非易失性高速存储器FM1808的应用技术

传统的非易失性存储器 E2 PROM和 FL ASH的写入速度都很慢 ,但 FRAM突破了这个缺陷 ,它是一种可以高速写入的非易失性存储器。在说明了 FRAM的存储原理的基础上 ,通过具体的数据对比说明了 FRAM的优点。介绍了 FM1 80 8在快速采集雷管电点火头温升曲线数据中的应用     

税控收款机数据存储系统的安全分析与设计

税控收款机数据存储系统存储容量的大小、存储系统中各种数据的安全是税控机的关键技术之一，是税务征收机关和纳税企业共同关心的问题，本文在分析了早期税控机存在的不足后，结合课题项目组的工程实际，给出了税控机数据存储系统的两种改进设计方案，在硬件的应用研究方面取得了较好的效果。     

二线制串行存储器25045及其在包装机中的应用

介绍了串行快擦写存储器25045功能、特点、工作原理以及25045在包装机控制器中的应用，并编写了相应的软件。     

铁电存储器FRAM在12导心电图机中的应用

针对FRAM的随机读取速度快、非易失性等特性,提出了采用FM18L08的12导心电图机的存储器扩展的解决方案。系统应用FM18L08独立作为DSP外围存储器扩展,替代了传统ROM和SRAM分立设计,简化了系统硬件和软件设计,提高了系统可靠性,并设计了FRAM与高速DSP芯片的接口,提高了存储器的访问速度,同时实现了心电数据快速无挥发存储。     

串行铁电存储器FM25256应用技术

串行铁电存储器是用先进的铁电技术制造的非易失性存储器,最大能以15MHZ的总线速度读写数据,可承受一万亿次的读写次数,并能在掉电后将数据保存10年。以上特性使其在读写速度要求非常高的系统中得到广泛应用。本文以RAMTRON公司的FM25256串行铁电存储芯片和ATMEL公司的AT90CAN128单片机为例介绍了串行铁电存储器与AVR单片机通过SPI总线接口实现数据存储的应用技术。最后给出在实际应用中得出的结论。     

嵌入式系统设计中FLASH存储器的应用

本文描述了SST39F040芯片的应用方法,并通过增强型单片机STC89C52RC对闪存SST39F040进行控制,实现对FLASH的读取、编程和擦除操作,为嵌入式系统功能扩展解决存储空间不足的瓶颈问题,提供了一个可靠的应用实例。     

浅谈航天领域中的铁电存储器

相对于普通民用芯片,航天领域中的集成电路芯片的要求条件更高。介绍了铁电存储器的发展过程,通过介绍铁电存储器的物理特性与存储机理,从理论上说明了铁电存储器非常适合航天及军事需求,与其他类型的存储器相比具有不可比拟的优势。     

串行FLASH存储器在伺服控制系统中的应用(江燕俊）.doc

针对伺服跟踪控制系统对大容量、小型化存储器的设计需求,提出了一种应用于伺服跟踪控制系统中的串行FLASH存储器SST25VF010与TMS320 F2812的接口电路设计.通过实验室中的实际应用检验,该方法满足伺服跟踪控制系统对结构小型化和性能实时性设计的要求,并有效地实现了伺服跟踪控制系统对多种应用的通用性.     

新型串行电擦写存储器在单片机系统中的应用

串行电擦写存储芯片是ＡＴＭＥＬ公司率先推出的,如ＡＴ９３Ｃｘｘ 系列三线串行快速Ｅ２ＰＲＯＭ 和ＡＴ２４Ｃｘｘ 系列两线串行Ｅ２ＰＲＯＭ。它们具有ＣＭＯＳ工艺、工作电压宽、低功耗、速度快、占用Ｉ／Ｏ 口少、掉电百年记忆的特点。为了推广这类芯片在单片机控制领域中的应用,本文着重介绍了ＡＴ９３Ｃｘｘ 系列芯片的工作特点和使用方法,结合硬件设计实例,给出了软件设计程序框图。     

基于配位聚合物薄膜的电存储器件

研究发现,2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑(DMcT)的乙醚溶液能够与铜膜发生固-液界面反应,并在铜膜表面上形成了一层配位聚合物薄膜(Cu-DMcT).研究还发现,Cu/Cu-DMcT/Al器件具有一次写入、多次读取(WORM)的电存储性能,并有很好的成品率和信息保持性能.器件的高低阻态比可以高达106.     

铁电薄膜及铁电存储器研究

综述了铁电薄膜以及铁电存储器的发展,讨论了铁电薄膜制备方法、结构和物理性能表征,并结合作者的前期工作,详细讨论了用于铁电薄膜与硅衬底集成的导电阻挡层问题,指出了铁电薄膜研究中需重点解决的一些问题.     

非易失性存储器FLASHMEMORY的编程

本文从编程角度出发，介绍了ＦＬＡＳＨＭＥＭＯＲＹ保存数据的可靠性，编程方法，详细分析了各读、写指令的用法，给出编程的流程图和实际应用中的一个通用接口电路。     

基于SPI总线接口的FRAM设计

介绍了数字信号处理器DSP的SPI接口的特点,并设计了铁电存贮器FRAM 与DSP器件TMS320LF2407的SPI接口硬件电路,在分析FRAM器件的工作原理基础上设计了基于SPI通信的DSP与FRAM之间的接口程序.     

多片大规模可编程器件的配置应用--基于ALTERA器件

对FPGA配置方案作出了阐述，同时设计提出了简便、可靠且效率高的优化配置方案，并应用于实际中．     

通过边界行标记的低刷新功耗内存

提出一种通过数个边界行地址寄存器,将DRAM内存按照行地址划分为正常刷新区域、低频刷新区域和无需刷新区域的方案.当数据被集中于DRAM中连续行时,该方案不刷新未存放数据的DRAM行,并且对非关键数据区域采取比正常更低的频率进行刷新,从而可以将刷新功耗按比例降低至内存占用率以下.最后用gem5+DRAMSim2仿真平台对这种方案的硬件部分进行建模并仿真,实验显示如果搭配合适的数据分配算法,该做法能够在很低的硬件开销下有效降低内存功耗.     

串行E2PROM在变频器中的应用

文章介绍一种参数写入串口E2 PROM的方法及串行E2 PROM同MITEL公司所产SA86 6芯片的接口电路。因串行E2 PROM自身体积小、接线方便 ,从而通过这种方法可有效地减小变频器控制电路 ,提高系统可靠性及灵活性 ,且无需大量编程。     

微机内存资源的优化管理和使用

对微机内存资源的管理和使用是一个有重要实用意义的问题．本文对有关微机系统内存的易于混淆的概念进行了阐明，给出了高版本ＤＯＳ内存管理和优化使用的一些常用命令及系统内存优化配置的方法，指出了优化利用内存资源时应注意的一些问题．     

新型存储材料BIT铁电薄膜B位双掺杂初探

利用化学溶液沉积法，在Pt／Ti／SiO2／Si（100）基底上和700℃条件下分别制备了Nd和（Al，Sc）共掺杂的钛酸铋薄膜（Bi3.15，Nd0.85）（Ti3-x（Alx，scx））O12[记做BNT（AI（x），sc（x））]（x=0．015，0．030，0．045，0．060），并进行了这一系列薄膜的微结构、表面形貌、铁电等特性的研究．发现当掺杂含量为x=0．030时，薄膜具有较高的剩余极化强度（2Pr=24．80／2C／cm2）．讨论了相关的物理机制．     

三种串行E2PROM的特性及其微控制器的接口与应用

以93LC46、24LC01B和DS1971为例,分别介绍了采用3线、2线和单线协议进行数据传输的串行E2PROM芯片的引脚特性、外围电路及其工作原理;阐述了它们与单片机的接口连接和构成廉价存储器应用系统的方法.