室内环境中子能谱及剂量率的多球谱仪测量

利用自主研发的多球中子谱仪对北京市某室内环境中子能谱及剂量率进行了测量。从中子能谱获得了能量低于20MeV的环境中子注量率为2.83×10~(-3)cm~(-2)·s~(-1),估算出环境中子总注量率为3.54×10~(-3)cm-2·s~(-1);利用中子注量与周围剂量当量转换系数计算出了能量低于20MeV中子周围剂量当量率为(1.5±0.1)nSv/h,总中子周围剂量当量率为(2.1±0.1)nSv/h,与中子剂量仪测量值(2.3±0.2)nSv/h基本一致。该文测量结果与相近纬度比较相差不多,可以为评估北京室内环境中子剂量提供参考。     

慢化体材料对加速器BNCT束流装置中子品质影响研究

基于加速器中子源的硼中子俘获治疗(BNCT)是一种较好的肿瘤治疗技术,通过慢化得到的超热中子可用于非浅表肿瘤BNCT治疗.本文以2.3 MeV、10 mA质子流强的7Li(p,n)7Be中子源为对象,建立了加速器BNCT束流装置模型,采用中子输运程序MCNP研究了慢化体材料对超热中子束流品质的影响.结果表明:采用重水作为慢化体材料可有效的提高束流出口处超热中子水平,对于2.3 MeV、10 mA质子流强的7Li(p,n)7Be中子源,超热中子束流水平为0.669×109n/(cm2.s),超热中子与快中子产额比达62.3,基本达到临床治疗所需109n/(cm2.s)的超热中子水平.     

14.6MeV中子的^56Fe（n,p）^56Mn反应截面

本文评价了14.6MeV 中子的~(56)Fe(n,p)~(56)Mn 反应截面,评价值为(109.6±0.6)×10~(-27)cm~2。又报告了利用我校400kV 高压倍加器 D-T 中子源的测量工作。中子通量密度是用~(27)Al(n,p)~(27)Mg 和~(63)Cu(n,2n)~(62)Cu 反应截面进行刻度的.~(56)Mn 的γ放射性是利用 NaI谱仪和高纯锗多道谱仪进行测量的。经修正后的测量结果为(110.7±1.9)×10~(-27)cm~2,在误差围内与评价值相符。     

掺钆液闪探测器用于锦屏地下实验室的快中子本底测量

文章采用掺杂0.5%Gd液闪探测器测量了中国锦屏地下实验室(CJPL)的快中子本底通量及中子能谱.掺钆液闪探测器对于核反冲信号和电子反冲信号优异的甄别性能用于中子候选事例的筛选,并采用钆对热中子的俘获特性进行时间甄别.对有效采数时间为206 d的数据进行分析,获得锦屏地下实验室的聚乙烯室(PE)内1～10 MeV快中子通量为4.45×10~(-8)cm~(-2)·s~(-1).采用相似的方式分析了掺钆液闪探测器(Gd-Ls)中天然放射系的α本底程度,来源于~(238)U,~(235)U,~(232)Th的α粒子含量分别为(0.0227±0.0001) s~(-1),(0.0329±0.0001) s~(-1)和(0.1471±0.0002) s~(-1).与世界上其他深地实验室的快中子通量进行对比,CJPL的快中子通量处于极低水平,是进行稀有事例测量实验的理想场所.     

热中子俘获反应对相应的快中子(n,2n)反应截面测量的影响

以14 MeV快中子引起的52Cr(n, 2n)51Cr反应截面的测量为例,研究热中子俘获反应对相应的快中子(n,2n)反应截面测量的影响.为比较热中子俘获反应50Cr(n, γ)51Cr对相应的快中子52Cr(n, 2n)51Cr反应截面测量的影响,在对样品包镉和不包镉两种情况下,分别测量了14 MeV中子引起的52Cr(n,2n)51Cr反应截面.单能中子用T(d, n)4He反应获得,中子通量用监督反应93Nb(n, 2n)92mNb测量,而中子能量通过93 Nb(n, 2n) 92mNb和90Zr(n, 2n) 89m＋gZr截面比法测定.将本实验结果与尽可能收集到的其它作者发表的数据进行了比较.     

2.8 MeV中子引起的~(232)Th(n,γ)~(233)Th反应截面的测量

用中子活化法和离线γ能谱测量技术对2.8MeV中子引起的~(232)Th(n,γ)~(233)Th反应截面进行了测量.2.8 MeV强流中子由D-D中子发生器获得,中子注量率的波动通过测量伴随~3He粒子得到;中子的平均能量通过~(64)Zn(n,p)~(64)Cu和~(115)In(n,n′)~(115m)In的反应截面比得到.γ能谱采用低本底高分辨率高纯锗伽马谱仪进行测量.实验结果与已发布的截面数据及评价核数据库ENDF/B-Ⅷ.b4、JENDL-4.0u+和CENDL-3.1的数据进行了比较.利用模型程序TALYS-1.8对~(232)Th的中子俘获反应激发函数曲线进行理论计算,并与实验数据和评价数据进行了对比分析.     

13.5～14.8 MeV能区中子引起的203T1(n,2n)202T1反应截面的测量

用活化法以93Nb(n,2n)92mNb反应截面作为中子注量的标准测量了13.5-14.8 MeV中子引起的203T1(n,2n)202T1的反应截面值.14MeV中子由T(d,n)4He反应得到,中子能量通过93Nb(n,2n)92mNb和90Zr(n,2n)89m gZr截面比法测定.测得了分别由(13.5±0.3),(14.1±0.2),(14±8±0.3)MeV中子引起的203T1(n,2n)202T1反应截面值分别为(1 829±83),(1 884±109),(2016±105)mb.并与其他人的测量结果和JEFF-3.1评价数据库进行了比较.     

T(d,n)~4He反应的中子能谱的测量和模拟计算

本文描述用飞行时间谱仪对T(d,n)~4He反应的α关联中子能谱和角分布的测量,以及介绍对这些中子能谱的蒙特卡罗模拟。在计算中考虑了氘在氚-钛靶的多次散射。对发射中子谱自寺和关联中子平均能量的计算结果分别与Pavlik等人的计算结果和我们的实验结果很好地符合。     

井壁超热中子测井MC模拟

在 MCNP的基础上 ,开发了井壁超热中子时间谱测井蒙特卡罗 (Monte Carlo)模拟软件包 .裸眼井、井眼里无下井仪器、淡水饱和砂岩地层、井眼注淡水 ;油饱和砂岩地层、井眼注油 ;油饱和砂岩地层、井眼注淡水 ;淡水饱和灰岩地层、井眼注淡水与淡水饱和白云岩地层、井眼注淡水 ,及裸眼井、井眼里有下井仪器、淡水饱和砂岩地层、井眼注淡水等条件下 ,计算井壁超热中子时间谱随孔隙度的变化 ,同时可得到井壁超热中子总通量随孔隙度的变化 ,结果证明井壁超热中子时间谱测井或井壁超热中子测井是确定地层孔隙度最有效的方法 .在此基础上 ,再研究井壁超热中子时间谱测井仪或井壁超热中子测井仪的工程参数 .     

~(65)Cu(n,2n)~(64)Cu,~(63)Cu(n,α)~(60)Co 和~(46)Ti(n,p)~(46)Sc反应截面测量

本文用活化法以~(27)Al(n,α)~(24)Na 反应截面为中子注量标准,测得的14.9 MeV 中子~(65)Cu(n,2n)~(54)Cu 和~(46)Ti(n,p)~(46)Sc 反应截面分别为9334±32和297±10mb,测得的14.62MeV中子~(63)Cu(n,α)~(60)Co 反应截面值为42.3±1.5 mb.单能中子由 T(d,n)~4He 反应获得,中子能量是用铌锆截面比法测定的.在文中还把本文的结果与其他一些作者的数据进行了比较.     

14.8 MeV中子引起的172Yb(n,p)172Tm,173Yb(n,p)173Tm,170Yb(n,2n)169Yb和176Yb(n,2n)175Yb的核反应截面测量

用活化法以93Nb(n,2n)92mN反应截面为中子注量标准,然后对172Yb(n,p)172Tm,173Yb(n,P)173Tm,170Yb(n,2n)160Yb,176Yb(n,2n)175Yb的反应截面进行了测量,测得由(14.84±03)MeV中子引起的173Yb(n,p)172Tm的反应截面为(9.4±L0.9)mb,173Yb(n,p)173Tm的反应截面为(3.64±0.2)mb,170Yb(n,2n)169Yb的反应截面为(2 130±81)mb,176Yb(n,2n)175Yb的反应截面分别为(2169±81)mb.把测量的数据和其他作者的数据进行了比较,且利用HFTT程序计算了中子能量在7～18 MeV范围内两个(n,2n)反应和中子能区在5～30 MeV内两个(n,p)反应的截面,给出了这4个核反应的激发函数曲线.     

Kinetics of C_2(a~3Π_u)radical reactions with NO,N_2O,O_2,H_2 and NH_3

Pulsed laser photolysis/laser-induced fluorescence (LP-LIF) is utilized to measure rate constants for C_2(a~3(multiply from)_u) reactions with NO, N_2O, O_2, H_2 and NH_3. Multiphoton dissociation of C_2CI_4 at 266 nm is employed for the generation of C_2(a~3(multiply from)_u) radicals. The C_2(a~3(multiply from)_u) concentration is monitored by the fluorescence of the (0, 0) band of the (d~3(multiply from)_g←→a~3(multiply from)_u) transition at 516.5 nm. C_2(a~3(multiply from)_u) removal rate constants for the reactions are determined as k_(NO)=(5.46±0.10)×10~(-11)cm~3molecule~(-1)s~(-1), k_(N_2O)=(1.63±0.20)×10~(-13)cm~3molecule~(-1)s~(-1), k_(N_2O)=(1.58±0.16)×10~(-11)cm~3molecule~(-1)s~(-1), k_(O_2)=(5.92±1.00)×10~(-14)cm~3molecule~(-1)s~(-1), k_(H_2)<1.0×10~(-14)cm~3molecule~(-1)s~(-1). Based on the data analysis and theoretical calculation, we suggest that the C_2(a~3(multiply from)_u) reactions with H_2 and NH_3 proceed via the hydrogen abstraction mechanism, barriers exist at the entr     

基于n-γ反应的中子探头设计

为了使用现有γ谱仪探测中子,设计了一种n-γ反应中子探头。构建几何模型,利用MCNP4B程序,仿真中子在轻材料中的输运过程。根据仿真计算结果以及物质形态的要求,选定聚乙烯作为探头的最佳组成材料。描绘了聚乙烯厚度均匀增加时(n,γ)反应截面的变化规律,同时在综合考虑了中子探测效率、中子对探头损伤作用、测量误差以及中子散射作用等因素后,最终确定探头的底厚和壁厚最佳尺寸均是7.0 cm。     

ST401塑料闪烁体中子探测效率刻度及相对发光产额的测定

作者在四川大学原子核科学技术研究所2.5MeV静电加速器上，利用^3H(p,n)^3Li和^2H(d,n)^3He核反应作为中子源，在0.6-5MeV中子能区内的5个中子能点，对直径为40mm，厚度分别为5mm,10mm和20mm的ST401塑料闪烁体的中子探测效率进行了刻度，并测定了相对发光产额。在实验中，中子注量是采用金活化法并用长计数器计数归一的方法确定的。     

14.7MeV中子在Al核上的小角弹性散射微分截面

小角区实验测量难度较大,技术要求高,因此,小角数据多半是根据中间角区数据理论外推所得.但有些实验数据与理论计算不符.金属铝及其合金具有较低的热中子吸收截面,有较好的抗腐蚀性能和加工性能,价格低廉,在反应堆中得到广泛应用.我们应用快中子位置灵敏谱仪,测量了14.7MeV中子在铝核上的小角散射截面.所得数据,用蒙特卡罗(Monte-Carlo)方法进行中子通量衰减、多次散射修正,与国外发表数据相比较,符合较好.     

用中子飞行时间分析氢同位素深度分布

论述了一种注入或者吸附在材料中的氚和氘的深度分布的测量方法.样品为氚(钛)靶和氘(钛)靶.用2MeV入射质子束,T(p,n)反应研究氚的深度分布;用1MeV入射氘束,D(d,n)反应研究氘的深度分布.用标准的飞行时间方法测量中子能谱。由中子能量确定起反应的质子或氘核的能量。进而得出氚或者氘在钛层中的深度分布.本方法的灵敏度可达0.1at.％.对氚(钛)靶,当靶厚为5mg/cm~2时,深度分辩好于0.5mg/cm~2.     

强流离子束辐照加热过程的数值计算

考虑瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了强流恒定离子束辐照过程的温度效应.由温升曲线的计算可知,对中等以上的注量率(>10~(13)cm~(-2)s~(-1))来说,快速注入过程都将是非稳态的,由此可知对强流离子束辐照过程进行瞬态热传导分析是必要的.若注量固定,晶片表面温度与离子能量的关系在低能部分(<100keV)很平缓,在高能部分很陡峭,在大注量注入情况下,降低靶座温度以抑制晶片表面温升是可行的方法之一.     

^96Zr（n,2n）^96Zr反应截面测量

锆是 D- T聚变堆不可缺少的材料之一 ,详细研究 9 6Zr( n,2 n) 95Zr反应截面 ,对聚变堆的设计、安全运行和维修都有非常重要的意义 .在 1 4Me V能区 ,对这一反应截面 ,曾有许多人进行过测量 ,我们能够收集到的数据 [1～ 7]有分歧 ,所以进一步精确测量 96Zr( n,2 n) 95Zr反应截面是十分重要的 .1实验过程样品照射是在兰州大学 ZF- 30 0 - 型强流中子发生器上进行的 ,以 T( d,n) 4 He反应作中子源 ,平均氘束能量 Ed=1 2 5 ke V,束流强度 Id≈ 2 0 m A,氚—钛靶厚为 0 .9mg/cm2 ,中子产额变化用铀裂变室监督 ,以便对中子注量波动进行修…     

反应堆压力容器钢辐照硬化脆化的中子注量率效应

 针对中子注量率对核电站反应堆压力容器(RPV)钢辐照硬化脆化的影响,总结了不同铜含量RPV 钢的辐照硬化脆化的中子注量率效应.结果表明,在低铜(Cu≤0.08%)和高铜(Cu>0.08%)RPV 钢中,中子注量率对辐照硬化脆化有不同的作用结果.在中子注量率≤1×10¹² n·cm^-2·s^-1(E>1 MeV)的条件下,中子注量率对低铜RPV 钢辐照硬化脆化无明显影响,在>1×10¹²n·cm^-2·s^-1(E>1 MeV)的条件下,尚无确定结论;高铜RPV 钢辐照至富铜团簇硬化平台后,注量率对硬化脆化无影响,而达到辐照硬化平台之前,注量率对辐照硬化脆化有不同影响.     

芘衍生物有机半导体分子的电荷传输性质

使用密度泛函理论在B3LYP/6-311++G**理论水平计算芘及其五个衍生物分子的电荷传输速率.结果显示:在芘分子中引入OH、CH_3O、F和C≡N、CH≡C不饱和键基团将影响电荷传输性能.引入具有不饱和键基团可以设计成有机半导体分子.五个衍生物分子中,引入C≡N的分子空穴传输速率最大,为4.511cm~2·V~(-1)·s~(-1).引入CH≡C的分子电子传输速率最大,为2.443cm~2·V~(-1)·s~(-1).