一种新的热释电晶体——TGSP性能研究

在TGS晶体中,以磷酸部分地取代硫酸,便得到一种新的热释电晶体——TGSP晶体.对不同含磷量的TGSP晶体的介电参数及热释电系数进行测量的的结果表明,适当含磷量的TGSP晶体,其介电性能与TGS晶体的相近,但热释电系数却得到很大的改进,是一种有前途的供热释电红外探测器使用的新材料.     

硫酸三甘肽(TGS)及其氘化晶体介电性能的研究

硫酸三甘肽单晶(简称TGS)是人们熟知的热释电探测晶体。它在室温下热电系数大、介电常数低、电压响应品质因子和探测率的品质因子同时都很高,并且容易从水溶液中生长出大尺寸高质量的单晶,因此在激光与红外探测及红外摄象等技术中有着广阔的发展前途。然而TGS单晶的居里点低,室温下长时间使用容易退极化,因此大大限制了它的应用。为克服上述缺点,近几年来,国外做了不少的工作。例如,氘化提高了居里点,掺杂防止了退极化的产生。限于各家生长晶体条件不同,对其某些介电性能的测试数据是较为混乱的。有关晶体“老化”问题也各说不一。因此,本文就本室几年来研制的TGS单晶、氘化TGS单晶、掺α-丙氨酸的氘化TGS单晶的介电常     

LADTGS晶体的物理特性研究

测量了用圆盘法定向生长的LADTGS晶体的介电、热释电及铁电特性。结果表明,用此法生长的LADTGS晶体是一种性能优良的热释电材料。     

铌酸钾晶体的低温热释电性

研究了铌酸钾晶体在低温时的热释电性和介电性.在相变温度范围,发现热释电响应随时间改变极性,表明晶体中两相共存.在降温和升温过程中,热释电系数分别于209K和237K出现峰值,显示此相变有约30K的热滞.这一结果与介电测量的结果相符.     

一种新的热释电晶体—ATGSP的生长和性质

研究了一种新的永久极化的ATGSP晶体,它是用H_3PO_4部分取代H_2SO_4而得到的改进了的ATGS。ATGSP晶体结构和TGS相同,晶体易于用降温法自水溶液中生长。ATGSP的热释电系数是TGS的二倍。它在室温下的介电常数为30,而损耗在10~2—10~5HZ宽频率范围内低于0.01。新晶体的高自发极化和大的热释电系数可能是由于PO_4~(3-)取代SO_4~(2-)所引起。     

铌酸钡铅晶体的介电和热释电性

在100K～450K范围内,研究了铌酸钡铅(PBN)系统中三种不同组份晶体的介电和热释电性.它们都在较宽的温度范围内具有中等大小的热释电系数、较小的介电常数和较高的热释电探测优值,是适合于热释电探测器的材籽.     

Li_(0.12)Na_(0.08)NbO_3单晶的生长及其铁电—铁电相变

首次用Czochralski法生长了大尺寸的Li_(0.12)Na_(0.83)NbO_3单晶。介电测量,电滞回线及X光衍射表明,该晶体在(20±1)℃出现铁电—铁电相变。高温相及低温相的点群分别为4mm和mm2。在相变温度,介电常数ε_(11)及ε_(33)出现反常,自发极化方向不发生变化。这个发生于20℃的铁电—铁电相变表明该晶体在室温附近有大的热释电系数,热释电应用是该晶体的潜在应用之一。     

THAMAs晶体的介电压电弹性和热释电性

首次测定了属于点群2的极性晶体三羟甲基氨基甲烷砷酸盐(THAMAs)的全部介电、压电及弹性常数,并研究了其低温热释电性。热释电系数在低温时呈现两个峰,其机理有待进一步研究。     

掺Mn量对PbTiO_3陶瓷的介电、铁电性能的影响

对0.95PbTiO_3—0.02PbCeO_3—0.03PbNb_2O_6固溶体陶电铁瓷进行了不同掺MnO_2量(由0到1.5摩尔百分比)的系列试验;测量了该系列材料的室温介电行为、铁电滞后迴线、热释电系数以及机电耦合系数.X 时线分析表明,全部材料均不出现第二相;在掺MnO_2量为0.3和0.5摩尔百分比处,热释电系数与机电耦合系数k_t 分别出现最大值;用钙钛矿型铁电体的电晶各向异性理论模型和空间电荷效应解释了介电性的实验结果.     

锆钛酸铅多晶材料的FR（LT）—FR（HT）相变及其热释电性质

本文研究了用共沉淀技术制备的PZT四种菱方相组分的均匀单相多晶体的介电特性和热释电特性。实验发现。菱方—菱方相变点的极化强度的异常变化是材料组成的函数。从组成PZT90/10和PZT94/6多晶体样品上可观察到介电系数、极化强度和热释电系数随温度发生的异常变化。但对于菱方组分PZT60/40和70/30却只能观察到热释电性质的异常变化。该二组分多晶体的相转变温度范围十分宽。文中引进铁电唯象理论描述了F_(R(LT))—F_(R(HT))相变行为。     

斜切ATGSP晶体的电压响应优值

本文报导了 ATGSP 晶体的三个主介电常数和热释电系数的测量结果;计算了不同斜切角度下的电压响应优值 M;研究了 M 值随温度的变化规律。实验结果表明,采用斜切方式的 ATGSP 晶体热释电探测器件可以提高电压响应优值。     

LiTa_xNb_(l-x)O_3晶体的低温介电性和热释电性

研究了LiTa_xNb_(1-x)O_3单晶在300K至40K温度范围內的介电和热释电性质。介电常数和热释电系数两者都随温度降低而下降,无反常变化。在300K至200K范围内热释电伏值保持相当高的数值,这具有实用价值。     

硫酸三甘肽(TGS)单晶的生长

硫酸三甘肽(NH_2CH_2COOH)_3·H_2SO_4简称TGS是1956年发现的一种铁电晶体。它具有较大的介电非线性和热电性,有可能为新技术提供很多方面的应用。对TGS单晶的培养和物理性质的研究曾引起人们很大的兴趣。近年来,特别是热电探测技术的发展,为TGS晶体的应用开辟了新的前景,对培养优质TGS及掺杂单晶的工作受到很大重视。本文就我们几年来培养TGS单晶的工艺和若干生长问题作一总结,并对TGS晶体的结构和性质作一简要介绍。     

铁电晶体(K_xNa_(1-x))_(0.4)(Sr_yBa_(1-y))_(0.8)Nb_2O_6系列的热释电性质

本文介绍一种新的A位填满型钨青铜结构铁电单晶(K_xNa_(1-x)_(0.4)(SryBa_(1-y))_(0.8)Nb_2O_6系列的制备,以及介电行为和热释电系数随化学成份变化的测量结果.测量表明,当=x0.50,y=0.75时,晶体具有高于铌酸锶钡(SBN)的热释电优值指数:FM_(RV)=p/ρcpk10.2×10~(-13) C·m/J 和FM_(RN)=p/ρcp k~(1/2)=1.6×10~(-11)C·m/J,表明了晶体有用作热释电探测材料的实际应用价值.     

热压制备KTa1—xNbxO3铁电陶瓷及性质

本文详细地研究了通氧热压烧结参数(T,P,t)对KTN铁电陶瓷密度的影响,获得优化烧结条件;制备出密度为理论值的98.4%,电阻率为10~(12)Ω·cm的KTN陶瓷.对KTN陶瓷的介电性能和热释电系数测量表明:成份为x=0.5和0.6的样品在室温范围内,介电常数为2000,介电损耗tanδ=0.002,热释电系数λ=2×10~(-8)coul/cm~2K.该陶瓷材料可用于制作热释电探测器.     

掺杂均匀ATGSAs单畴晶体的生长

通过观察晶体的畴结构和测量晶体的铁电,热电,介电性能,确定了ATGSAs 晶体的畴结构,性能和生长条件之间的关系,并利用定向生长技术,成功地培育出了大面积掺杂均匀的 ATGSAs 单畴晶体,已用来制出高质量的热释电摄象管和探测器。     

铌酸锂晶体中形成空间孤子的影响因素

研究了光波在纯铌酸锂晶体中形成亮空间孤子的影响因素和动力学传输行为。通过调控晶体温度的改变,入射光的偏振方向及光强可以影响光波在铌酸锂晶体中的传输行为。当热释电作用平衡光生伏打自散焦作用和线性衍射作用时,可以在铌酸锂中实现亮空间孤子。该研究结果为调控光束行为提供了一种方法。     

铌酸锂的折射率奇异

在10至150℃温度范围内用不同波长的可见光测量了铌酸锂铁电单畴单晶的折射率n_o和N_e,发现在45、75、125℃附近出现异常变化。观察了弛豫效应和热释电效应对测量结果的影响。用椭偏光测出了晶体不同方向表面层的复折射率。实验支持125℃附近的异常与表面状态有关。     

(1-x)PST-xPZT陶瓷的热释电性能研究

用静态法对不同制备工艺和不同PZT掺杂量的(1-x)PST-xPZT陶瓷的热释电系数进行了测试,发现随着PZT掺入量的增加逐渐降低PSTZT陶瓷的热释电系数.采用两步法工艺制备的PSTZT陶瓷和在较高烧结温度下制备的PSTZT陶瓷的热释电系数较大.     

金属离子Mg~(2+)和Cd~(2+)对TGS某些性质的影响

本文研究了金属离子Mg~(2+)和Cd~(2+)对TSG和ATGS单晶的介电、热释电和铁电性质的影响。