电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池短路电流退化机制研究

应用PC1D程序拟合1 Me V电子辐照后Ga In P/Ga As/Ge太阳电池的光谱响应得到少数载流子扩散长度随辐照电子注量的变化关系.结果表明:少数载流子(少子)扩散长度随辐照电子注量增加而减小,少数载流子扩散长度的缩短是太阳电池短路电流退化的主要原因.     

N型LPE和VPE-GaAs电子辐照缺陷能级的研究

用深能级瞬态谱(DLTS)法,结合表面光伏(SPV)法,研究了1MeV能量和不同剂量的电子辐照下对N型液相外延(LPE)、汽相外延(VPE)GaAs层逐次引入的缺陷和400-500K温区等时退火行为.讨论了随辐照剂量逐次增大及等时退火后缺陷浓度N_T的变化,以及根据L²/D对N_T^-1作图来判别电照引入的"E"缺陷能级中对少子寿命起主要控制作用的复合中心能级.     

InP单晶的阳极氧化,界面参数和浓度分布的研究

本文首次测量了用阳极氧化方法制得的N型InPMIS二极管的I-V和C-V特性.从I-V特性曲线计算出二极管的理想因子n值为1.4,势垒高空>0.75eV.用汞探针和阳极氧化逐层剥离的方法测得了N型InP气相外延载流子浓度的纵向分布.此法制得的金势垒MIS结构可能对开展InP深能级工作有所帮助.     

多相气体对流扩散与气固反应问题的解析解

研究填充床中的气固反应aA(g)+bB(s)=cC(g)+dD(s).建立了反应气体A、产物气体C的对流反应扩散方程,并求出解析解.研究表明,颗粒半径对气体浓度和反应转化有着重要的影响,这种影响可以用Thiele数来估计;对流对反应气体和气体产物有不同的影响,但对流的本质不变.由于Thiele数与反应器长度的平方成正比,Peclet数与反应器长度的一次方成正比,因此反应器长度也是影响反应转化的重要因素;对气体浓度的分布,化学反应的作用比对流大.     

InSb1-xBix的液相外延

本文采用液相外延方法在InSb衬底上生长InSb_1-xBi_x外延层,初步得出了外延生长条件包括温度,生长速率,熔池组分及衬底取向等与外延层x值的关系.此外,为了使x值达到所希望的适当范围,进行了InSb_1-xBi_x电外延的初步试验.     

In1-xGaxAsyP1-y-InP异质结界面组分过渡层的俄歇电子能谱研究

用俄歇电子能谱研究了由两相过冷溶液法液相外延生长的In_1-xGa_xAs_yP_1-y-InP单异质结.四元层初始生长温度在631℃至641℃范围内变化;降温速率在0.7/~1.2℃/分之间变化.层厚小于0.5μm的薄四元层内各组分的原子百分浓度不随深度而变,即不存在组分梯度.异质结界面组分过渡层内P组分的原子百分浓度C_p(Z)随深度Z的变化,可用一双曲正切函数的经验公式表达.     

深扩散和表面减薄改善硅扩散结太阳电池性能的可能性

前表面复合速度对硅扩散结太阳电池性能的影响已经由许多作者进行过研究^[1~7].     

硅烷外延生长速率和衬底取向的关系

用硅烷热分解方法生长硅膜时,硅膜的生长速率与衬底取向及材料无关.不同衬底在低温区具有相同的生长激活能.作者认为硅烷外延生长和四氯化硅外延不同,其生长机制是硅烷气相分解产物通过滞流层向衬底的定向扩散并在衬底上堆积.     

用10.6μm红外激光辐照在硅中掺入铝和锑制备大面积p-n结的研究

用脉冲高能红外激光(波长10.6μm),在N型和P型单晶硅中分别掺入铝和锑,制备了最大面积可达φ20mm的p-n结.激光掺杂存在一个阈值能量密度.掺杂浓度和深度的分布与预热温度和杂质镀层厚度有关.并对p-n结的伏安特性,扩散层薄层电阻和光生电压进行了测试.     

Co与掺杂Si固相反应形成CoSi2接触pn结及反应过程中As的行为研究

研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结.     

半导体PN结光电成像

该文描述半导体ＰＮ结，在不同偏置电压下，受强度调制光照射时，产生的光生电压的测量结果，并对ＰＮ结进行了静态（非工作状态）和动态（外加工作电压）光电成像。从理论上探讨了ＰＮ结光电成像的物理机制，得到了ＰＮ结光电成像的一般规律，由此为集成电路等半导体器件进行静态或动态光电成像检测及分析提供依据。     

器件钝化中的应力中心和应力补偿效应

半导体器件的表面钝化是器件自身的稳定性和可靠性所必需.然而器件衬底和表面氧化膜之间常因热学性质不匹配而产生较大的应力,如高温氧化后的硅片中的张应力^[1].由于Si-SiO₂界面的应力增加了结构内部的缺陷,使器件的电流增益β明显下降.     

掺硅的砷化镓体晶体的若干特性

近年来,对砷化镓光电器件的研究结果表明,用作衬底的砷化镓晶体,以掺Si材料为佳.与掺Te和掺Sn的相比,它的发光输出量大,晶体完整性较好,因而受到广泛的重视.目前对掺Si晶体的研究,在研制无位错单晶生长的同时,对晶体的性质和微结构也进行了不少的工作^[1-4].但对掺Si后的晶体中,由于杂质及缺陷的相互作用而引起晶体特性的变化,尚未见有系统的报道.     

一种提高SOS膜结晶质量的新途径

这是一种提高SOS膜结晶质量的新方法.这种方法包括三步:1)在蓝宝石衬底上先用电子束蒸发薄无定形硅保护层.2)然后在氢气中进行退火处理.3)再用通常CVD方法在带薄硅层上外延生长所需厚度(0.6~0.8μm)的SOS膜.对所得SOS膜进行电子衍射、Nomarski相衬干涉显微镜表面观察、载流子浓度测量和光吸收研究表明:SOS膜质量完好,光吸收因子F_A ≤ 140×10⁶cm^-2,抑制了自掺杂,载流子浓度不超过1×10¹³cm^-3.     

磁光光盘动态性能的研究

该文报道了所研制的具有AIN/TbFeCo/AIN/AI四层结构磁光光盘的动态性能测试结果.当记录信息位尺寸为1μm时,信息读出载噪比大于45dB,载噪比随盘片径向位置而异.文中根据测试结果,讨论了影响载噪比的诸因素.     

氧化钇稳定的氧化锆上外延硅生长的研究

绝缘衬底上高质量亚微米厚硅单晶膜的获得对于制成高速度、高集成度、低功能和抗辐射的集成电路十分重要.蓝宝石上外延硅膜的生长和其CMOS/SOS集成电路的研究已为国内外学者所重视.     

用电导深能级谱检测砷化镓肖特基栅场效应晶体管中的深能级中心

用电导法检测了砷化镓肖特基场效应管中的深能级中心,测试样品有外延材料及全离子注入两种.#br#实验结果表明在所有的场效应管中都存在有E_V+0.91eV及E_V+0.52eV两个深能级中心.前者是铬产生的能级.在噪声很大的全离子注入场效应管中还发现有E_V十0.71eV能级.在一些噪声大的外延场效应管及性能已退化的场效应管的深能级瞬态谱上还有一很宽的大幅度的带,相应能级位置约在E_V十0.12eV到E_V十0.5eV之间.这可能是由界面态所引起的.测试表明全离子注入法制造的场效应管中的缺陷可少到最好的外延材料制造的场效应管水平.