有机电致发光器件及其发光机理

有机电致发光器件是近年来国际上研究的一个热点,发展非常迅速.文章概述了有机电致发光(EL)器件的材料与结构,特别对其发光机理进行了详细介绍,展望了器件未来的发展趋势.     

橙黄色电致发光器件发光特性的研究

本文叙述了橙黄色薄膜电致发光器件(TFEL)和采用陶瓷厚膜作为绝缘层、ZnS:Mn作为发光层的橙黄色陶瓷厚膜电致发光器件(CTFEL).测量了器件的电致发光光谱和亮度-电压曲线,研究了效率-电压等特性.     

可溶性聚合物薄膜发光器件的电致发光

采用脱氯化氢反应合成出氯仿可溶性的ＭＥＨ－ＰＰＶ聚合物,用ＭＥＨ－ＰＰＶ作为发光材料制备了单层结构ＩＴＯ／ＭＥＨ－ＰＰＶ／Ａｌ和双层结构ＩＴＯ／ＭＥＨ－ＰＰＶ／Ａｌｑ３／Ａｌ电致发光器件,测量了器件的电致发光谱、Ｉ－Ｖ特性和Ｂ－Ｖ特性,利用能级理论分析了器件的发光特性了随器件结构的不同所具有的规律,实验表明,单层结构器件和双层结构器件的发光出现在ＭＥＨ－ＰＰＶ层,当加入Ａｌｑ３电子传输层／空穴阻挡     

掺铒硅基纳米发光薄膜的形成过程与性能研究

采用MEVVA离子源强束流离子注入机,将稀土Er离子注入单晶硅、Si和Er离子双注入单晶硅及热氧化硅,Er在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达10％,即数密度约10^21cm^-3,注入态样品快速退火后有纳米晶Si形成;77K和室温时用441．6nm光激发有Er^3 较强的1．54μm特征发光发射,探讨了在硅基材料中高浓度Er掺杂薄膜中纳米结构的形成与Er^3 的光致发光性能。     

双层氧化硅(富硅氧化硅和热氧化硅)栅氧化层MOS场效应晶体管的研制

本文报导全部应用常规工艺制造出45埃热氧化硅和200埃富硅氧化硅的双层栅氧化层MOS场效应晶体管。作者首次描述利用常规光刻技术,用BOE腐蚀液刻蚀双层氧化硅层。     

低浓度掺铒耳磷酸盐非晶的上转换发光

研究了Ｅｒ０．０３Ｌａ０．９７Ｐ５Ｏ１４非晶在６５１．０ｎｍ脉冲染料激光激发下的上转换现象，并用Ｊ－Ｏ理论解释了其上转换发光机制为单个离子的步进多光子吸收。     

发光层厚度对有机电致发光器件性能的影响

采用真空热蒸发镀技术制备了双层结构的有机电致发光器件：ITO／TPD／AIq3／Al,测试Alq3发光层厚度分别为30nm、70nm、120nM的有机电致发光器件的J-V、L-I特性曲线,研究其发光强度随发光层厚度的变化影响,并解释产生影响的主要原因。     

LiF修饰阴极的双层有机电致发光器件发光效率

考虑LiF绝缘缓冲层对电子注入势垒的影响, 给出了LiF/金属复合电极注入势垒的表达式; 基于载流子的注入和复合过程, 建立了双层有机电致发光器件发光效率的理论模型; 讨论了器件效率随电压、注入势垒、内界面势垒、有机层厚度的变化关系. 结果表明: (ⅰ) 当δ_e/δ_h < 2时, 金属/有机物(M/O)界面属于欧姆接触, 当δ_e/δ_h = 2时, M/O界面成为接触限制, 当δ_e/δ_h = 2(Φ_h ≈ 0.2 eV, Φ_e ≈ 0.3 eV)时, M/O界面存在从欧姆接触向接触限制的转变; (ⅱ) η_EL随δ'_e/δ'_h的增大而减小, 但δ'_e/δ'_h>2.5 (H'_h ≈0.2 eV,H'_e >0.4 eV), η_EL的变化趋势变得平缓, 这时载流子注入对器件的η_EL起支配作用; (ⅲ) 逐渐增加L_h/L比值, 较低电压下hR呈下降趋势, 较高电压下η_R则呈上升趋势. 当电压超过启动电压后, 对于给定的L_h/L, 随电压的增大, η_EL是先增加后降低, 且随着L_h/L的增加, η_EL的这种变化趋势更加明显. 这些都与报道的理论及实验结果相符.     

硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制

用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜．用XRD、XPS技术和电致发光谱分析技术．研究该薄膜的微结构与发光特性．发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差异，掺入的稀土元素铒呈三价．电致发光谱为Er^3 的发光谱线．硅衬底硫化锌发光薄膜器件可与硅器件工艺兼容．     

掺铒硅基玻璃的制备及光谱性质

通过溶液－凝胶技术制备了掺铒（Er)的硅基玻璃,测定了硅基玻璃中Er^3 的电子吸收光谱、红光外谱和光致发光光谱（PL谱）。结果显示,在室温下,Er在硅玻璃中产生波长1．54μm的红光荧光,其强度随掺杂浓度的不同而改变,0．5w%掺杂浓度下出现最大值。电子吸收显示Er^3 的特征吸收谱线,根据电子吸收光谱确定了Er^3 在硅基玻璃中的部分能级。     

一种白色有机电致发光器件的发光和电学性能

以铟锡氧化物(ITO)玻璃基片为衬底,8-羟基喹啉锂(Liq)掺杂红荧烯(Rubrene)作为单一发光层,制备结构为ITO/PTV:TPD/Liq:Rubrene/Alq3/Al的白色有机电致发光器件(OLED),对4种不同掺杂浓度器件进行比较,分析了掺杂剂对器件发光亮度的影响,并对上述器件的发光和电学性能进行了研究和探讨.     

氧化多孔硅的发光机制

利用阳极氧化法制备了5种光致发光峰位不同的多孔硅,对该系列样品于400℃氧化处理1,2,4,8min和24min．通过研究其光致发光谱、红外吸收谱和瞬态谱,证明氧化多孔硅的光致发光来源于氧化硅中的发光中心．     

氧化多孔硅和纳米硅粒镶嵌氧化硅光致发光机制模型

关于纳米硅／氧化硅系统的光致发光(PL)机制，有很多争议．该系统包括氧化多孔硅(PS)和用化学气相沉积、溅射或硅离子注入氧化硅等方法形成的纳米硅粒(NSP)镶嵌氧化硅．提出二种PL竞争机制：量子限制(QC)过程和量子限制-发光中心(QCLC)过程．两个过程中光激发都发生在NSP中，光发射在QC过程是发生在NSP中，而在QCLC过程是发生在与NSP相邻的氧化硅中的发光中心上．对两种过程的几率大小进行比较．哪一过程对PL起主要作用，取决于俘获截面、发光效率、发光中心密度和NSP的尺寸．对于一个有固定的俘获截面、发光效率和LC密度的纳米硅／氧化硅系统，LC密度越高，NSP尺寸越大，越有利于QCLC过程超过QC过程，反之亦然．对于固定的发光中心参数，NSP尺寸有一个临界值，当NSP的最可几尺寸大于临界值，QCLC2过程主导发光，当NSP的最可几尺寸小于临界值时，QC过程主导发光，当NSP大小接近临界值时，Qc与QCLC都要考虑在内．利用这个模型讨论了一些已报导的纳米硅／氧化硅系统PL的实验结果．     

一种掺铒离子化合物的上转换发光的研究

合成了一种新型掺Er 离子化合物的上转换发光材料,测量了此材料在短波段的上转换发光光谱和激发光谱,初步研究了它们在短波段的上转换发光过程:短波段的上转换发光分别为三光子或四光子过程.还比较了掺杂敏化剂和不掺敏化剂两种情况下的上转换发光的变化情况     

掺铒氧化钇荧光粉的合成、表征及辐射发光性能

Radioluminescence (RL) behaviour of erbium-doped yttria nanoparticles (Y₂O₃:Er3+ NPs) which were produced by sol–gel method was reported for future scintillator applications. NPs with dopant rates of 1at%, 5at%, 10at% and 20at% Er were produced and calcined at 800°C, and effect of increased calcination temperature (1100°C) on the RL behaviour was also reported. X-ray diffraction (XRD) results showed that all phosphors had the cubic Y₂O₃ bixbyite-type structure. The lattice parameters, crystallite sizes (CS), and lattice strain values were calculated by Cohen-Wagner (C-W) and Williamson-Hall (W-H) methods, respectively. Additionally, the optimum solubility value of the Er3+ dopant ion in the Y₂O₃ host lattice was calculated to be approximately 4at% according to Vegard’s law, which was experimentally obtained from the 5at% Er3+ ion containing solution. Both peak shifts in XRD patterns and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analyses confirmed that Er3+ dopant ions were successfully incorporated into the Y₂O₃ host structure. High-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) results verified the average CS values and agglomerated NPs morphologies were revealed. Scanning electron microscopy (SEM) results showed the neck formation between the particles due to increased calcination temperature. As a result of the RL measurements under a Cu K_α X-ray radiation (wavelength, λ = 0.154 nm) source with 50 kV and 10 mA beam current, it was determined that the highest RL emission belonged to 5at% Er doped sample. In the RL emission spectrum, the emission peaks were observed in the wavelength ranges of 510–575 nm (2H_11/2, 4S_3/2–4I_15/2; green emission) and 645–690 nm (4F_9/2–4I_15/2; red emission). The emission peaks at 581, 583, 587, 593, 601, 611 and 632 nm wavelengths were also detected. It was found that both dopant rate and calcination temperature affected the RL emission intensity. The color shifted from red to green with increasing calcination temperature which was attributed to the increased crystallinity and reduced crystal defects.     

稀土有机配合物发光材料及电致发光器件的研究和设计

论述了稀土有机配合物的电致发光原理、器件结构、电致发光材料。介绍了目前研究状况及应用前景。     

8-羟基喹啉合锂作为发光层的明亮电致发光器件

以LiOH与 8_羟基喹啉反应合成了 8_羟基喹啉合锂配合物 ,用元素分析、热重分析和红外吸收光谱分析确定了其组成为Li (C9H7NO)·4H2 O ,结果表明该配合物是热稳定性高、升华性好、光致发光性能优越的蓝色发光材料 ;以该配合物作为发光层和电子传输层 ,用真空镀膜法得到了结构为ITO TPD LiQ Al的明亮的蓝 -绿色电致发光器件。     

全激基复合物发光实现结构简单、光谱稳定白色有机电致发光器件

利用电子传输型受体分子PO-T2T分别与空穴传输型给体分子mCP、TAPC实现蓝光混合型激基复合物及红光界面型激基复合物的构建,并通过调节给体TAPC薄层位置制备了无需发光染料、结构简单、光谱稳定的高效白色有机电致发光器件.器件的发光亮度超过14000 cd/m2,最大电流效率、外量子效率分别为17.7 cd/A、6....