硅基钠米材料发光特性的研究进展

近年，硅基低维材料物理与工艺的研究预示，硅基光电子学将是今后半导体光电子学的一个主要发展方向，而硅基低维发光材料又将成为半导体光电子集成技术的主要基础材料。随着硅基超晶格、量子阱和多孔硅研究的不断深化以及纳米科学技术的日益发展，硅基发光材料正向纳米方向开拓。本文将主要介绍硅基纳米材料，如采用各种成膜技术在不同衬底表面上制备的高质量纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）膜，镶嵌在各种介质，如　－Ｓｉ：Ｈ、ＳｉＯ２或ＳｉＮｘ中的纳米晶硅，以及利用自组织生长的Ｇｅ、Ｓｉ以及ＧｅＳｉ纳米量子点的光致发光特性及其最近研究进展。     

Si基光子材料的探索

Ｓｉ基光子材料是以适应各种新型微电子、光电子器件的需要和发展的世界范围内半导体领域中出现的人工设计的材料，因此，对光子材料的探索引起了人们极大的兴趣。综述了二十世纪末Ｓｉ基光子材料的探索途径、现状与进展。     

硅基场发射阴极材料研究进展

场发射显示技术在原理上具有多种优越性能,可能在未来平板显示技术中居主导地位。硅基场发射阴极易于与其周边驱动电路实现集成,因而更具有明显的开发前景。在综述硅基场发射阴极材料最新研究进展的基础上,就其所面临的问题、可能的解决方案和未来的发展趋势做出了评述。     

新型硅基分级孔材料的制备及其孔隙结构

近年来,应用于多种领域的地质聚合物等硅基多孔材料引起广泛关注,其主要功能成分水化硅酸钙(CSH)的结构对这类材料的性能起决定性作用.然而此类材料的低衍射特性导致其纳米结构研究及可控制备难度较大,现有研究多集中于晶态硅酸钙的制备及应用.采用低温水热法制备了半晶态多孔型水化硅酸钙(PCS),利用XRD、FT-IR、SEM、...     

锂离子电池硅基负极研究进展

锂离子电池因其高能量密度的优点在能源领域发展迅速.硅基负极由于其高理论比容量被视为是继石墨之后最具发展前景的负极材料,但是硅基负极在嵌脱锂过程中会发生严重的体积膨胀,导致电池容量的衰减和库伦效率的下降,影响了其商业化应用.本文综述了硅基负极的工作原理以及面临的问题挑战,重点从硅基负极的结构设计与改性、粘结剂的开发以及电解液添加剂三个方面对硅基负极进行了系统的阐释,并对其今后的发展趋势进行展望.     

射频等离子体功率参数对硅基发光薄膜生长与结构的影响

采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以SiH4和Ar的混合气体为源气体,在石英玻璃衬底上制备了硅基发光薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和傅里叶红外光谱(FTIR)对薄膜的形貌、结构和性能进行了表征,并利用发射光谱(OES)对薄膜等离子体生长过程进行了分析.研究结果表明,随着射频功率的增加,等离子体发射光谱中Hβ谱线强度激增,薄膜的红外光谱中Si—O键在1095cm-1处振动吸收峰强度减小,Si—Si键在613cm-1处特征吸收峰强度增加,说明射频功率增加加剧了硅烷的裂解与氧化硅的还原,提高了薄膜结晶度和纳米晶粒的融合度,并降低了沉积薄膜的表面粗糙度.     

改性硅基介孔材料去除废水中重金属研究进展

对硅基介孔材料的功能化改性进行了系统的分析调研.在概述硅基介孔材料基本性质和改性条件的基础上,总结了对其进行改性的三类主要方法及其改性原理,包括无机、有机、无机-有机复合改性.针对各类改性方法,详细综述了硅基介孔材料改性前后性质的变化特点,以及对重金属的吸附效果和吸附机理,并对改性硅基介孔材料吸附重金属的关键影响因素进行了探讨.     

硅基介孔材料的合成及表征

本文重点介绍了硅基介孔材料的特性、合成机理、表征方法、改性和应用。通过分析表明，硅基介孔材料是一种新的具有巨大潜在应用前景材料。并指明了硅基介孔材料的发展方向。     

硅基介孔材料的合成及表征

本文重点介绍了硅基介孔材料的特性、合成机理、表征方法、改性和应用。通过分析表明,硅基介孔材料是一种新的具有巨大潜在应用前景材料。并指明了硅基介孔材料的发展方向。     

2019年熔盐电解法制备硅基能源材料热点回眸

介绍熔盐电解法制备硅材料及其在能源领域的应用,并回顾其2019年的基础研究进展。熔盐电解方法可以在较温和的温度下通过电化学还原氧化硅实现硅纳米材料的大规模制备,得到的硅纳米材料纯度和形貌可控,能够用于硅基光伏材料以及锂离子电池负极材料。     

基于激子理论的硅基位错环发光器件模型参数的计算

针对硅基位错环发光器件,根据激子理论的速率方程描述了发光二极管的光电特性,提出了一种模型参数的计算方法,建立了便于计算机仿真的HSPICE模型,计算的参数与已报道的实验基本一致,特别是理想系数大于2,束缚激子的热激活能级为6．3meV,自由激子复合概率和束缚激子分裂概率的比为0,006等参数比较符合物理事实．并得到了束缚激子和自由激子的发光强度与温度和注入电流的相互关系、结果表明激子在位错环发光器件中具有重要作用。     

硅基介孔材料负载手性金属催化剂的研究进展

近年来,以有序的介孔硅基材料为载体报道的负载手性金属催化剂受到了广泛的关注,它们的易制备、高活性和可重复利用特点也为其工业化提供了可能.简要综述了硅基介孔材料的负载策略及常见的硅基介孔材料负载手性金属催化剂.     

Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体薄膜材料的热壁外延生长

本文利用改进了的热壁外延装置，在ＧａＡｓ衬底上外延生长了ＧｄＴｅ，ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ，ＺｎＳ等半导体单晶薄膜，ＺｎＳｅ／ＺｎＳ，ＺｎＳＳｅ／ＺｎＳｅ异质结构和ＺｎＳ／ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ／ＺｎＳｅ超薄层、多层结构。ＳＥＭ，ＥＭＰＡ，ＸＲＤ及ＰＬ等分析测试结果表明，所生长的半导体薄膜材料具有良好的结晶学性质和光学性质。     

SBA－16硅基介孔材料结构对Cd^2＋吸附性能的影响

分别采用一步法和两步法,在不同酸性介质中设计合成了Im3m结构的SBA-16硅基介孔材料,并通过XRD、TEM、氮气吸附-脱附、29Si固体核磁等手段进行了表征,研究SBA-16硅基介孔材料合成条件和结构对溶液中Cd2+吸附性能的影响.结果表明:在相同条件下,SBA-16硅基介孔材料的孔径越大、比表面积越高、孔壁表面Si-OH的数量越多,对Cd2+的吸附性能越佳.     

离子液体键合固载硅基材料的辐射制备及其在锝/铼吸附分离中的应用

介绍了利用电离辐射技术将不同结构的离子液体接枝固载到硅烷化二氧化硅上,成功制备出一系列吸附性能优异且耐辐照性能好的新型吸附材料;系统研究了其吸附TcO₄^-/ReO₄^-的性能与结构之间关系,分析了吸附机理并评估了其应用前景．离子液体键合固载硅基材料对TcO₄^-/ReO₄^-的吸附性能受合成方法、离子液体阴阳离子种类和硅基材料结构的影响．离子液体键合固载硅基材料后续可以从增强选择性、拓展离子液体种类、探究实际应用效果等方面进行研究．     

新型芴取代喹喔啉电子传输材料的合成及其发光性能表征

由2,3-二芴基取代的双酮结构,合成出两种2,3-二芴基取代的含氟取代基的喹喔啉类小分子S1和S2.新的化合物因为含有氟取代基和喹喔啉结构使得整个分子呈缺电子状态,同时烷基取代的芴使得材料具有良好的溶解性.新的化合物的热分解温度都在400°C以上.测量了由新的化合物作为电子传输材料器件的电流密度-电压-亮度曲线,在相同电压下,四氟取代化合物的电流密度、亮度和效率要明显高于二氟取代的化合物,四氟取代化合物的器件在电压为15 V时的亮度可达到5703 cd/m2.     

位阻型咔唑/芴双极性主体材料的设计、合成及其发光器件

<正>我校化学化工学院赵祥华博士获批2014年国家自然科学基金项目:位阻型咔唑/芴双极性主体材料的设计、合成及其发光器件,项目批准号:61405170.磷光有机发光二极管(PhOLEDs,phosphciresceiu organic light emitting diodes)因颜色可调、高效发光、合成简洁高效等诸     

EF／TEBA存在下六甲基二硅胺烷和芳香醛的反应及其产物三芳基缩二胺的氧化反应

六甲基二硅胺烷（ＨＭＤＳ）在ＫＦ／苄基三乙基氯化铵（ＴＥＢＡ）体系中．与不同的芳香醛反应均可以获得三芳基缩二胺．后者经高猛酸钾、Ｎ－澳代丁二酰亚胺（ＮＢＳ）或者２，３－二氯－５，６－二氰基对苯醌（ＤＤＱ）氧化，都能得到三芳基取代均三嗪化合物．本文还对反应机理进行了探讨．     

含N-己基吩噻嗪和N-己基咔唑基团的联苯乙烯类有机发光材料的合成及其性能研究

 联苯乙烯类衍生物被认为是一类具有实用价值的蓝光电致发光材料,它具有较优异的综合性能。 以联苯乙烯为基础,利用Wittig-Horner反应分别引入N-己基吩噻嗪和N-己基咔唑基团,合成了两种联苯乙烯衍生物。利用核磁共振氢谱（ 1H NMR）、傅立叶红外光谱（FT-IR）、质谱（MS）和元素分析（EA）对所合成产物进行了化学结构的表征;利用紫外吸光光度法（UV）、荧光分光光度法（PL）、热重分析（TGA）、示差扫描量热法（DSC）、热台偏光显微镜（PLM）和X-射线衍射（XRD）对产物的性能进行了初步的表征。结果表明：所 合成的两个化合物在紫外光激发下均能发射高亮度荧光;具有较高的热稳定性;两个化合物均不能结晶,易溶于二氯甲烷等有机溶剂,并且容易成膜,非常适合于旋涂法制备OLED器件;其中含 吩噻嗪基的化合物在熔融或冷却过程中均能观察到近晶A型液晶织构。