锗和砷化镓隧道二极管某些参数的温度关系

§1.引言隧道二极管峰值电流L_p,峰值电压V_p和結电容C等参数随温度变化規律的研究,在理論上及应用上都有一定的意义。理論上可以提供簡并半导体能带結构及簡并p-n結內电流傳輸机构的知識,实用上可以提供設計参数几乎不随温度变化的隧道二极管的資料。锗隧道二极管峰值电流与温度关系已发表了許多研究結果。总括起来,在4.2°K     

锗隧道二极管的实验研制

一、引言隧道二极管在无线电技术领域中,显示了广泛应用的可能性。由于应用上对隧道二极管的基本参数提出了各种要求,因此,有必要探明控制隧道二极管基本特性的可能性。本工作根据隧道二极管的制备原理,为了满足应用上对电流峯谷比大、电压摆幅大和时间常数小的要求,寻找其制备的最佳条件,并在此过程中建立及查明其基本参数的可控制条件。我们是按合金法制备锗隧道二极管的,结合实验室具体情况,分别控制:底片浓度、合金成分、熔合温度三个因素中的任意二个,而改变其它一个。p-n 结     

多声子隧道电流理论

Holonyak在硅的隧道二极管低温电流特性上观察到相应于发射两个声子的“阶梯”(在这偏压值有电流的陡增)。其后,Chynoweth等通过隧道电流对偏压的二次微商的测量更明显地证实在锗、硅中都有联系着多个声子的发射(或吸收)的隧道电流过程。他们的实验结果如下表,第二行是他们根据和声子频谱的比较而确定的所发射的声子的类型;第三行是声子的能量值;第四行是相对强弱。     

锗隧道结中杂质隧道电流的温度关系

在77-300°K的温度范围里,测量了掺As锗隧道结峰值电流的温度关系。将实验结果与二级过程的杂质隧道电流理论作了比较。并且发现经非均匀结电场修正以后的公式能更好地符合实验结果。     

对二极管电流方程中m值测定的研究

对二极管电流方程在实际应用中存在的问题进行了分析。实验表明,二极管电流方程中的m值是随正向电压、电流变化而变化的量。对于锗二极管,m存在一个最小值,对于硅管,m值随正向电压与电流的增大而增大。     

锗隧道二极管基本参数均匀性问题的初步探讨

一、引言隧道二极管参数的一致性差,增益小,输出与输入隔离性不好,是其最大的缺点,这除通过电路技术得到克服外,在隧道二极管的研制问题上,对其参数均匀性控制问题进行探讨是有实际意义的。关于如何控制隧道二极管基本性能参数问题,许多文献有过不少报导。其中例如:1963年等人研究了锗的掺杂浓度对隧道二极管参数的影响,提出了通过选择     

金铂双掺杂快恢复二极管特性的研究

掺金 (Au)和掺铂 (Pt)技术已被广泛用于减小硅中少数载流子的寿命 .掺金器件的VF～trr特性优于掺铂器件 ,但高温反向电流远大于掺铂器件 .作者通过金铂双掺杂技术 ,得到了VF～trr特性和高温反向漏电流介于单独掺金和掺铂快恢复二极管之间的结果 ;并通过全面衡量器件各参数认为 ,金铂双掺杂技术有利于器件参数的优化 .     

二十微微秒开关隧道二极管的研制

本文简述了隧道二极管的工作原理,分析了用作高速脉冲讯号源用的隧道二极管的若干基本要求,探讨了制备成所需指标的可能工艺,指出了用平面工艺可以完成性能甚为优越的超高速开关锗隧道二极管,给出了基本工艺条件及试制的初步结果,表明了用平面工艺可制备成当前最快速脉冲讯号源用的开关隧道管。     

表面处理对锗晶体管的特性和稳定性的影响

在制备锗点接型晶体二极管时,锗片先以稳态过氧化氢作化学腐蚀,然后用20%KOH 电解液进行电解,则电学特性和稳定性有所改进。如果在过氧化氢化学腐蚀后再以 AgNO_3加 KNO_3电解液用小电流作电解,然后用大电流进行阳极钝化,则可获得更好的特性和稳定性。合金结 P-N-P 晶体三极管采用苏联ΦΓ9或国产ΦΓ9作涂料,在高低温特性,防潮性及电学特性和稳定性方面,不如用国产ΦΓ9与硫化清漆的混合物作涂料可以得到较好的效果。文中讨论了阳极钝化及掺硫的涂料对晶体管特性和稳定性的作用。     

氧化硅-锗系统中缺陷的形成及转换

应用光吸收和电子顺磁共振等方法,对溶胶-凝胶法制得的氧化硅一锗玻璃的异常光吸收现象进行了实验研究,分析了掺铝氧化硅一锗玻璃光敏中心及其转化过程,并对紫外光辐照条件下氧化硅一锗玻璃中顺磁中心[GeO-4/Li ]0的形成及其性质进行了探讨.结果表明,在掺铝样品中发生了从锗相关的氧缺陷中心到E'中心的光化学转换.     

扩散法掺金锗开关二极管的研究

R.H.Kingston和B.Lax对二极管的开关性能曾做出了详细的研究。根据这一理论,减小反向恢复时间的主要途径是减小材料少数载流子的寿命。我们采用n型锗用扩散法掺金     

柔性Ag-Zn纸基电池的制备及其湿敏特性研究

采用多孔吸附离子特性的滤纸结合选择性喷墨打印技术在FP表面实现图形化的Ni/Au金属薄膜修饰,并用作Ag-Zn纸基电池的集流体。通过无电镀Ag和电沉积Zn技术制备了FP/Ni/Au/Ag电极和FP/Ni/Au/Zn电极,实现了Ag-Zn纸基电池的制备。通过SEM和XRD等测试对制备的金属薄膜的结构和组成进行分析。并对所制备的Ag-Zn纸基电池的性能进行了研究。结果表明,在0.5mA·cm~2电流密度放电条件下,电容可达0.08 mA·h·cm~(-2)。还进一步研究了湿度对干法电池输出电流的影响,研究发现在相对湿度30%-90%范围内,电流变化3个数量级,拐点与电解质的潮解相对湿度(φ_D)和风化的相对湿度(φ_E)吻合,且具有良好的重复性。     

TiN纳米管阵列/金属电极的构筑及其电催化性能

通过阳极氧化在金属钛上生长氧化钛(TiO2)纳米管阵列(NTAs),再经氨-氮化制得氮化钛(TiN)纳米管阵列.利用多电流阶跃法,使金属镍(Ni)均匀沉积在TiN-NTAs表面,形成多孔Ni@TiN-NTAs电极.通过等离子溅射,在电极上沉积Au层,可分别获得Ni@TiN-NTAs、Au@TiN-NTAs和Au/Ni@TiN-NTAs系列微结构复合电极.借助X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和能谱分析(EDS)等手段对各产物进行了综合表征,并分别研究了这些电极在偏硼酸钠(NaBO2)碱性溶液中的电化学行为.研究结果表明:所得TiO2和TiN纳米管孔道结构规则,物相纯度较高,对过渡金属(Ni、Au)具有良好的负载和分散作用.在给定电解条件下,Au/Ni@TiN-NTAs表现出较低的电催化活性,但3种电解产物中均未检测到BH-4.     

二氧化锗纳米线的制备与喇曼光谱

以Au作催化剂通过在空气中将金属锗加热到550～800℃,在单质锗表面原位大面积生长出了GeO2纳米线.采用扫描电镜和激光喇曼光谱对产物进行了表征分析.结果表明,GeO2纳米线为六方相结构,长度可达30 μm.通过改变加热温度,纳米线的直径可在110～170nm 范围内调节.提出了可能的生长机理以说明GeO2纳米线的形成.并且在GeO2纳米线的喇曼光谱中观察到了声子限制效应.     

锗废渣掺量对水泥及膏体水化凝结的影响规律

研究锗废渣掺入水泥及膏体后对其水化凝结规律的影响.将锗废渣以不同比例掺入水泥,经研究发现锗废渣不同掺量可以对水泥水化凝结起到调节作用.在此基础上,将尾砂和锗废渣以不同比例配制成膏体,发现锗废渣对膏体凝结起到了促凝的作用,而且掺量越大,效果越明显.经分析认为,锗废渣的掺入使水化反应生成更多的钙矾石,从而降低尾砂中Zn2+对膏体的缓凝作用.这为进一步研究将锗废渣掺入膏体调节膏体凝结时间提供理论依据.     

Au-Sn焊点异质界面的耦合反应及其对力学性能的影响

为了探讨Au-Sn异质焊点耦合界面反应对界面IMC层生长行为及焊点力学性能的影响,采用回流焊技术制备Ni/AuSn/Ni和Cu/AuSn/Ni三明治结构焊点,通过扫描电子显微镜(SEM)与能谱分析(EDS)研究焊点在钎焊与老化退火中的组织演变。研究结果表明:在钎焊中Ni-Ni焊点的Au Sn/Ni界面形成(Ni,Au)_3Sn_2金属间化合物(IMC)层,而Cu-Ni焊点的AuSn/Ni界面形成(Ni,Au,Cu)_3Sn_2四元IMC层,表明钎焊过程中上界面的Cu原子穿过Au Sn焊料到达Ni界面参与耦合反应。在老化退火中,界面IMC层的厚度l随退火时间t延长而逐渐增大,其生长规律符合扩散控制机制的关系式:l=k(t/t_0)~n。在160℃和200℃退火时,(Ni,Au)_3Sn_2层的生长以晶界扩散和体积扩散为主。由于Cu原子的耦合作用,(Ni,Au,Cu)_3Sn_2层的生长以反应扩散为主。Cu-Ni异质界面焊点中,Cu的耦合作用抑制了Au Sn/Ni界面(Ni,Au,Cu)_3Sn_2IMC层的生长,减缓了焊点剪切强度的下降速度,有利于提高焊点的可靠性。     

Hg_1_XCdxTe光电二极管RoA因素分析

本文对影响n~+—p型Hg_(l-y) Cdx Te光二极管R_oA值的因素(扩散电流和隧道电流)进行了分析,并扩充了Reine等人关于n~+区少子电流的理论;用K·P方法和单边突变结模型分析了Cd、Hg相对含量(X)的分级不均匀变化对直接隧道电流的影响;且用非均匀电场模型讨论了陷阱协助隧道电流及X分级不均匀变化对其影响。     

FeNiN薄膜的制备及结构与磁性分析

为了提高 Fe Ni化合物的饱和磁化强度 ,采用离子束辅助溅射沉积的方法对 Fe Ni薄膜进行掺氮 (N)的研究。实验中发现 ,掺氮后所生成的 Fe Ni N薄膜在结构上同 Fe Ni合金有相似之处 :N不与 Ni化合 ;在小掺镍量下 Ni以替代方式存在于薄膜中 ,在大的掺镍量下 Fe Ni N薄膜将有特定的相变发生。在磁性方面 ,得到了饱和磁化强度为 2 .0 T的Fe Ni N薄膜。     

4H-SiC肖特基势垒二极管温度特性研究

采用平面工艺，用高真空电子束分别蒸发金属Ni、Ti做肖特基接触，采用多层金属Ni、Ti、Ag合金做欧姆接触，制作出Ni／4H—SiC、Ti／4H—SiC肖特基势垒二极管(SBD)．研究了在-100～500℃之间器件正向直流压降与温度变化的关系．实验表明：当通过肖特基势垒二极管的正向电流恒定时，器件正向直流压降随温度变化具有线性关系，斜率约为1．8mV／℃，由此，提出了以4H—SiC肖特基势垒二极管为基础的高温温度传感器模型．     

铒镱共掺光纤折射率与元素分布均匀性研究

针对改进的化学汽相沉积工艺结合稀土螯合物高温气相掺杂法制备的双包层铒镱共掺光纤,通过研究铒镱共掺光纤预制棒的芯层沉积层数、每一层芯层反应物流量等因素对铒镱共掺光纤纤芯折射率分布与锗元素浓度分布均匀性的影响,降低了双包层铒镱共掺光纤纤芯中心处折射率凹陷的宽度和深度,同时改善了锗元素浓度分布的均匀性,最终将铒镱共掺光纤在1 535 nm波长处的纤芯吸收系数提高到66.1 dB/m,同时将双包层铒镱共掺光纤在1 200 nm波长处的纤芯本底损耗降低到10.8 dB/km。