Sol-Gel法在不同衬底上制备的LaNiO_3导电薄膜的性能研究

采用溶胶凝胶法快速成膜工艺分别在Si(100),SiO2/Si,Pt/Ti/SiO2/Si不同基底上制备LaNiO3导电薄膜,并分别以LNO和Pt/Ti为基底制备PZT薄膜。通过XRD,AFM,EDS等测试手段对LNO导电薄膜的结构及组成进行表征,并通过XRD,介电性能的测试比较LNO/Si和Pt/Ti沉积PZT薄膜的性能。结果表明,在Si(100),Pt/Ti/SiO2/Si上制备的LaNiO3导电薄膜是赝立方结构,而在SiO2/Si衬底上是四方结构。在Si(100)上得到的LNO薄膜致密、平整,可以作为制备PZT薄膜的导电层。在LNO和Pt/Ti上制备的PZT薄膜均为钙钛矿结构,且PZT/LNO薄膜各衍射峰强度优于PZT/Pt/Ti;而介电性能方面,PZT/LNO较PZT/Pt/Ti稍差,100kHz时,PZT/LNO和PZT/Pt/Ti的介电常数和介电损耗分别为562,0.29;408,0.037。     

前驱体溶液浓度对LaNiO3薄膜结构及导电性能的影响

采用溶胶-凝胶(sol-gel)法,使用浓度分别为0.1 M、0.2 M和0.3 M的前驱体溶液,在单晶Si(100)衬底上制备了LaNiO3(LNO)导电薄膜,研究了前驱体溶液浓度对LNO薄膜结构和导电性能的影响.X射线衍射测试表明,三种样品均为纯的钙钛矿相,具有较好的(110)择优取向.扫描电子显微镜截面分析显示,用0.2 M前驱体溶液制备的LNO薄膜样品厚度均匀,与Si衬底间没有明显扩散.采用标准四探针法测试了三种样品的电阻率,当前驱体溶液浓度为0.2 M时,样品电阻率最小,仅为2.08×10-3Ω.cm,具有良好的导电性.     

柠檬酸配比对合成钙钛矿型LaNiO3催化剂结构的影响

以柠檬酸为配体采用溶胶-凝胶法合成了钙钛矿型双功能氧电极催化剂LaNiO3。热重-差热（TG-DTA）、X-射线衍射（XRD）分析、电镜扫描（SEM）等表征结果表明：不同柠檬酸配比对凝胶灰化、产物的结构和成分均有较大影响。当硝酸镧、硝酸镍、柠檬酸配比1：1：0．6-1：1：0．7时可制备出颗粒均匀的纳米棒状LaNiO3。     

以LaNiO3作为底电极的Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3铁电薄膜的性能研究

采用溶胶－凝胶法在Si(100）衬底上制备了LaNiO3薄膜，采用相同方法在LaNiO3/Si(100）上制备了Pb（Zr0.3,Ti0.7）薄膜，对LaNiO3薄膜和Pb(Zr0.3,Ti0.7）O3薄膜的结晶性，表面形貌和电性能进行了研究。     

体系pH对MoO_3薄膜结构及光致变色性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备了MoO3光致变色薄膜,主要探讨溶液pH值对薄膜结构及性能的影响,运用XRD、SEM、UV-Vis-DRS及全自动色差计对氧化钼薄膜的结构及性能进行了表征.实验表明:随溶液pH值的升高,MoO3薄膜光致变色性能先增强后减弱.pH=1.0时薄膜结晶度较好,颗粒粒径较小,分布较均匀,激发波长蓝移,薄膜的吸收光波区域变宽,色差值达到2.427,光致变色性能提高.     

Sol-Gel法制备Al掺杂ZnO薄膜的微结构及电学特性

采用溶胶-凝胶法在Si(100)衬底上制备了不同浓度Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜。XRD研究表明Al掺杂对薄膜的结晶产生明显的影响。用四探针法测量其电阻特性,表明在1 mol%Al掺杂,600℃下退火,其电阻率最低。     

LaNiO_3纳米陶瓷薄膜氧敏特性的研究

以 L a(NO3) 3· 6 H2 O和 Ni(NO3) 2 · 6 H2 O为原料 ,采用柠檬酸为螯合剂 ,利用溶胶 -凝胶法合成了钙钛矿型稀土复合氧化物 L a Ni O3纳米陶瓷薄膜 ,研究了薄膜的氧敏特性及烧成温度和掺杂对薄膜氧敏特性的影响     

热处理温度对PST铁电薄膜微结构的影响

以Pb(OOCCH3)2·3H2O,Sc(OOCCH3)3·xH2O和Ta(OC2H5)5为原材料,用SolGel方法在Pt/Ti/SO2/Si(100)基片上成功地制备出厚度达1.5μm,无裂纹的PbSc0.5Ta0.5O3(PST)铁电薄膜.对(220)主晶向生长的PST薄膜分别在10～20min、650～800℃范围内进行热处理,结果表明:热处理温度在750℃时,PST薄膜转变为较为完整的ABO3型钙钛矿晶相结构,更高的温度将提高晶粒在(220)方向的取向度.实验发现,最佳热处理条件应为750℃×15min,该条件下制备的PST铁电薄膜呈蓝黑色,表面光亮.     

La2/3-xLi3xTiO3离子导电材料的制备与电导性能研究

采用溶胶凝胶法制备了La2/3-xLi3xTiO3离子导体材料,并对样品的结构、形貌、粒径、电导率用TG—DTA、XRD、TEM和交流阻抗仪进行了观察和测试。结果表明,采用该方法可大大降低材料的合成温度,在室温下电导率高达10-5s.cm-1。     

溶胶-凝胶法制备镍酸镧薄膜的研究

采用溶胶-凝胶(sol-gel)法,使用浓度分别为0.1 mol/L、0.2 mol/L和0.3 mol/L的前驱体溶液,在单晶Si(100)衬底上制备了镍酸镧[LaNiO3](简称LNO)导电薄膜,研究了前驱体溶液浓度对LNO薄膜结构和导电性能的影响.X射线衍射测试表明,三种样品均为纯的钙钛矿相,具有较好的(110)择优取向.原子力显微镜分析显示,用0.2 mol/L前驱体溶液制备的LNO薄膜样品晶粒明显大于0.1 mol/L的样品.采用标准四探针法测试了三种样品的电阻率,当前驱体溶液浓度为0.2 mol/L时,样品电阻率最小,仅为2.08×10-3Ω.cm,具有良好的导电性.     

柠檬酸配比对合成钙钛矿型LaNiO3催化剂结构的影响

以柠檬酸为配体采用溶胶-凝胶法合成了钙钛矿型双功能氧电极催化剂LaNiO3。热重-差热(TG-DTA)、X-射线衍射(XRD)分析、电镜扫描(SEM)等表征结果表明:不同柠檬酸配比对凝胶灰化、产物的结构和成分均有较大影响。当硝酸镧、硝酸镍、柠檬酸配比1∶1∶0.6～1∶1∶0.7时可制备出颗粒均匀的纳米棒状LaNiO3。     

焙烧温度对钛酸钙光催化性能的影响

以CaCO3和TiO2为原料,分别在1 100,1 200,1 300,1 400,1 500℃条件下进行焙烧.应用XRD,SEM,FT-IR,UV-vis对处理后的物料进行表征.实验结果表明,1 400℃以上能够合成出纯CaTiO3;随着温度提高,颗粒微观形貌从不规则多边形向光滑曲面形变化,团聚现象趋于明显;CaTiO3和TiO2含量不同导致催化剂在紫外-可见光区域光吸收能力有较大不同.在光催化性能评价实验中,随着温度提高,亚甲基蓝降解率和降解速率均降低,反应速率常数降低幅度达50%;钛酸钙降解亚甲基蓝溶液比较符合一级反应动力学特征.     

基体温度对磁控溅射TiN薄膜结构与力学性能的影响

采用直流反应磁控溅射方法在304不锈钢表面沉积TiN薄膜.利用场发射扫描电镜、X射线衍射仪和纳米压痕仪研究基体温度对TiN薄膜结构与性能的影响.结果表明:TiN薄膜为柱状结构,表面平整、致密.薄膜为面心立方结构(fcc)TiN并存在择优取向,室温和150℃时薄膜为(111)晶面择优取向,300和450℃时薄膜为(200)晶面择优取向;室温时薄膜厚度仅为0.63μm,加温到150℃后膜厚增加到1μm左右,但继续加温对膜厚影响不明显;平均晶粒尺寸随着基体温度的升高略有上升;薄膜的硬度、弹性模量和韧性(H3/E*2)随基体温度的升高而增加,最值分别达到25.4,289.4和0.1744GPa.     

高择优取向(100)PZT铁电薄膜的磁控溅射生长

以射频（RF）磁控溅射法分别在Si（111）和Pt（111）／Ti／SiO2／Si基底上溅射沉积LaNiO3（LNO）薄膜电极,沉积过程中基底温度为370℃,然后对沉积的LNO薄膜样品进行快速热退火处理（500℃／10min）。X射线衍射（XRD）分析表明：Si（111）基底上LNO电极表现出高度的（100）取向,而Pt（111）／Ti／SiO2／Si基底上LNO电极则表现较强的（111）择优取向。然后在（100）LNO薄膜电极上生长PZT铁电薄膜,通过合适溅射工艺参数的选择,成功地制备了高度（100）取向的PZT铁电薄膜。     

溅射气压对Al2O3薄膜的结构与电性能的影响

以纯铝为靶材,在不同溅射气压下采用直流磁控反应溅射方法制备了Al2O3薄膜。用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、台阶仪、绝缘电阻仪和精密阻抗分析仪等分析了薄膜的表面形貌、化学成分、结构、薄膜厚度和电学性能。结果表明,随着溅射压力增大,薄膜的颗粒尺寸和厚度减小,组织细密;薄膜的化学成分主要为Al、O元素,铝氧原子比接近2:3,在250℃的低温下,溅射态的Al2O3薄膜均为非晶结构,溅射压力对Al2O3薄膜的结构和化学成分影响不明显;溅射压力为1.0Pa时的薄膜,其电阻和电阻率较大,介电性能相对较好。     

在LiNaO3基底上制备PZT铁电薄膜及其电性能研究

采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Si衬底上制作Pb(Zr0.5,Ti0.5)O3(PZT)薄膜,研究了退火温度对薄膜结构和性能影响.通过X-ray分析表明,在600℃退火时,PZT薄膜已形成钙钛矿相,且在(100)择优取向的LaNiO3底电极上制备得到了(100)择优取向的PZT薄膜.实验测得以LaNiO3为衬底上的PZT薄膜的剩余极化强度为Pr=26.83μC/cm2,矫顽场Ec=30.43 kV/cm,介电常数为ε=5509,介电损耗为0.203.     

LaNiO3衬底上SrBi4Ti4O15薄膜的sol-gel方法制备

采用溶胶-凝胶法在S i(111)衬底上制备了LaN iO3薄膜,采用相同方法在LaN iO3/S i(111)上制备了SrB i4Ti4O15(SBT)薄膜,对SrB i4Ti4O15(SBT)薄膜的结晶性,厚度和电性能进行了研究.