柱撑阴离子粘土的合成表征及催化性能研究（Ⅳ）──ZnAl－SiW_（11）和ZnAl-SiW_（11）Z的合成及稳定性研究

用离子交换法合成了杂多阴离子柱撑阴离子粘土ＺｎＡｌ-ＳｉＷ１１和ＺｎＡｌ-ＳｉＷ１１Ｚ（Ｚ＝Ｃｏ２＋，Ｎｉ２＋，Ｃｕ２＋）．ＸＲＤ和ＩＲ测定结果表明，这些层柱化合物的通道高度是１．４６×１０-７ｃｍ，层间阴离子保持它们的Ｋｅｇｇｉｎ结构．它们在空气中热分解序列为：ＺｎＡｌ-ＳｉＷ１１Ｎｉ（３４７℃）＞ＺｎＡｌ-ＳｉＷ１１Ｃｏ（３４１℃）＞ＺｎＡｌ-ＳｉＷ１１Ｃｕ（３３５℃）＞ＺｎＡｌ-ＳｉＷ１１（３２９℃）＞ＺｎＡｌ-（２９０℃），在沸腾水溶液中稳定存在的ｐＨ值范围是３．６～７．５．     

Cu（Ⅱ），Pb（Ⅱ），Zn（Ⅱ），Cd（Ⅱ）痕量金属离子的浮选分离法研究

以焦磷酸根（）为配体，十六烷基三甲溴化铵（ＣＴＭＡＢｒ）为鼓泡剂，对Ｃｕ（Ⅱ），Ｐｂ（Ⅱ），Ｚｎ（Ⅱ），Ｃｄ（Ⅱ）等４种金属离子的浮选分离进行了研究。探讨了ｐＨ值、氮气流速、的浓度、ＣＴＭＡＢｒ的浓度、金属离子浓度对浮选率的影响．找到了其最佳分离条件，对Ｃｕ（Ⅱ）－Ｃｄ（Ⅱ），Ｐｂ（Ⅱ）－Ｃｄ（Ⅱ），Ｚｎ（Ⅱ）－Ｃｄ（Ⅱ）等二元组分进行了较好的分离。     

Te掺杂ZnSe/[(CdSe)_l(ZnSe)_3]_m超晶格荧光光谱

对垒区Ｔｅ掺杂浓度不同的ＺｎＳｅ／［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］ｍ短周期超晶格量子阱的稳态和瞬态荧光进行了实验研究，通过不同激发强度下逐级饱和过程测得ＺｎＳｅ垒区自由激子寿命为３５ｐｓ，［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］７阱区自由激子寿命为１７７ｐｓ，束缚在不同ｎ值的Ｔｅｎ束缚激子的复合寿命为０．５～１０ｎｓ．揭示了Ｔｅ掺杂浓度对能量传递、荧光波长和荧光寿命的灵敏的影响及其规律．     

Te掺杂ZnSe／[（CdSe）1（ZnSe）3]m超晶格荧光光谱

对垒区Ｔｅ掺杂浓度不同的ＺｎＳｅ／［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］ｍ短周期超格量子阱的稳态和瞬态荧光进行了实验研究，通过不同激发强度下逐级饱和过程测得ＺｎＳｅ垒区自由激子寿命为３５ｐｓ，［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］７阱区自由寿命为１７７ｐｓ，束缚在不同ｎ值的Ｔｅ束缚激子的复合寿命为０．５－１０ｎｓ。揭示了Ｔｅ掺杂浓度对能量传递、荧光波长和荧光寿命的灵敏的影响及其规律。     

新法制备高亮度蓝色SrS∶Ce薄膜电致发光器件

以ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件,研究了新法制备的ＳｒＳ∶Ｃｅ膜的光致发光（ＰＬ）性能和它的电致发光（ＥＬ）器件的电致发光性能,并与直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ粉末制备的薄膜和器材的性能进行了对比．结果表明混晶法制备的薄膜电致发光器件的亮度和效率比直接法制备的器件要高得多,且ＺｎＳ的引入弥补了在ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜Ｓ的不足,避免了直接用ＳｒＳ∶Ｃｅ材料蒸发而采用的共Ｓ蒸发方法中Ｓ气氛对环境的污染．     

配位微环境对镉（Ⅱ）—血清白蛋白结构的影响

研究了等离子点附近Ｃｄ（Ⅱ）－ＨＳＡ或－ＢＳＡ体系的紫外光谱，与生理ｐＨ时的谱图相比较，Ｃｄ（Ⅱ）－ＢＳＡ的２５０ｎｍ附近谱带普启蒙消失，而２９０ｎｍ谱带及Ｃｄ（Ⅱ）－ＨＳＡ光谱基本不变。这一光谱结果差异进一步支持了Ｃｄ（Ⅱ）离子在ＨＳＡ或ＢＳＡ中最可能的结合位置在７对相邻的二硫桥处，金属中心为四面体型Ｃｄｓ４结构的推断。用配位微环境的差异对结果进行较深入的讨论。     

ZnS：Mn~（2＋）电致发光激发过程

本文利用光激发光谱、电致发光波形和分时光谱相结合，并配合数学计算仔细地研究和比较了ＺｎＳ：Ｍｄ（２＋）薄膜和ＺｎＳ：ｐｒ（３＋）薄膜的电致激发发光过程，解释了Ｍｎ作为最有效发光中心的原因．     

离化原子团束外延ZnSe单晶薄膜

本文报道了用离化原子团束（ＩＣＢ）技术在ＧａＡｓ（１００）上外延ＺｎＳｅ单晶薄膜的研究结果。采用单源喷发并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用互光衍射和ＲＨＥＥＤ研究了外延ＺｎＳｅ单晶薄膜结构和外延质量。得到了摆动曲线半高宽为１３３＂，并具有原子水平平整程度的ＺｎＳｅ（１００）单晶薄膜。     

用离子团簇束及反应离子团簇束技术沉积Zn及ZnO薄膜

用文题所述技术，在玻璃基板上制出了Ｚｎ及ＺｎＯ薄膜。用ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＡＥＳ及ＳＥＥＬＦＳ方法，分别研究了其表面形貌、组成、薄膜结构及表面精细结构，同时探讨了薄膜生长过程。结果表明：Ｚｎ薄膜为（００２）面上择优生长的多晶膜，其生长过程为岛状生长：ＺｎＯ薄膜为无定形迷津网络结构，薄膜表面主要含有Ｚｎ、Ｏ两种组分，无其它杂质，Ｚｎ─Ｏ键长为０．２０３ｍｍ。     

用离子团簇束及反应离子团簇束技术沉积Zn及ZmO薄膜

用文题所述技术，在玻璃基板上制出了Ｚｎ及ＺｎＯ薄膜。用ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＡＥＳ及ＳＥＥＬＦＳ方法，分别研究了其表面形貌、组成、薄膜结构及表面精细结构，同时探讨了薄膜生长过程。结果表明：Ｚｎ薄膜为（００２）面上择优生长的多晶膜，其生长过程为岛状生长；ＺｎＯ薄膜为无定形迷津网络结构，薄膜表面主要含有Ｚｎ、Ｏ两种组分，无其它杂质，Ｚｎ－Ｏ键长为０．２０３ｎｍ。     

热处理条件对热蒸镀WO3薄膜结构的影响

采用高真空热蒸发沉积技术在硅单晶Si(111)衬底上沉积了WO3薄膜.借助化学刻蚀,SEM,XRD和Raman光谱分析等手段,研究了不同的热处理条件(大气环境,真空,不同气氛)对WO3薄膜结构的影响.结果表明,在真空条件下或干燥Ar气氛条件下对薄膜进行退火热处理有利于控制薄膜晶粒的生长(保持薄膜良好的电致变色性能),同时有利于增强薄膜的稳定性.     

Study on Microcrystaline Structure and Luminescence of ZnS Thin Film Devices

Zinc sulfide is a type of Ⅱ-Ⅵ semiconductor comp ou nd with wide band gap. Having high brightness and low consumption, the thin film devices of zinc sulfide have broad prospects for application. These have made t hem attractive for popularity. In order to improve the luminescence characterist ics of the devices, recently, the investigation on electroluminescence(EL) thin film devices have been turning from macro properties to microstructure area. In this paper, we made the thin film devices of ZnS:Cu,Cl,...     

稀土Dy掺杂纳米CdO薄膜的特性分析

为改善氧化物半导体薄膜的特性,采用真空热蒸发法在玻璃衬底上制备稀土Dy掺杂纳米CdO薄膜并进行热处理,对薄膜进行结构、电学和光学特性进行测试分析。实验结果给出:掺杂稀土Dy后CdO薄膜沿(111)晶向的衍射峰增强,随掺Dy含量增大峰强度逐渐减弱,掺Dy含量为5%时可促进CdO薄膜晶粒的生长,改善薄膜晶相结构特性。制备的薄膜表面颗粒均匀,存在颗粒聚集现象。掺Dy含量为9%时,在波长大于900 nm的范围透光率可达90%,高于纯CdO薄膜。     

ZnO、SnO_2及其复合UPF的工作温度对表面电阻的影响

本文介绍ＺｎＯ、ＳｎＯ２及其复合ＵＰＦ的工作温度对其薄膜表面电阻的影响，并根据表面吸附模型和理论对其结果加以分析．所研究的薄膜样品采用直流气体放电活化反应蒸化沉积技术制备．     

WO3和V2O5薄膜电致变色器件特性研究

采用电子束和热蒸发分别制备了WO3和V2O5薄膜,研究了WO3薄膜的电化学、循环耐用性、电致变色特性,分析了V2O5薄膜的Li离子储存性能、Li离子的注入／退出可逆性以及离子注入对光学性能的影响,并讨论了WO3薄膜/Li离子电解质／V2O5薄膜构成的灵巧窗器件的电致变色特性．实验结果表明,这样构成的灵巧窗器件具有比较理想的光学调制性能．     

First-principles simulation and experimental evidence for improvement of transmittance in ZnO films

Optical reflection and transmission spectra of Se_(80-x)Te_(20)Ag_x(where x=0,5,10 and 15,molar percent) chalcogenide thin films have been obtained in the range 300-1 200 nm at room temperature.Glassy samples are prepared by melt quenching technique and thin films are obtained by using vacuum evaporation technique on glass transition at room temperature.The present paper reports the effect of Ag contents on various optical parameters such as optical band gap,refractive index,extinction coefficient,absorp...     

强磁场下蒸镀法制备Co_3O_4薄膜

为了研究强磁场对蒸镀法制备Co3O4薄膜结构影响,以提高该材料的取向性,改善Co3O4薄膜的磁学性能,该文以99.99%的Co为原料,分别在无磁场和强磁场条件下低真空热蒸镀Co3O4薄膜,采用扫描电子显微镜、X射线衍射和振动样品磁强计研究了以Si(111)为基底的Co3O4薄膜晶粒尺寸、取向和磁性能。结果表明:随着磁场强度增加至4T,晶粒尺寸由200 nm减至20 nm,晶体由杂乱取向排列转为平行于磁场方向取向生长,薄膜的矫顽力减小,矩磁比增大至0.81。结果表明:强磁场对蒸镀法制备Co3O4薄膜晶粒的大小和取向有显著影响,能显著提高材料的矩磁比。     

蒸发条件对Znq2成膜质量及电致发光性能的影响

采用８－羟基喹啉锌为发光材料制备了不同蒸发条件下的薄膜样品和单层电致发光器件，利用扫描电子显微镜研究了Ｚｎｑ２薄膜的表面形貌，分析了蒸发条件对成膜质量和器件性能的影响。     

CdTe薄膜的微观结构分析

应用真空蒸发技术制备CdTe薄膜,并借助于扫描电子显微镜（SEM）、扫描俄歇谱仪（AES）和X射线衍射仪（XRD）对其微观结构进行分析。主要研究了不同工艺条件、不同原子配比、以及不同掺杂浓度下制得的CdTe薄膜的结构、物相,研究结果表明：以Cd:Te=0.9:1原子配比制得的CdTe薄膜具有最佳的结晶度和组分计量比;掺杂会使CdTe薄膜的结构、物相有所改变。     

三源共蒸法制备CIS薄膜及其性能研究

用三源共蒸法以高纯的Cu,In,Se粉为原材料制备了CuInSe2薄膜,研究了基片温度、退火处理对薄膜形貌、结构、光学及电学性能的影响.用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、霍尔效应仪对薄膜的形貌、结构、光学及电学性能进行检测.研究结果表明:不同基片温度下的薄膜对可见光都具有较高的吸收指数;薄膜在(112)晶面有高度的择优取向;基片温度为200℃时薄膜的Eg为0.99 eV;基片温度为200℃和300℃时薄膜都获得了单一黄铜矿结构的CuInSe2,退火处理后电阻为1.53Ω/cm2和1.55Ω/cm2.