GaAs纳米颗粒复合薄膜光吸收特性研究

对射频磁控共溅射技术制备的GaAs半导体纳米颗粒复合薄膜光吸收特性进行了研究.与大块GaAs材料相比,复合薄膜的光学吸收边发生了明显的蓝移,GaAs颗粒尺寸3 2nm的复合薄膜吸收边蓝移达1 16eV.     

纳米半导体薄膜的研究进展

纳米半导体硅薄膜是利用等离子体增强化学气相淀积方法制备的，制备条件可以很好地进行调节控制，纳米硅薄膜由两种组元组成，纳米尺度晶粒组元和晶粒间的界面组元，即晶态相和晶界相组成，这对发展半导体器件，例如量子功能器件和薄膜敏感器件等是特别有价值的。     

稀土细化的贵金属纳米颗粒/半导体(BaO)复合薄膜的制备

文章介绍了用稀土元素在真空沉积下化贵金属颗粒的方法，该方法能使发光电发射电流增强。     

纳米半导体材料

阐述了纳米半导体材料的制备方法、纳米半导体材料表现出不同于块状材料的光学性质和目前的研究进展。     

GaAs纳米颗粒镶嵌薄膜的制备及光电子能谱研究

采用射频磁控共溅技术成功制备GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜，GaAs在薄膜中所占分子百分比达19．0％，光电子能谱分析表明随着基片温度升高，薄膜中元素Ga，As的被氧化程度有所增强，但元素Ga，As仍主要以化合物半导体GaAs的形式，元素Si,O主要以SiO2分子的形式存在于复合薄膜中。     

Au—Ag—SiO2复合纳米金属颗粒膜的共振特征

通过射频磁控溅射的方法制备Ａｕ－Ａｇ－ＳｉＯ２复合纳米金属颗粒膜。实验结果表明颗粒膜的光学吸收峰及共振波长的位置依赖于颗粒膜中金属的介电常数，粒子尺寸，金属的相对体积经；颗粒膜共振波长随着颗粒膜中Ａｕ和Ａｇ相对体积比而改变，提高退为温度可以提高复和颗粒膜的光学吸收峰值。     

镶嵌式半导体纳米颗粒材料的研究现状与展望

从高速全光器件和光电集成器件对材料的要求出发，报道各族半导体纳米颗粒镶嵌薄膜材料的研究近况，并对今后材料研究的主攻方向发表见解．     

金属纳米颗粒复合薄膜的光吸收特性研究

根据Mie散射理论,研究了金属纳米颗粒镶嵌在载体介质中的复合薄膜的光吸收特性,计算得到Cu的介电常数与波长的关系．结果表明：当金属介电常数的虚部ε2变化不大时,复合薄膜的共振吸收峰峰位决定于金属介电常数的实部ε1和载体介质的折射率nd．     

纳米金属颗粒膜的二次谐波增强效应

纳米尺寸金属颗粒膜可以产生较大的表面二次谐波增强。本测量了用溅射法制备的纳米尺寸Ａｕ颗粒的反射二次谐波，其增强因子可达１０％２数量级。理论计算了局域场因子与波长的关系曲线，对于用Ｎｄ：ＹＡＧ激光器输出的１．０６μｍ波长的基频光，可以获得较强的倍频光的局域场增强，对金属颗粒尺寸对局域场因子的影响进行了计算和分析。     

SiO2薄膜中GaAs纳米颗粒Raman光谱研究

采用射频磁控共溅射技术成功制备出GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜,薄膜中的颗粒平均直径随基片温度升高而增大.Raman光谱研究表明,与大块GaAs材料相比,复合薄膜中GaAs纳米颗粒的纵光学声子模相应的散射峰随颗粒直径减小呈红移和宽化的趋势,结合应力和颗粒尺寸效应进行了合理解释.     

金属氧化物半导体SnO_x薄膜对NO_x气体敏感性能研究

本文研究了用PECVD方法制备的SnO_?薄膜对NO_2气体的敏感特性.控制薄膜厚度和化学成份可以获得对NO_2气体的高探测灵敏度和快动态响应.工作温度比体型低得多.此外,本文还阐述了SnO_?薄膜的敏感机制.     

金属氧化物半导体SnO_x薄膜对NO_x气体敏感性能研究

本文研究了用PECVD方法制备的SnO_∞薄膜对NO_2气体的敏感特性。控制薄膜厚度和化学成份可以获得对NO_2气体的高探测灵敏度和快动态响应。工作温度比体型低得多。此外,本文还阐述了SnO_∞薄膜的敏感机制。     

半导体薄膜光催化降解苯酚废水

研究用热分解法镀半导体薄膜,以紫外灯为光源,进行半导体薄膜光催化降解苯酚废水。实验结果表明:用CuO作为催化剂,并且在苯酚溶液中加入双氧水可以使苯酚转化率达到66.6%。半导体薄膜可重复使用,且利用太阳光降解苯酚废水具有很好的应用前景。就实验结果进行了理论分析和探讨。     

金属纳米颗粒／微纳结构金属膜增强拉曼研究进展

被称为“指纹谱”的分子拉曼谱及拉曼散射成像在生物及化学单分子识别领域具有重要应用。问题的关键是分子的拉曼散射截面小,利用金属纳米颗粒（LSP）局域场增强特性及其与金属膜（SPP）相互作用可产生比 LSP （ SPP）更强的局域场及尖角结构金属纳米颗粒的“热点天线”效应,可实现单分子拉曼信号的激发与辐射双共振增强效应。本文综述有关金属纳米颗粒和微纳结构金属膜相耦合增强分子拉曼信号的研究进展。     

磁控溅射法制备Half-Heusler化合物半导体TiCoSb薄膜

设计一种特别的TiCoSb复合靶材, 通过调节各元素在复合靶材上所占面积的大小, 可以方便地调节薄膜的成分. 采用这种靶材, 利用直流磁控溅射和快速退火成功制备单一物相的多晶TiCoSb薄膜; 采用X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)和原子力显微镜(atomic force microscopy, AFM)分析TiCoSb薄膜的结构和表面形貌; 利用Hall测试仪初步研究薄膜的电学性质. 结果表明, 所制备的TiCoSb薄膜对石英玻璃衬底具有良好的粘附力, 薄膜均匀致密. 经600 ºC, 5 min退火的TiCoSb薄膜的结晶质量较好, 薄膜的室温电导率为13.7 S/cm.     

铒浓度对ZnS薄膜DCEL的影响

用直接掺杂法和ＸＰＳ谱法研究ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ，Ｅｒ中铒离子的体浓度及纵向分布对器件发光的影响，测量了Ｅｒ￣３＋的￣２Ｈ＿ｌｌ／ｌ２，跃迁与温度的关系，对硫化锌薄膜器件中Ｅｒ￣３＋发光的电激发过程提出新见解．     

简谐温度边界条件下金属薄膜中的热响应

从金属中电子-声子相互作用的抛物两步热传导模型出发,利用非经典的双相迟滞热传导方程,推导出了金属薄膜温度响应的拉普拉斯变换解,并利用黎曼和近似的方法得到了其拉普拉斯逆变换解,通过对几种膛代表性的温度响应算例进行分析,讨论了在微时间和微空间尺度条件下金属薄膜的热响应特征,计算表明,不同的特征参数B预示着不同的热响应温度和热传播速度,热传播速度随B的增大而加快,当B大于等于0、小于等于0.25时,絷响应温度随B的增大而减少;当B大于0.25时,热响应温度随B的增大而增加。     

金属微粒-介质复合薄膜(Ag-BaO)的正电子湮没寿命实验

以真空蒸发方式制备的金属微粒-介质复合薄膜,会存在各种不同的微观结构缺陷。为研究它的这种缺陷,制备了Ag微粒-介质(BaO)复合薄膜,并在不同温度下退火,对这些样品做了正电子湮没寿命实验,结果发现随退火温度升高正电子湮没平均寿命减少,这是因为表征金属微粒与介质之间界面状况的缺陷经退火而得到改善。     

过渡性金属氧化物薄膜阻变存储材料进展概况

随着半导体技术和集成电路的进步,器件的集成度也不断提高,器件的特征尺寸不断减小,基于电荷存储的传统非易失性随机存储器面临着物理和技术上极限的挑战。阻变式存储器（RRAM）作为新一代的存储器件,因其器件具有结构简单、制备简便、存储密度高、擦写速度快、写入电流小等优势引起了人们广泛的研究。本文就目前基于过度氧化物薄膜的RRAM研究概况,从RRAM的基本工作原理、材料体系、存储机理和器件应用所面临的各种困难等方面对RRAM进行了简要评述。