不同限制层对三维GaAs/AlGaAs/n~ GaAs矩形波导传输及损耗特性的影响

本文用一种新方法分别对具有不同限制层的两种三维GaAs/AlGaAs/n~ GaAs矩形波导的特征方程进行计算机求解,得到其传输及损耗特性的理论结果。同时我们实测了上述两种波导样品的损耗系数,从而使理论结果得到了实验上的验证。     

GaAlAs/GaAs异质结构的低温LPE生长

本文利用常规液相外延(LPE)设备,研究了700—750℃之间的GaAlAs/GaAs的LPE生长特性。对外延层的表面形貌,生长速率,外延层的纯度和晶体完整性进行了分析和讨论。并将此低温技术应用于电极条形双异质结构(DH)激光器的制备,得到了较低阈值的激光器。     

异质面GaAs太阳电池n层少子产生寿命的测量

使用简单的微分电流和微分电容技术，从反向偏置的Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ数据计算异质面ｐｐｎ ＧａＡｓ电池ｎ层少子产生寿命部面图，讨论它对电池性能的影响。     

AlGaInP/ GaAs 外延层的倒易空间图分析

介绍了倒易点二维图的概念,分析了AlGaInP/GaAs外延层的倒易点二维图,阐明其倒易点二维图的展宽方向和原因,获得了应变及晶面弯曲等方面的信息,为优化AlGaInP四元系发光二极管的外延工艺提供了更丰富的信息.     

利用n阶完美和幻方构造n~2阶完美和幻方

根据完美和幻方的定义和性质,给出利用n阶完美和幻方构造n~2阶完美和幻方的方法,并给予证明及举例。     

金属/缓冲层/GaAs/AlGaAs波导的光学特性

本文报导了金属/缓冲层/GaAs/AlGaAs四层结构平板波导中金属层对波导光学特性尤其是损耗特性的影响及其与介质缓冲层厚度的关系,并给出了为消除这种影响所需介质缓冲层厚度的选择方法。     

InAs/GaAs量子点生长中应力分析

围绕InAs（InGaAs）/GaA叠层量子点电池的制作,本文通过文献研究和对近邻面生长实验研究认为,InAs/GaAs量子点生长形貌和特性受生长环境条件和生长条件影响。其中,客观、不可改变的外延层与衬底晶格常数、生长台面、超晶格结构等环境条件对量子点生长最为重要。这些环境条件通过生长应力,决定了量子点生长中的有序成核、生长、合并,直至出现缺陷的多晶体生长,其作用贯穿整个量子点生长过程。     

无穷级数sum from n=1 to∞(1/n~2)收敛性的一个求法

针对无穷级数sum from n=1 to∞(1/n~2)给出了一个微分的求法     

n型掺杂GaAs中电子与空穴的超快弛豫特性

研究了n型重掺杂GaAs中的光生电子与空穴的超快弛豫特性.在n型重掺杂情况下,由于费米面已进入导带之中,抑制了费米面附近光激发电子的弛豫过程对泵浦探测信号的贡献,而突出了空穴弛豫在饱和吸收谱中的地位.理论计算表明空穴通过吸收光声子在～300fs时间内达到与晶格热平衡,并由此所导出的材料光学形变势常数d0=31eV.计算值与实验测量结果相符合.     

半绝缘GaAs中的双极扩散长度

分析了半绝缘（ Ｓ Ｉ） Ｇａ Ａｓ 表面光伏的特点和公式．用表面光伏方法测量了不同砷压热处理 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 单晶的双极扩散长度,用 １．１ μｍ 红外吸收法测量 Ｅ Ｌ２ 浓度,并对测量结果作了分析和讨论．指出双极扩散长度 Ｌａ 是反映 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 质量的一个重要电学参数．     

GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs量子阱的Type-II特性

研究了分子束外延生长的不同含量的GaAs1-xSbx/GaAs量子阱的光荧光特性和时间分辨光谱特性.分析表明,利用电子空穴分离导致了能带弯曲和能带填充效应,实验结果说明了GaAs1-xSbx/GaAs异质结至少在Sb原子数目百分比为16%￣26%时是Type-II结构.     

GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究

用低压金属有机气相外延（LP－MOCVD）在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料，并对材料进行Raman、光致发光（PL）谱的测试分析，结果表明在GaAs／InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移；PL谱峰较强，16K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰，表明了GaAs外延层的晶体质量较好。以此生长方法制备了金属－半导体场效应晶体管（MESFET），其单位跨导可达200ms/mm。该器件已经达到GaAs同质结构的器件水平。     

AlGaAs/GaAs超晶格价带的自旋劈裂

对由Al_yGa_(1－y_As，Al_xGa_(1-x)As和GaAs三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究．通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自族向上和自族向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方．     

M/M/n/n/m型排队系统的优化设计及应用研究

利用有限状态生灭过程的稳态解推导了M/M/n/n/m型排队系统的损失概率公式和系统占有率公式,对服务台数n和顾客源m的优化设计方法进行了理论探讨和可视化分析,借助于MATLAB编程获得系统的优化设计方案,并将所得理论和方法应用于有限用户损失制多信道共用通信系统的共用信道数的优化配置研究.     

AlGaAs／GaAs HBT基区电流的研究

在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。     

光生电压谱方法对ZnSe／GaAs异质结导带偏移的研究

实验采用光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结界面的光跃迁进行了观察，在光子能量略低于ＧａＡｓ带边的地方，光生电压谱出现了一个峰，通过分析电子与空穴的分离在界面上形成电偶极层对光生电压谱造成的影响，指出该谱峰对应着界面处电子从ＧａＡｓ价带顶跃迁至ＺｎＳｅ导带底的过程，表明ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结的能带排列属于错开型，并得出在温度小于７０Ｋ的低温下ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移值为１５０ｍｅＶ±     

低压MOCVD法生长GaAs／Si单晶膜及膜的特性研究

本文通过低压ＭＯＣＶＤ方法，采用改进的两步法工艺，即基片表面的高温处理一生长过渡层－退火－外延生长－退火工艺，在向［０１１］方向偏３°的Ｓｉ（１００）衬底上生长了ＧａＡｓ膜，并对外延膜进行了Ｘ射线衍射，喇曼散射和光致发光分析．发现Ｘ射线衍射曲线光滑尖锐，无杂峰，（４００）峰的摇摆曲线很锐，喇曼散射谱中ＴＯ峰与ＬＯ峰的强度比ｌＴＯ／ｌＬＯ很小，光致发光谱的半峰宽只有１２．４ｍｅＶ，说明在Ｓｉ上异质外延的ＧａＡｓ单晶膜具有相当好的质量．