耐潮性．     

二氧化硅对液相合成(SrPb)TiO_3 基陶瓷热敏特性的影响

研究了二氧化硅对陶瓷材料阻温特性和烧结特性的影响，实验结果表明：烧结助剂二氧化硅的加入可以使材料的烧结温度降低，改善材料的Ｖ型ＰＴＣ复合热敏性能。在１１５０℃烧结时，其最佳加入量ｗＳｉＯ２为５％，材料的最低电阻率为３．１×１０２Ω·ｃｍ     

中温烧结BaTiO_3基多相铁电瓷料X7R特性

采用铋钛低熔物降低ＢａＴｉＯ３基资料的烧结温度。当加入量约０．０５ｍｏｌ时，可实现中温烧结，此过程存在过渡液相烧结。改性添加物Ｌａ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５等在固－液烧结过程中溶－析及Ａ、Ｂ位缺位补偿因溶，使主晶相ＢａＴｉＯ３晶粒形成“核－壳”结构。从ε－Ｔ特性和微观结构分析，探讨了不均匀分布的ＢａＴｉＯ３基多相铁电瓷料具有Ｘ７Ｒ特性的机制。     

激光气相法制备TiO2超精细粉末

利用脉冲红外激光产生的等离子体，诱导反应体系ＴｉＣｌ４／Ｏ２合成了ＴｉＯ２超精细粉末，采用ＩＲ、ＸＲＤ、ＸＰＳ、ＴＥＭ等技术对粉体进行了分析表征，结果表明，ＴｉＯ２超精细粉末粒径在１４０Ａ左右，具有大小均匀，不团聚，粒径尺寸分布窄等优点，由该粉体催化ＣＯ氧化结果表明，对ＣＯ氧化反应具有较高催化活性。     

紫外激光烧蚀SiO2多孔材料的质谱研究

运用飞行时间质谱方法，对ＸｅＣｌ准分子激光烧蚀多种ＳｉＯ２多孔结构材料而产生的团簇进行了研究，在负离子通道中得到了丰富的「（ＳｉＯ２）ｎＸ」＾－团族，实验结果表明延迟时间及材料的多孔网络结构和表面活性基团对「（ＳｉＯ２）ｎＸ」团簇的检测与产生有重要作用。     

溶胶—凝胶技术制备ZrO2陶瓷膜研究

以ＺｒＯＣｌ２·８Ｈ２Ｏ为起始原料，通过溶胶－凝胶技术制备了ＺｒＯ２陶瓷膜。使用ＤＴＡ、ＸＲＤ以及ＳＥＭ等测试手段对其结构进行了分析，同时研究了ＳｉＯ２对ＺｒＯ２陶瓷膜烧结行为的影响。结果表明：ＺｒＯ２陶瓷膜具有高度的择优取向特征；膜烧结过程存在ＺｒＯ２晶相转变，４３０°Ｃ左右ＺｒＯ２四方相开始析晶形成，５５０～７５０°Ｃ温度区域逐渐转变为单斜相；引入ＳｉＯ２后ＺｒＯ２四方相一直到１３５０°Ｃ才转变为单斜相，表现为引入ＳｉＯ２抑制了ＺｒＯ２晶相转变，提高了ＺｒＯ２陶瓷膜的结构完整性。     

ZnCr2O4陶瓷烧结反应机理的探究

用ＴＧ,ＤＴＡ及ＸＲＤ等方法研究了ＺｎＣｒ２Ｏ４－Ｃｒ２Ｏ３陶瓷传感材料,在常温－１０００℃程序升温过程中的化学反应机理及烧结产物的物相结构。     

物理法制备的纳米过渡金属催化剂上CO的氧化（Ⅱ …

用ＴＥＭ、ＸＲＤ等方法研究了蒸发法制备的纳米铜真空热处理后粒子尺寸及晶相的变化。将处理后的铜粒子负载于氧化铝上，考察了对ＣＯ氧化反应的催化活性。结果表明。随真空热处理温度的增加，纳米铜粒子烧结程度增加，尺寸变大，催化活性下降，晶相也由Ｃｕ、ＣｕＯ变为Ｃｕ２Ｏ。     

Sol-gel法合成Bi_(1.6)Pb_(0.3)Sb_(0.1)Sr_2Ca_2Cu_3O_x体系的超导材料的研究

本文用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法合成了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．３Ｓｂ０．１Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系的高ＴＣ超导原粉，对于不同的烧结时间，材料的超导性有不同程度的差异，（超导转变温度为１０８．３～１１６．１Ｋ）并与同种方法合成的Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系进行了比较．用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法，在Ｂｉ系中掺杂Ｐｂ，同样会缩短烧结时间（缩短６０ｈ），促进高温相的形成，同时掺杂Ｐｂ，Ｓｂ，形成超导材料所需的烧结时间进一步缩短（缩短１５３ｈ）．利用ＳＥＭ和Ｘ－ｒａｙ观察和分析了样品的形貌特征和物相结构．Ｓｏｌ－ｇｅｌ法具有工艺简单，烧结时间短，样品颗粒均匀、粒度小、组分易控等优点，在高ＴＣ超导材料中不失为一种行之有效的材料制备工艺．     

钽酸锶铋陶瓷靶的烧结及其薄膜微结构分析

高致密、结晶好的钽酸锶铋陶瓷靶由ＳｒＣＯ３、Ｂｉ２Ｏ３和Ｔａ２Ｏ５粉末混合、预烧、压模和烧结而成，预烧和烧结温度范围分别为９００～１０００℃和１０００～１４００℃。用脉冲准分子激光沉积技术制备得到非晶钽酸锶铋薄膜，在氧气氛下经退火得到多晶钽酸锶铋薄膜。ＸＲＤ分析得到钽酸锶铋薄膜择优取向以（００８）和（１１５）为主；ＴＥＭ分析得到钽酸锶铋薄膜晶界清晰、结构致密，平均晶粒大小约为２０ｎｍ，薄膜的界面清晰、陡峭，厚度约为２００ｎｍ。     

Tl_2Bg_2Ca_2Cu_3O_x单相超导块材的制备

本文研究了Ｔｌ＿２Ｂａ＿２Ｃａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿ｘ（简称２２２３）单相超导块材的制备工艺。Ｘ射线衍射谱的分析和交流磁化率测量结果表明，对于名义组分为Ｔｌ＿２Ｂａ＿２Ｃａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿ｘ的配料，在相当宽的温度范围（８７５℃～９５０℃）内烧结都有２２２３相生成。在８９７℃烧结２ｈ得到了纯的２２２３单相样品，其Ｔｃ（Ｒ＝０）值达１２０Ｋ。     

BaO—PbO—Bi_2O_3－Nd_2O_3－TiO_2系陶瓷的物相和电性能

研究ＢａＯ－ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｎｄ２Ｏ３－ＴｉＯ２五元系统在８００～１２００℃烧结中物相变化和电性能．ＸＲＤ测试数据：１０００℃时ＢａＴｉＯ３消失，主晶相为ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２和Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７，ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４开始出现，１１００℃到１１５０℃，Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２在ＸＲＤ图上消失，ＢａＴｉ４Ｏ９和Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７含量逐渐减少，ＢａＮｄ２ＴｉＯ１４逐渐增加；１２００℃时，ＸＲＤ图谱全部为ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４，证明该系统的主晶相ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４是由Ｎｄ２Ｏ３、ＴｉＯ２对具有微波特性的ＢａＴｉ４Ｏ９改性而得：铅含量增加，主晶相的ａ、ｂ二晶轴缩短．调整各组分及玻璃的含量，获得ε＝９０±５、损耗ｔｇδ≤３×１０－４、绝缘电阻ρｖ≥１０１２Ωｃｍ、电容量温度系数αｃ＝０±１５×１０－６／℃、中温（１１５０℃）烧结的ＮＰＯＭＬＣ瓷料．     

Nb掺杂Ba—Sn—W—O系半导瓷材料特性的研究

研究了Ｎｂ掺杂Ｂａ－Ｓｎ－Ｗ－Ｏ系复合陶瓷材料的显微结构及电导特性。研究表明，该系列材料是主导电相为Ｂａ（Ｓｎ，Ｎｂ）Ｏ３的低Ｂ值ＮＴＣ热敏电阻材料，Ｎｂ２Ｏ５的引入，在烧结过程中可能在两主晶相晶粒的表层分别产生ＶＢａ和Ｖｏ，影响烧结过程中的扩散机制。当Ｎｂ２Ｏ５的引入量约为１．０ｍｏｌ％时，可促进该系列材料烧结成致密瓷。     

A RESEARCH ON THE MEDIUM TEMPERATURE SINTERED BaTiO_3-BASE CERAMIC MATERIAL FOR MLC WITH X7R BEHAVIOR

采用加入Ｂｉ２Ｏ３＿ＰｂＯ＿ＺｎＯ玻璃及Ｂｉ、Ｃｏ、Ｎｂ掺杂的方法，使ＢａＴｉＯ３基铁电瓷料中温烧结（１０８０～１１４０℃）。在实验结果的基础上，探讨Ｘ７Ｒ铁电瓷料中的第二相和晶粒尺寸对ＭＬＣ的ε＿ｔ性能的影响，并研究其烧结机制。     

铋系2234高Tc超导材料掺铁的特性研究

在高Ｔｃ超导体Ｂｉ＿１．６Ｐｂ＿０．４Ｓｒ＿２Ｃａ＿３Ｃｕ＿４（１－ｘ）Ｆｅ＿４ｘＯｙ中，我们发现由于Ｃｕ部分被Ｆｅ元素替代，其超导特性发生改变，样品的电阻——温度关系，交流磁化率——温度关系都与不同Ｆｅ含量有关。同时研究了得到铋系单相性好的超导材料的烧结工艺。     

添加氧化物粉末对FeCr烧结合金交流磁特性的影响

添加氧化物粉末对ＦｅＣｒ烧结合金交流磁特性的影响（日）大同工业大学和大同特殊钢公司技术开发研究所为进一步提高ＦｅＣｒ系烧结合金的交流磁特性，研究了添加ＳＩＯ。、ＣａＯ、ＡＩ。Ｏ。的粉末混合物对低Ｃ的Ｆｅ－１３Ｃｒ－０．ＳＳｉ烧结合金磁性的影响。试验用...     

细晶氧化铝瓷研究

实验研究ＣａＯ－ＭｇＯ－ＳｉＯ２熔块对Ａｌ２Ｏ３瓷烧结的作用结果表明：在２０％ｗｔ％ＣａＯ，３０ｗｔ％ＭｇＯ，５０ｗｔ％ＳｉＯ２区域附近的熔块能很好地促进Ａｌ２Ｏ３瓷的低温烧结；除了第２相对晶界的钉扎作用以及固溶作用外，ＭｇＯ在烧结中的作用能维持ＣａＯ／ＳｉＯ２比，即维持烧结系统中的液相量；Ｌａ２Ｏ３，Ｓｍ２Ｏ３能使Ａｌ２Ｏ３瓷的烧结温度下降大约３０℃，其表面显微结构也有所改善。     

含钌氧化物靶的制备与电性能测试

本文报导了以水合ＲｕＯ２为原料而采用固相反应、烧结工艺制备脉冲激光沉积用ＲｕＯ２、ＢａＲｕＯ３、ＳｒＲｕＯ３靶材的工艺。首次报导了烧结的ＢａＲｕＯ３多晶材料的导电特性在室温附近由半导体向金属转变。