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将纯的ZnO及SnO_2采用等离子溅射法制成ZnO/SnO_2双层膜,用XPS,SEM,XRD等手段对薄膜进行了分析测试。比较了单层SnO_2及ZnO薄膜与双层ZnO/SnO_2膜的气敏性质,发现双层膜较单层膜在灵敏度及选择性上都有所提高。简单讨论了元件的气敏机制。 相似文献
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用CVD法在(111)和(100)单晶硅衬底上沉积SnO2或SnO队:Pd薄膜.在不同温度下,测量SnO2/Si表面吸附H2或CO等还原性气体后光电压的变化.结果表明:SnO2:Pd/Si的光电压变化,可以灵敏检测H2、CO等气体,讨论了SnO2:Pd/Si的气敏机理. 相似文献
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SnO2薄膜光透过率气体敏感机理的研究 总被引:2,自引:1,他引:2
边志华 《太原理工大学学报》2002,33(2):147-149
以掺杂SnO2薄膜为例,推导了薄膜上透射光的消光系数与薄膜内极化电子数和极化电子迁移率的关系式。得出当环境气氛中待测气体的浓度变化时,将导致穿过薄膜的光的透射率与之发生响应,从理论上说明研制新式的气敏-光信号类型的传感器是可行的。 相似文献
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二次溅射薄膜SnO2/ZnO是一种有用的气敏材料,本文用内转换电子穆谱(CEMS)方法,研究了它的气敏特性,实验结果表明,穆谱参数(同质异能移IS和四极分裂QS)随溅射时间和退火温度变化.与气敏特性变化规律相对照,由此找出了材料的最佳工艺参量,并讨论了气敏机理. 相似文献
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溶胶—凝胶法制备SnO2气敏薄膜的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
以SnCl2.2H2O及乙醇为原料,利用溶胶-凝胶法制备SnO2纳米薄膜,探讨了制膜的工艺条件用XRD,SEM,TEM,AES以及XPS等研究了所得薄膜的结构性质,同时考察了薄的晶相结构、晶粒尺寸,表面形貌以及薄膜中元素的化学状态与热处理条件之间的相互关系。 相似文献
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液态源掺杂对SnO2薄膜特性影响 总被引:1,自引:0,他引:1
李健 《内蒙古大学学报(自然科学版)》1996,27(3):317-320
在单晶硅片上生长SiO2绝缘层,再用蒸发的方法在SiO2层上淀积超微粒SnO2薄膜.采用液态源扩散方法对SnO2薄膜进行掺杂.实验表明,采用此法掺杂可精确控制掺杂浓度,此法工艺简便。可靠,使掺杂和热处理一次完成,掺杂后的薄膜气敏特性得到较大的改善. 相似文献
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射频反应溅射纳米SnO2薄膜气敏特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用射频反应溅射在瓷管上制备了SnO2气敏薄膜元件,以及用传统方法制备了SnO2厚膜元件.两种元件经测试表现出对乙醇较高的灵敏度,对两种元件进行了性能对比测试.测试表明,无论在灵敏度、响应恢复时间,还是在检测浓度范围上,SnO2气敏薄膜元件都比传统的厚膜元件性能优越.SnO2气敏薄膜元件经过表面修饰,在200×10-6体积浓度下接近30.对薄膜元件加热温度及选择性进行了研究,初步探讨了元件稳定性及其敏感机理. 相似文献
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1引言近年来,由于光电子器件潜在的巨大市场,使光电材料成为研究的重点。ZnO薄膜是一种光学透明薄膜,纯ZnO及其掺杂薄膜具有优异光电性能,用途广阔,而且原料易得、价廉、毒性小,成为最有开发潜力的薄膜材料之一。目前,研究ZnO材料的性质涉及许多研究领域,其中包括:透明导电膜(T 相似文献
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二氧化锡薄膜的PECVD制备和特性 总被引:1,自引:0,他引:1
用PECVD方法制备出二氧化锡薄膜,利用双探针技术诊断出等离子体反应器内电子密度的分布,并分析了它对薄膜电阻的影响.透射电镜分析表明随沉积温度升高,二氧化锡薄膜从非晶态转变为多晶态,其电阻率随之减小.掺锑的二氧化锡薄膜对石油液化气和酒精具有良好的气敏效应 相似文献
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采用溶胶-凝胶技术,利用旋转涂膜法制备二氧化锡薄膜。结果发现,常温下在含有CO的气氛中光通过薄膜的透射率变大,对CO有较高的灵敏度。并对制备过程中出现的实验现象、制备机理及薄膜的结构和特性进行了分析和研究。 相似文献
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采用非醇盐溶胶-凝胶工艺在Al2O3基片上旋转涂敷制备掺杂Sb的SnO2薄膜,再经直流溅射制得表面掺杂Pt的Sb∶SnO2薄膜,测试了薄膜对乙醇、汽油、苯、二甲苯、甲苯、丙酮和NH3气体的气敏性能,探讨了不同Pt掺杂量对乙醇气敏性能的影响.结果表明,Pt的溅射时间为90 s时,元件对50×10-6乙醇气体的灵敏度高达43,且薄膜具有较好的响应-恢复特性,其响应时间和恢复时间均为6 s.选择性研究表明,薄膜在加热温度为280℃时,具有很好的酒敏特性和选择性. 相似文献
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二氧化锡(SnO2)的一种晶体结构--正交相是高温高压相, 不易合成, 因此, 其性质探测和技术应用研究一直停滞不前. 利用脉冲激光沉积(pulsed laser deposition, PLD)技术, 在相对较低压力和较低温度下制备较纯的正交相SnO2薄膜. 实验结果表明, 这种正交相SnO2薄膜的透明度优于常规四方相SnO2, 其半导体带隙大于四方相SnO2. 相似文献
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用电子束蒸发法在玻璃基片上制备太阳能电池窗口层ZnO薄膜,并在氧气环境下对其在400~500℃的温度下退火1h.通过X射线衍射、电镜扫描、透过率光谱等手段测试和分析所制备的薄膜,结果表明:当薄膜未经过热处理时,薄膜中含有大量的单质锌;当薄膜经过400℃退火后,薄膜逐渐结晶,并且其物相成分基本是ZnO;当退火温度逐渐升高到500℃时,晶粒长大,晶化程度提高,对可见光和近红外光的透过率也增大,平均值可达90%,此时所制备出的ZnO薄膜适合于作为太阳能电池的窗口层。 相似文献
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采用对靶直流反应磁控溅射方法,在不同温度的Si (100)基片上制备了一系列的ZnO薄膜.利用X射线衍射仪和荧光分光分度计对ZnO薄膜的结构和发光性能进行了研究.结果表明:所有的ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,且都表现出了(002)织构.随基片温度增加,ZnO薄膜结晶质量提高,其颗粒尺寸单调增加,并且薄膜应力状态发生改变,由压应力转变为拉应力.同时光致发光谱实验结果表明:室温沉积的ZnO薄膜出现了365 nm和389 nm的紫外双峰,并且出现了弱的蓝光发射带.随着基片温度升高到350℃,365 nm附近的紫外峰红移到373 nm,并且强度增强,而389 nm处的紫外峰强度明显减弱.当基片温度增加到500℃时,373 nm的发光峰强度减弱并蓝移到366 nm处,蓝光带强度减弱并红移到430 nm~475 nm处,并且出现了396 nm的近紫峰. 相似文献
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Nd掺杂ZnO薄膜的制备及室温光致发光研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了Nd掺杂ZnO薄膜.XRD和AFM分析表明,Nd掺杂没有改变ZnO结构,薄膜为纳米多晶结构.随Nd掺杂量的增加颗粒减小,表面粗糙,起伏较大.室温光致发光谱显示,薄膜出现了395 nm的强紫光峰和495 nm的弱绿光峰,Nd掺杂量和氧分压对PL谱发射峰强度产生了一定影响. 相似文献