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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
采用溶胶一凝胶法合成Sr5(PO4)3C1:Tb3+,Tm3+荧光粉,研究了煅烧温度、敏化剂的加入对材料发光性能的影响.结果表明:适量掺杂Tb3+,Tm3+后,基质的晶格结构并未发生变化,煅烧温度1250℃为最佳温度,敏化剂的加入较大的提高了荧光粉的发光强度.  相似文献   

2.
采用水热法制备了稀土Eu掺杂的Zn0纳米片状材料(ZnO:1%Eu),在稀土Eu掺杂浓度一定的条件下讨论了不同水热反应温度对纳米片结构的影响,得出材料最佳生长温度,并研究了该反应温度条件下掺杂材料的光学性能.实验结果表明,稀土铕以正三价价态成功地掺入到ZnO晶格中.在反应温度为155℃时,材料的结晶质量最好.该反应温度下PL谱图显示出Eu3+的特征发射峰,分别位于579.6,587.8和614nm处,它们是V—V的跃迁,分别来源于Eu3+的5D0-7Fo,^5D0-7F1和^5D0-^7F2跃迁.  相似文献   

3.
采用化学共沉淀法制备了荧光粉Ca Mo O4:Tb3+、Ca Mo O4:Eu3+,Tb3+,并对其发光性质进行了研究.Ca Mo O4:Tb3+样品在488nm激发下能发出很强的绿光,此时Tb3+的最佳掺杂浓度为15%;在Eu3+和Tb3+共同掺杂的体系中,可以观察到由于Tb3+向Eu3+的能量传递使Tb3+敏化Eu3+的发光现象.该荧光粉在近紫外光(379nm)激发下发出较强的白色荧光,光谱测试显示Ca Mo O4:Eu3+,Tb3+的发射光谱存在三个激发峰,分别位于488、543和613 nm处,能够合成较理想的白光.  相似文献   

4.
Tb^3+,Ce^3+离子在Al6Si2O13中的光致发光   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用溶胶-凝胶法合成了以Al6Si2O13为基质,掺杂Tb^3+,Ce^3+的发光材料。经XRD结构分析表明,晶体结构属于正交晶,其晶胞参数为a=0.7595nm,b=0.7756nm,c=0.2882nm。  相似文献   

5.
采用柠檬酸盐法制备La(1-x)NdxNiO3前驱体样品.利用热分析仪(DTA—TG)对前驱体进行测试,结合X射线衍射(XRD)对不同温度烧结样品结构分析,结果表明,在750℃以上烧结得到了单相的La(1-x)NdxNiO3固溶体材料(0≤x≤0.25),随着Nd掺杂比例x值的增大,材料的晶格发生变化,a轴收缩,c轴伸长,晶格畸变增大.  相似文献   

6.
采用共沉淀法合成了La2O2S∶Tb3+绿色荧光粉并进行了相关表征.结果表明,合成样品的晶体结构与La2O2S相同,属于六方晶系.颗粒的形貌多为长方形或矩形,结晶性能良好,晶粒大小2~10 μm.发射光谱由波长为490 nm、544 nm、587 nm、621 nm的一系列锐发射峰组成.最佳掺杂浓度x(Tb3+)为0....  相似文献   

7.
采用高温熔融法制备了掺Tb3+硅酸盐闪烁玻璃,并加入多种具有敏化功能的稀土离子(Ce3+/Ce4+,Dy3+),通过测量样品的激发光谱和发射光谱研究各种稀土离子对Tb3+发光性能的影响.结果表明:Tb3+掺杂浓度过高时会出现浓度淬灭现象,Tb3+质量分数为10%的样品发光强度最大.空气气氛下熔制的玻璃中同时含有Ce3+和Ce4+,由于Ce4+离子与Tb3+离子存在对能量的竞争吸收,使Tb3+的发光强度减弱.加入适量的Dy3+离子可以敏化Tb3+离子的发光.  相似文献   

8.
采用共沉淀法合成了La2O2S∶Tb3+绿色荧光粉并进行了相关表征.结果表明,合成样品的晶体结构与La2O2S相同,属于六方晶系.颗粒的形貌多为长方形或矩形,结晶性能良好,晶粒大小2~10 μm.发射光谱由波长为490 nm、544 nm、587 nm、621 nm的一系列锐发射峰组成.最佳掺杂浓度x(Tb3+)为0.05 ~0.06.低浓度的Dy3+离子对La2O2S∶Tb3+荧光粉的绿色发光有敏化作用,Dy3+的适宜掺杂浓度x(Dy3+)为0.001 ~ 0.008.  相似文献   

9.
稀土掺杂ZnO半导体气敏传感器的性能研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
介绍了一种稀土(Tb2O3) 掺杂ZnO气敏传感器的制作工艺和传感器的性能.其特点是选择性好,工作温度比无稀土掺杂的ZnO 气敏传感器的工作温度低  相似文献   

10.
以Zn(Ac)_2 2H_2O和Tb_4O_7为原料,采用溶胶-凝胶、浸渍-提拉技术在单晶硅(100)衬底上制备了铽掺杂的氧化锌(ZnO∶Tb)薄膜。分别在氮气和氢气气氛下对薄膜进行退火处理,并进行了XRD、IR、EDS和AFM表征,同时结合荧光光谱测试详细研究了退火气氛对薄膜发光性质的影响。结果表明,经氮气和氢气气氛处理的薄膜中,ZnO∶Tb粒子均具有六方纤锌矿结构,且排列致密均匀,相应的ZnO∶Tb粒径分别为59和45 nm。经氮气气氛处理的ZnO薄膜,掺杂前后的发光情况变化显著,由485 nm的蓝光发射移到382 nm的紫外发射。用氢气进行退火处理时,掺杂前后薄膜的荧光光谱都由强的紫外发射和弱的蓝光发射组成,但掺杂后薄膜的紫外光发射减弱,蓝光发射增强。薄膜层数为3、Tb掺杂量为3.85 mol%时,ZnO∶Tb薄膜的荧光发射效果最佳。  相似文献   

11.
以蔗糖为碳源,采用高温固相法制备了Fe位掺杂不同阳离子(Al 3+,Ni 2+和Mn2+)的LiFe0.97M0.03PO4/C(M=Al,Ni,Mn)锂离子电池正极材料.用X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、恒流充放电测试和电化学阻抗谱(EIS)等研究了不同阳离子Fe位掺杂(Al 3+,Ni 2+和Mn2+)对LiFePO4的结构、形貌和电化学性能的影响.结果表明:阳离子Fe位掺杂没有改变LiFePO4的晶体结构,但是减小了LiFePO4材料的粒径,最终改善了LiFePO4的电化学性能.特别是LiFe0.97Mn0.03PO4/C材料具有更好的电化学性能,在0.1C和1C下放电,LiFe0.97Mn0.03PO4/C材料的首次放电比容量分别为162mAhg-1和140mAhg-1,且1C充放电倍率下循环50次后容量保持率仍然为98%.  相似文献   

12.
Er^3 掺杂在多种氟化物基质中制作成能量上转换材料,样品在980nm的红外光激发下发出较强的多波段的可见光,且肉跟可见,分析了实验样品稀土Er^3 上转换可见光各波段的潜线,给出了能级跃迁机制,并根据样品中稀土Er^3 摩尔分数的不同其上转换发光强度不同,分析了掺入稀土元素的浓度对能量上转换效率的影响。  相似文献   

13.
研究了掺铒氟化物非晶材料中铒离子在488nm激光激发下的发光光谱特性。观察到了7个带的荧光谱。解释了各个带的发光机制,并从中获得有关上转换发光的有益信息。  相似文献   

14.
采用溶胶-凝胶法制备了稀土元素Ce掺杂的BaTi1-xCexO3(x=0.001,0.002,0.005,0.01)陶瓷.研究了Ce掺杂对BaTi1-xCexO3物相结构、晶粒生长和微观结构的影响.结果表明BaTi11-xCexO3为单一钙钛矿结构,随Ce掺杂量增加,晶格参数c/a逐渐减小;在烧结过程中,Ce掺杂可以抑制晶粒生长,有效的控制晶粒尺寸;陶瓷密度随Ce掺杂量增加而逐渐增大,最高可达理论密度的94.1%.  相似文献   

15.
采用过硫酸铵为氧化剂,对氨基苯磺酸为掺杂剂合成聚苯胺,解析了不同氧化剂用量下样品的红外光谱和紫外光谱.结果表明,样品具有一定的热稳定性,在DMSO、THF和DMF溶剂中有一定的溶解度.  相似文献   

16.
采用溶胶-凝胶法合成了不同元素混合掺杂Sr2MgSi2O7系列蓝色长余辉发光材料,并对其发光性能进行研究,探讨掺杂元素对材料发光性能的影响规律性.激发发射光谱实验表明其峰均为宽带峰,最大发射峰位于466nm附近,是由典型的Eu2+的4f5d-4f跃迁导致的.所合成的Eu2+,Dy3共掺杂发光材料Sr2MgSi2O7余辉时间可达8hrs以上,具有合适的能级陷阱0.76eV.  相似文献   

17.
本文用溶胶 -凝胶法制备了纯SnO2 和CuO掺杂的纳米粉末 ,并利用TG -DAT、XRD等测试手段对样品进行分析 .结果表明 ,以无机盐为初始原料 ,用溶胶 -凝胶法可得纳米级SnO2 粉末 ;且CuO掺杂使颗粒度减小 ,有利于其作为气敏元件  相似文献   

18.
用化学共沉淀法制备了Er3+掺杂浓度不同、煅烧温度不同的纳米晶ZrO2(CaO)∶Er3+系列发光粉体,所制备的粉体均具有Er3+离子特征强室温荧光发射.同时观测到Er3+离子的上转换发射.讨论了上转换发射的跃迁机制,976 nm激发下的上转换过程是双光子过程.荧光强度与掺Er3+浓度关系研究表明:在相同条件下,用378nm荧光激发,分别测量了Er3+不同浓度800℃煅烧样品的发射谱,掺Er3+浓度达0.6%(摩尔分数)时达到最大,然后又随之降低.  相似文献   

19.
掺杂钐的纳米二氧化钛粉体的制备和发光性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用溶胶凝胶法(sol-gel)制备了纯的和掺杂不同量Sm3 离子的纳米TiO2粉体,并测试了样品的X射线衍射谱(XRD)和荧光光谱(PL).讨论了不同热处理温度,不同掺杂浓度对Sm3 离子室温发射的影响.  相似文献   

20.
用密度泛函理论的DFF/ROB3LYP方法计算了几种一碳掺杂(碳取代一个硼原子或氮原子)的硼氮纳米管的电子结构,研究了其导电性,得到了这种碳掺杂硼氮纳米管的能带结构和态密度曲线,并与纯硼氮纳米管作了比较,讨论了碳掺杂对硼氮纳米管导电性的影响.  相似文献   

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