掺Nb5+钨酸铅晶体的计算机模拟

应用GULP计算软件模拟计算了掺Nb5 的PbWO4(PWO)晶体中,Nb5 可能存在的位置以及对应的各种缺陷的生成能.通过比较生成能的大小确定了Nb5 在PWO晶体中最可能的存在方式,并对其电荷补偿机制进行了分析.计算结果表明,在掺Nb5 ∶PWO中,Nb5 首先占据邻近缺氧的W6 位,但不可能由F心或F 心来作为补偿,其电荷补偿形式应为[NbO3 VO] —[NbO4]-,改变了在晶体中与350 nm吸收带有关的氧空位V2O 的电荷补偿机制,从而抑制了350nm吸收.     

钨酸铅晶体中掺杂阳离子的计算机模拟

用缺陷化学方法讨论了Nd3 、Th4 、Sb5 掺杂PbWO4(PWO)中可能存在的杂质缺陷模型,用GULP软件计算了不同杂质缺陷的生成能.计算结果表明,Nd3 和Th4 将占据PWO晶体中VP2b-周围的Pb位,对VP2b-的电荷补偿抑制了PWO晶体中420 nm吸收带.Sb5 在高浓度掺杂时将占据PWO晶体中V2O 周围的W位,并由于占据W位所呈现的一价负电性补偿V2O 的正电性,使孤立的铅空位增多,引起350 nm吸收的减弱和420 nm吸收的增强.     

钨酸铅的频域和时域介电谱

用时域和频域方法在0-150℃研究了掺杂Y的PbWO4单晶的介电谱。样品的复电导率和频率有关，故频域测量只能表示为导纳谱而不能将复电导率和复介电常数分开。自由弛豫时域测量中不出现外电场，故只给出用极化分量和响应时间表征的介电谱，而不受电导影响。这些极化分量和形成晶体闪烁发光中心的各种缺陷有关。     

NaI晶体电子结构的研究

利用ＥＨＭＯ方法结合特殊点方案和自包容子程序，计算了ＮａＩ晶体的态密度。确定了价极位置，得出了其能能隙和价带宽度。     

PbWO4晶体中铅空位周围晶格弛豫的研究

使用相对论性密度泛函计算程序，按照能量最低原理采用共轭梯度方法，对缺铅的钨酸铅晶体进行结构优化处理．计算了铅空位周围晶格的弛豫，得到铅空位周围的晶格结构．结果表明，铅空位周围次近邻的正离子(Pb^2 和W^6 )向铅空位迁移，而铅空位周围最近邻的负离子(O^2-)向远离铅空位的方向迁移．晶格的驰豫结果使铅空位处的电负性降低．     

钨酸铅晶体中F型色心电子结构的研究

运用相对论性的密度泛函离散变分（DV-Xα）方法模拟计算了PbWO4（PWO）晶体中F型色心的电子结构,得到了PWO晶体的态密度分布,讨论了色心的可能光学跃迁模式,并用过渡态方法计算了跃迁能量。计算结果表明,F、F^＋心在PWO晶体的禁带中引入了施主能级,F、F^＋心可向W 5d轨道发生跃迁,其跃迁能分别是1.83eV、2.28eV,因此,可推断F、F^＋心能引起PWO晶体中680nm、550nm的吸收。     

掺K钨酸铅晶体的计算机模拟

应用计算机模拟方法计算分析了掺杂K离子的PbWO4晶体，在不同杂质离子浓度下，K离子的位置及伴随的各种可能存在的缺陷的生成能，明确了晶体掺杂后的缺陷化学及相应的缺陷反应，揭示了低浓度掺K^ ：PbWO4的350nm吸收带减弱的原因．计算结果表明，高浓度掺K离子将消除420nm吸收带，改善PbWO4晶体的抗辐照损伤性能．     

NaI晶体能态密度的研究

ＥＨＭＯ方法结合特殊点方案，利用自包容子程序，计算了ＮａＩ晶体的态密度，确定了价级位置，得出了其能隙和价带宽度。     

EHMO方法对KI晶体电子结构的研究

ＥＨＭＯ方法结合特殊点方案，利用自包容子程序，计算了ＫＩ晶体的态密度，确定了价级位置，得出了其能隙和价带宽度。     

钨酸铅晶体闪烁性能的测试

钨酸铅（ＰｂＷＯ４）晶体的发光产额很低，用通常的方法测量其发光产额会引入较大误差。文中介绍了用单光电子脉冲幅度刻度方法对ＰｂＷＯ４发光产额进行测量，可以在实验室条件下利用常见放射源得到比较准确的结果。并给出了用此方法对几种ＰｂＷＯ４样品的发光产额进行测量的实验结果。同时还报告了对这几种样品的发光衰减时间常数及其相对发光强度的测量结果。     

完整PbWO4晶体偏振性质的模拟计算

利用完全势缀加平面波局域密度泛函近似,计算了完整的PbWO4(PWO)晶体的电子结构,模拟计算了复数折射率、介电函数及吸收光谱的偏振特性．分析了各个吸收光谱的峰值所对应的可能的电子跃迁以及PWO晶体的偏振特性．     

掺钇钨酸铅晶体的热释光和光释光

实验测试了掺钇(Y)的钨酸铅(PbW04)晶体的热释光和光释光。晶体在150℃左右和210℃左右有明显热释光峰，其中150℃峰具有好的线性剂量响应，且在1000Gy剂量下仍没有达到饱和。实验测量了其光释光的剂量响应，发现光释光在较小的剂量下即达到饱和，这说明150℃左右对应的热释光陷阱与产生光释光的光敏陷阱是不同的。实验还观测到蓝光可以激发出紫外线，而红外不能激发出可见光。     

NaI晶体能态密度的研究

EHMO方法结合特殊点方案,利用自包容子程序,计算了NaI晶体的态密度,确定了价级位置,得出了其能隙和价带宽度。     

钼酸钙晶体中点缺陷的电子结构研究

运用以密度泛函理论为基础的相对论性离散变分方法(DV-Xα),模拟计算了完整的和含氧空位的钼酸钙(CaMoO_4)晶体的电子结构,得到了含有F、F~ 心的CaMoO_4晶体电子态密度分布以及它们可能产生的光学跃迁模式.计算结果表明,含F、F~ 心的CaMoO_4晶体的禁带宽度明显变窄,F、F~ 心的能级出现在禁带中,利用过渡态理论计算得到其向Mo的4 d轨道发生光学跃迁,跃迁能量值分别为1.93,2.03 eV.利用提拉法生长的CaMoO_4晶体呈现蓝色的本质原因是F、F~ 心在黄红区产生比较强的吸收.     

Al2 O3对连铸保护渣中氟浸出的影响

为了消除保护渣在使用过程中氟溶解到水中造成的危害,提出了开发高Al2 O3含量的保护渣.研究了不同含量的Al2 O3对保护渣熔渣水浸液中F-质量浓度和pH值的影响,并利用X射线光电子能谱分析了Al2 O3含量对保护渣熔渣结构的影响.当Al2 O3的质量分数为4%时,保护渣迁移到水中的F-质量浓度为22.8~35.4 mg·L-1,pH值的变化范围为4.0~9.5;当Al2 O3的质量分数由4%增加到34%,F-质量浓度和pH值的变化范围均是先急剧减小后略有增加的趋势. X射线光电子能谱分析显示：增加保护渣中Al2 O3的含量时,保护渣中Al2 O3通过形成Al—F共价键,抑制了氟的浸出.控制保护渣中Al2 O3的质量分数在16%~34%的范围,则实验水样中F-质量浓度在4.0~10.0 mg·L-1的范围,pH值在6.5~7.5的近中性范围,可减弱氟浸出造成的危害.     

Synthesis of Bridged Dianiline Containing Fluorine

0 IntroductionSicnyccelic P ecdreorwsnen ertehpeorrt aendd th set usdyinetdh etshise o sfp tehciea lfi rasftfi nmitaycr oo-fmacrocyclic crown ether with alkali and alkaline earth cationsin 1967[1], the characteristics of macrocyclic crown ethershave attracted much attention. Many newcrown ethers of dif-ferent structures have been synthesized[2-4].But the synthesisof the macrocyclic crown ether containing fluorine has rarelybeen reported.In 1938 , Tsumaki found that oxygen could becarried by t…