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相似文献
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1.
用变分法研究量子阱中定域体声子和界面声子对束缚极化子基态能量和结合能的影响,给出了束缚极化子基态结合能随阱宽变化的数值结果.研究发现,当阱宽比较小时,界面声子对结合能的贡献较大,而阱宽较大时,体声子对结合能的贡献较大.总的结合能随阱宽的增大而减小.  相似文献   

2.
抛物量子阱中的极化子能量   总被引:1,自引:5,他引:1  
研究了抛物量子阱中电子-声子相互作用对极化子能量的影响,用改进的变分法计算系统中极化子基态和激发态能量以及基态到第一激发态的跃迁能量,并给出抛物量子阱GaAs/Al0.3Ga0.7As中的数值结果,研究发现,在较宽的量子阱中,电子-声子相互作用对极子能量的影响很明显。因此,讨论了极化子能量时不能忽略电子-声子相互作用。  相似文献   

3.
4.
有限温度下量子阱中的磁极化子   总被引:1,自引:0,他引:1  
将半导体量子阱中界面磁极化子的自陷能分为LO和IO声子部分,研究自陷能的温度依赖性。  相似文献   

5.
用一种新的变分方法研究准二维量子阱中极化子系统的自陷能等问题.只有纵光学声子和表面声子的对称模对极化子的基态能量有贡献.作为例子,对GsAs/AlAs量子阱中极化子的基态波函数和自陷能进行了数值分析.与先前的结果相比,当有效耦合常数稍大时极化子具有更低的自陷能.  相似文献   

6.
本文讨论了GaAs/Ga_1-xAl_xAs量子阱中激子结合能与磁场的关系。当磁场增强时,目前理论计算结果与实验数据存在差距,本文采用新的变分波函数,计算结果与实验相符。  相似文献   

7.
采用一种变分拟合的简单方法计算了电场下锯齿型多量子阱的激子结合能,对计算结果给出了合理的解释  相似文献   

8.
提出ρ和(Ze—Z_h)耦合试探波函数,计算了 GaAs/Ga_(I-x)Al_xAs量子阱中基态激子的结合能随阱宽和阱深的变化关系,并对所得结果进行了讨论。  相似文献   

9.
用变分法计算了鼻子阱中屏蔽激子的束缚能.屏蔽效应是用有限厚度介质中电子气的介电函数描述的.  相似文献   

10.
考虑了无限高势垒量子阱,计算得出了零维、一维、二维和三维量子阱中激子-声学声子耦合导致的激子基态能量移动.结果表明,激子的声学极化子效应随材料带宽的增大而增大.  相似文献   

11.
抛物阱中极化子效应对激子的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了抛物阱中极化子效应对激子的影响.利用变分法计算了重空穴激子和轻空穴激子的基态能量及其能量移动,所采用的是含有三个变分参数的无分离的试探波函数,结果发现考虑LO声子效应的重空穴激子的基态能量高于裸激子的基态能量,而考虑LO声子效应的轻空穴激子的基态能量低于裸激子的基态能量.  相似文献   

12.
考虑三元混晶效应,采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs对称耦合双量子阱中激子结合能的压力效应,并计算激子结合能随阱宽和中间垒宽的变化关系以及Al组分的影响.结果表明,激子结合能随阱宽的增加先增加至极大,随后减小;随垒宽则先减小到极小,随后增加.结合能随压力则近线性增加,且当阱宽较宽时,Al组分对结合能的影响不明显.  相似文献   

13.
计算了GaAs/Al_xGa_(1-x)As和In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y量子阱中激子的结合能,得到了结合能随阱宽和阱深的变化。结果表明,在这两类量子阱结构中激子结合能的变化规律有本质的不同。  相似文献   

14.
利用变分方法计算了GaAs/Al_2Ga_(1-x)As量子阱中激子的束缚能,分析了电场、势阱宽度对激子束缚能的影响。采用明显不可分离的试探波函数,并考虑了电场对势阱中载流子几率分布的影响,计算了重空穴激子和轻空穴激子吸收峰位置随电场变化,结果与实验值符合得较好。  相似文献   

15.
考虑激子与体纵光学声子的相互作用,采用变分法研究了量子点量子阱结构中澈子的极化效应.以CdS/HgS量子点量子阱结构为例进行数值计算,得到了激子的基态能量和束缚能.研究结果表明,声子对澈子束缚能的贡献随着阱宽的增加而增加,极化子效应不能忽略.激子的基态能量和束缚能明显依赖于量子点量子阱结构的核半径和壳层厚度,量子点量子阱结构的尺寸对激子-声子相互作用有重要的影响.  相似文献   

16.
强磁场条件下的垒D^—中心   总被引:2,自引:2,他引:0  
采用MacDonald使用的对角化方法研究了强磁场条件下由位于z轴上距x-y平面一定距离的正离子和位于x-y平面上受正离子束缚的两个电子构成的垒D-中心,得到了垒D-中心能级和束缚能随距离ξ的变化曲线.数值计算结果表明:L=0的单重态和L=-1,-2的三重态在一定区域内是束缚态,而L=-1,-2的单重态是非束缚的.  相似文献   

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