粉末溅射SnO2:Pt薄膜和SnO2/SnO2:Pt双层膜的气敏特性

用粉末溅射方法制备了体掺杂型SnO2 :Pt薄膜和表面层掺杂SnO2 /SnO2 :Pt双层膜 .实验结果表明 ,由室温至 2 0 0℃ ,这两种薄膜对CO气体均显示了较高的灵敏度和选择性 .单层膜厚度和双层膜导电层及气敏层厚度对灵敏度有明显的影响 .通过对掺杂单层膜和双层膜气敏特性的比较 ,对粉末溅射SnO2薄膜的气敏响应机理进行了探讨 .     

粉末溅射SnO2：Pt薄膜及SnO2／SnO2：Pt薄膜电导在CO中的振荡现象

采用粉末溅射方法制备了体掺杂型ＳｎＯ２：Ｐｔ薄膜和ＳｎＯ２／ＳｎＯ２：Ｐｔ双层膜,这两种薄膜材料不仅对ＣＯ气体有很高的灵敏度,良好的选择性和较低的工作温度,而且其电导在ＣＯ气体中均出现了振荡现象,本分析了电导振荡温区、振幅和频率与ＣＯ气体浓度及膜厚的关系,介绍了其振荡特性并对有关问题进行了讨论。     

直流溅射掺杂Pt的SnO2薄膜气敏特性

采用非醇盐溶胶-凝胶工艺在Al2O3基片上旋转涂敷制备掺杂Sb的SnO2薄膜,再经直流溅射制得表面掺杂Pt的Sb∶SnO2薄膜,测试了薄膜对乙醇、汽油、苯、二甲苯、甲苯、丙酮和NH3气体的气敏性能,探讨了不同Pt掺杂量对乙醇气敏性能的影响.结果表明,Pt的溅射时间为90 s时,元件对50×10-6乙醇气体的灵敏度高达43,且薄膜具有较好的响应-恢复特性,其响应时间和恢复时间均为6 s.选择性研究表明,薄膜在加热温度为280℃时,具有很好的酒敏特性和选择性.     

射频反应溅射纳米SnO2薄膜气敏特性研究

采用射频反应溅射在瓷管上制备了SnO2气敏薄膜元件,以及用传统方法制备了SnO2厚膜元件.两种元件经测试表现出对乙醇较高的灵敏度,对两种元件进行了性能对比测试.测试表明,无论在灵敏度、响应恢复时间,还是在检测浓度范围上,SnO2气敏薄膜元件都比传统的厚膜元件性能优越.SnO2气敏薄膜元件经过表面修饰,在200×10-6体积浓度下接近30.对薄膜元件加热温度及选择性进行了研究,初步探讨了元件稳定性及其敏感机理.     

SnO_2∶Sb∶Ni低温气敏薄膜的制备及性能研究

以无机盐SnCl4 ·5H2 O ,SbCl5,NiCl2 ·6H2 O为原料 ,采用溶胶 凝胶工艺制备了Sb2 O3 和NiO掺杂的SnO2 薄膜 .研究了SnO2 ∶Sb∶Ni薄膜的电学和气敏性能 .实验研究表明 ,由于锑的掺杂 ,所制得的SnO2 ∶Sb∶Ni薄膜电阻较低 ,室温下其电阻只有 1 2 0kΩ/□ .而NiO作为催化剂 ,使其对NOx 气体具有较高的灵敏度和良好的选择性 .与SnO2 ∶Sb薄膜相比 ,其工作温度大大降低 ,在常温下对NOx 气体 (主要成分是NO)也具有一定的灵敏度 ;并且水汽不影响其对NOx 气体的灵敏度 .SnO2 ∶Sb∶Ni薄膜工作温度的降低主要是薄膜表面缺陷和颈连粒子的存在所致 .     

射频溅射法研制SnO2纳米薄膜

采用射频溅射工艺制得细小均匀的β－Sn纳米锡膜,然后通过氧化处理工艺获得组织非常细小均匀的纳米级二氧化锡薄膜。X－衍射实验结果表明Sn和SnO2晶粒尺寸分别约为6nm和5nm,采用该工艺获得的SnO2纳米薄膜结构比较稳定,为薄膜型SnO2气敏元件新工艺研究提供了基础性资料。     

掺杂Sb的SnO2基陶瓷导电薄膜的研制

对SnO2陶瓷导电薄膜的特性、导电机理、制备、应用进行了叙述,并且利用喷涂热解工艺制备了SnO2陶瓷导电薄膜,探讨了掺杂剂Sb的掺杂量、喷涂溶液的浓度对SnO2导电薄膜电阻值的影响     

SnO2/Si-NPA 复合薄膜气敏传感材料的酒敏特性研究

应用匀胶旋涂和退火处理的方法将纳米级SnO2和具有规则阵列结构和多孔结构的硅微米/纳米结构复合体系硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)进行很好地复合,对复合材料的电阻酒敏特性进行了测试.结果表明,SnO2/Si-NPA与Si-NPA相比对酒精具有更高的灵敏度和更好的长期稳定性SnO2/Si-NPA良好的酒精敏感性能被归因于复合薄膜材料既保持了衬底材料独特的微纳双重结构,又保证了SnO2能够发挥其在传感方面的作用,即高灵敏度来自干其巨大的比表面积对酒精分子的物理吸附和材料对酒精分子化学吸附.通过工艺条件的进一步改进以及气体标定系统和信号检出系统进行配套设计与优化,可望开发出性能优异的酒敏传感元件.     

MO-PECVD SnO2气敏薄膜的制备及表征

目的 探索制备SnO2薄膜的最佳工艺，研究氧分压与其薄膜元件气敏性能间的关系。方法 以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质，采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)。利用X射线衍射仪和扫描电镜(SEM)对薄膜的晶体结构、SnO2晶体的颗粒度进行了表征，对不同样品的气敏性能做了测试分析。结果 优化出制备SnO2薄膜的最佳工艺。结论 氧分压是影响SnO2颗粒尺寸大小及薄膜元件气敏性能的重要因素。     

SnO2：F透明导电薄膜及其物理特性

本文中报道优质SnO_2:F透明导电薄膜的制备方法,通过对薄膜透射率和电导(方块电阻)的测量分析,研究薄膜特性与工艺条件的关系,探讨最佳工艺条件和薄膜形成规律。提出一种SnO_2:F 晶体缺陷结构模型,可以较好解释电导随 F掺杂浓度的变化结果。     

纳米SnO2和分子筛封装纳米SnO2簇的制备

采用改良的液相法制备出纳米ＳｎＯ２超微粒，以及在分子筛的笼穴之中合成出纳米ＳｎＯ２簇．利用ＸＲＤ，ＴＥＭ和Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱（穆谱）对２种纳米粒子的微观结构状态进行了表征．ＸＲＤ和ＴＥＭ测得液相法制备的ＳｎＯ２超微粒晶粒度为１０ｎｍ左右．穆谱研究表明２种纳米ＳｎＯ２微晶的穆谱均由体相原子和界面相原子２套子谱所组成．穆谱研究还证实了分子筛封装纳米ＳｎＯ２簇微粒的分布均匀程度明显高于液相法制得的纳米ＳｎＯ２．     

SnO2@TiO2纳米粒子的光催化性能

以纳米SnO2·nH2O胶体粒子为基质,采用活性层包覆法制备出复合光催化剂SnO2@TiO2.用其对有机磷农药DDVP的稀释液进行降解,并用SEM、TEM、XRD、BET和XPS等手段进行了表征.结果表明:SnO2@TiO2粒径在12nm左右,比表面积为72.27m2g,由锐钛型TiO2与金红石型SnO2组成,光催化活性明显优于单一的SnO2、TiO2.其最佳用量为3.0gL,并且可重复使用.添加剂H2O2、Fe3+的最佳浓度分别为1.65mmolL和0.5mmolL.     

SnO2:F镀膜玻璃的光电特性

SnO2:F薄膜具有优良的光电特性,采用喷雾热分解法在玻璃基板上镀膜的基本工艺过程,其面电阻在2Ω/cm2以下,可见光透过率为90%以上,在近红外波段出现高反射.     

多孔SnO2的制备及其表征

利用脱合金法成功制备出多孔SnO2。应用场发射扫描电镜,X射线衍射等技术对试样进行分析。结果表明,经过脱合金样品的晶体结构、成分没有发生变化,只是形态有所改变,由原来的致密变成多孔结构。随着反应条件的改变,多孔结构的孔洞分布、直径、深度都会随之改变。     

SnO2中间层对稀土Gd掺杂SnO2／Sb涂层阳极性能的影响

本实验采用共沉淀法,以无机盐SnCl4·5H2O、Sb2O3、Gd（NO3）,为前驱体,制备了含SnO2中间层的稀土Gd掺杂SnO2／Sb多组分涂层阳极。研究了以苯酚为目标有机物的电化学降解特性,以考察SnO2中间层对稀土Gd掺杂SnO2／Sb涂层阳极性能的影响;并对所制备的涂层阳极进行了SEM、XRD、XPS、EDX等表征及循环伏安曲线测试,分析并讨论了SnO2中间层对稀土Gd掺杂SnO2／Sb阳极性能的影响机理。结果表明：SnO2中间层对稀土Gd掺杂SnO2／Sb电极稳定性有较大提高,对该电极的电催化性能略有提高。     

NanoSnO2酒精传感器的研究

采用溶胶-凝胶技术分别在0.45、1.3 mol/L SnCl2乙醇溶液和0.9 mol/L SnCl2乙二醇溶液3种体系下合成了纳米SnO2粉体,通过XRD和TEM对其结构进行了表征,并对NanoSnO2传感器进行了气敏特性和研制条件的分析.结果表明制作传感器的最佳烧结温度为660℃,加热电压控制在5 V,使其表面温度达到200～250℃,此时传感器的气敏性能最好,而且在0.45 mol/L SnCl2乙醇溶液用溶胶-凝胶法制得的SnO2纳米酒精传感器的气敏性能最好.     

SnO2/NaY光催化剂的制备

用二氯化锡和NaY沸石为原料,经浸渍、焙烧等工序制备SnO2/NaY光催化剂,通过X射线粉末衍射、透射电镜和紫外可见漫反射光谱表征显示:尺寸在20～60二氧化锡纳米棒在NaY沸石表面上形成;以紫外光为光源,对甲基橙溶液进行光催化降解以检验其光催化性能,结果表明:该催化剂具有紫外光催化活性.     

Nanostructured SnO2 photoanode-based dye-sensitized solar cells

This review focuses on recent developments in the nanostructured SnO2 photoanodes for dye-sensitized solar cells （DSSCs） applications. Carefully designed and fabricated nanostructured SnO2 films are advantageous for effective improvement in performance of DSSCs. Nano- crystals can offer a large surface area for dye adsorption; nanowires are able to provide a direct transfer pathway for the rapid collection of photogenerated electrons; the mes- oporous, monodisperse beads with a submicrometer-sized diameter ensure a large specific surface area for dye adsorption and simultaneously promote light scattering; the surface modification of SnO2 by other oxides may improve the photovoltage and photocurrent, hence resulting in the higher power conversion efficiency of SnO2-based DSSCs.     

Pt/TiO_2/Nb:SrTiO_3/Pt器件的记忆效应

本文以Pt/TiO_2/Nb:SrTiO_3/Pt为研究对象,研究了此种器件的阻变存储效应和容变存储效应.所研究的器件表现出明显的双极多态存储性能,同时也具备负电容的特性.在正、反向偏压的作用下,器件能够实现从导通状态到绝缘态或者其他程度的导通态的转变.不仅如此,该器件还表现出与初始状态关联的负电容特性.产生这些现象的原因可认为是氧空位在外加电场的驱动下移动造成的,从而使得器件的导电状态发生变化,同时也使得电荷变化滞后于电压的变化,产生了负电容现象.