次近邻电子跳跃对PNB聚合物中极化子能级与晶格位形的影响

在Baranowski-Büttner-Voit（BBV）模型的基础上，讨论了次近邻电子跳跃对PNB（pernigraniline－base）聚合物中空穴型极化子和电子型极化子能谱结构及晶格位形的影响．数值计算表明：（1）逐渐增强的次近邻作用可使两类极化子导带宽度变小，价带宽度变大，极化子能级之间的跃迁能逐渐减小；电子型极化子的宽度明显变小，而空穴型极化子几乎不变；（2）通过与Leng J M等人的实验结果对比，确定极化子晶格中的次近邻跳跃强度β＜0.08．     

有机铁磁体中链间电子跳跃积分诱导的电荷密度波

在考虑准一维有机铁磁体的链间相互作用、电子的巡游性、强的电子－电子关联、电子－声子耦合的基础上,在链间耦合中同时计入相邻链相同格点间电子跳跃积分和相邻链次近邻格点间电子跳跃积分,研究了链间耦合对电荷密度和自旋密度分布的影响．结果表明,链间耦合可以导致主链上出现ＣＤＷ,不同格点间的链间耦合诱导自旋密度在侧基和主链间发出不同的转移     

推广的SSH哈密顿及其孤子解

使用紧束缚近似方法推导出推广的ＳＳＨ哈密顿，比Ｄａｖｙｄｏｖ孤子的哈密顿多了一个表现电子近邻跳跃与晶格振动的耦合项，随后使用数值方法计算非线性方程的孤子解。对一些材料，与Ｄａｖｙｄｏｖ孤子解一致，对另一些材料，则产生不同程度的变形。     

次近邻电子跳跃对聚苯胺基态电子结构的影响

在聚苯胺的Baranowski-Büttner-Voit模型基础上,引入了含有次近邻电子跳跃的哈密顿修正项,并推导出相关理论公式.数值计算了完全氧化态的Pernigraniline-base(PNB)和半氧化态的Emeraldine-base(EB)的基态电子能谱结构,结果表明(1)次近邻电子跳跃对能隙和总带宽的影响较小;(2)随着次近邻跳跃强度的增加,PNB聚合物价带宽度将增加,导带被压缩;而EB聚合物的导带与价带均被压缩.     

二维晶格色散关系和态密度的紧束缚模型计算

文章利用紧束缚模型计算了二维正方、三角、六角格子色散关系。对于正方和三角格子,主要考虑电子在最近邻格点上的跳跃情况。对于六角格子,以石墨烯为例,考虑电子只在最近邻格点上跳跃以及同时考虑电子在最近邻和次近邻格点上跳跃两种情况。对于以上3种格子的色散关系,利用Matlab软件进行图形化,并用Fortran软件编程计算相应的态密度,计算结果对理解不同晶格的电学性质提供理论基础。     

硫铁矿晶体化学及前线轨道研究

运用基于密度泛函理论DFT(density functional theory)的第一性原理方法,计算了黄铁矿、白铁矿和磁黄铁矿晶体的Mulliken布居、电荷密度、差分电荷密度及前线轨道,并进行了分析.计算结果表明,黄铁矿和白铁矿晶体的铁原子带负电,硫原子带正电,铁-硫键之间主要以共价性为主,另外,黄铁矿硫-硫键之间...     

一维介观链中的多电荷孤子研究

采用半经典模型对一维介观结链中存在多个剩余电子时的电势分布进行了研究, 并发现在一维介观链中存在多电荷孤子.多电荷孤子的特征是它的电势峰劈裂为多个峰, 每个剩余电子存在的岛都对应着 1 个峰. 同时也发现单电荷孤子等效的方法在处理多电荷孤子时同样实用.     

卤素桥接混合价含金属络合物中的对角与非对角电子—晶格耦合

本文研究准一维卤素桥接混合价含过渡金属络合物(HMMC's)中的对角和非对角电子—晶格耦合.利用Green函数方法首次计算了非对角电子—晶格耦合对极化子结合能的影响.结果表明,当同时包括对角和非对角耦合时,这种物质的基态将是电荷密度波(CDW)和键序波(BOW)共存,而以前的研究者都认为在这种物质中只存在电荷密度波(CDW).     

氢键系统中两类子晶格非简谐势作用下的孤子对

以氢键系统中的二分量孤子模型为基础,研究了两类不同子晶格中非简谐势作用下的孤子对的运动,获得了源子非简谐性下孤子对的非对称解,并得出了孤子对的能量,有效质量和电荷密度。     

准一维有机铁磁体中的电荷密度和自旋密度分布

考虑格点间的电子—电子Coulomb排斥及非最近邻电子跳跃相互作用 ,对具有链间耦合的准一维有机铁磁体系统的电荷密度和自旋密度的分布进行了研究。结果表明 ,格点间的电子—电子Coulomb排斥相互作用将导致电荷密度和自旋密度在系统的主链不同格点及侧自由基之间转移 ;两条相邻的链的对应格点间的链间耦合相互作用使电荷密度和自旋密度在主链格点以及侧自由基间发生重新分布的规律相反 ,且在主链格点以及侧自由基间转移的电子均为自旋向下的电子。     

棒状碳硼聚合物的电子性质研究

本文运用一维晶体轨道从头算方法研究棒状聚合物(1,12—C_2B_(10)H_(10))n的电子性质和能带结构.研究结果包括总能量、能带结构和电荷分布.能隙显示该聚合物是绝缘体,导带和价带的带宽很窄,说明电子流动性较差。硼和碳原子在体系中均带负电荷,说明没有共轭链形成.     

ReB2电子结构性质的第一性原理计算

利用全势线性缀加平面波方法计算ReB2的体模量、价电荷态密度、电子能带结构和电子态密度.计算发现当取B’0=4时,局域密度近似（LDA）考虑自旋轨道耦合（SOC）得到的体模量为360 GPa,与实验值吻合的很好.电子能带结构表明ReB2具有特殊的金属特性,LDA＋ SOC计算结果发现几乎所有能带沿L-H-A方向发生分裂.价电荷态密度和电子态密度结果表明Re-d和B-p态之间存在强的杂化,形成Re-B共价键,这类共价键是ReB2具有高硬度的主要原因.     

C60与石墨烯复合材料性能的理论研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理,计算了C60与石墨烯两种可能的复合材料的电子结构,分析了复合材料的能带结构、电子态密度和Hirshefeld电荷转移.计算结果显示,复合材料表现出导体性质.     

La2—xSrxCuO4的局域电子态密度

本文用紧束缚近似计算了La_2-_xSr_xCuO_4(x=0, 0.15)的局域电子态密度.计算结果与能带论和实验符合,但比能带的结果更为细致.本文讨论了掺杂Sr以后的效果.与YBa_2Cu_3O_(7-x)材料相比较,可以认为这两种材料主要的超导机理是相同的.     

Electronic structure of doped trans-polyacetylene

The behavior of electronic structures of doped trans-polyacetylene is revealed by a simple method. (C₂₄H₂₆)⁺ⁿ is used to simulate p-type doped trans-polyacetylene at various doping concentrations. The electronic structure is calculated, by CNDO/2 method. These calculations show that at low doping level, the decrease of electronic energy compensates the increase of elastic energy, thus the bond alternation exists, and the charge carriers are solitons. When doping level is high, the increase of elastic energy is larger than the decrease, of electronic energy, the bond alternation disappears, solitons no longer exist, and polyacetylene is in a metalic state. Foundation item: Supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 19834070) Biography: Ren Da-zhi (1948-), male, Associate professor, research direction: solid state physics.     

超导体二硼化镁电子结构和掺杂研究

利用基于密度泛函理论(DFT)的线性缀加平面波方法(LAPW)对多频带双能隙超导体二硼化镁进行电子结构研究,研究了二硼化镁的电子能带图、态密度(DOS)和电荷密度.对二硼化镁进行电子掺杂和空穴掺杂,分别用铝原子代替镁原子,碳原子代替硼原子,对其能带和电荷密度的改变进行探讨.     

Ta原子位置改变对立方NaTaO3电子结构的影响

基于密度泛函理论(DFT)的第一原理方法,运用CASTEP计算了Ta原子位置的改变对立方相NaTaO3电子结构的影响.结果显示Ta的位置变化导致晶格畸变,使电子结构发生变化,影响能带结构、能态密度(DOS)、Mulliken 布居、电子密度等.Ta原子的Z坐标分数由0.5变至0.8,即随着畸变程度提高,电子转移逐渐增强, 主要是由于导带中Ta的d电子能量升高,O的p电子能量降低,Na的p部分电子能量降低,致使导带能量升高,使禁带宽度增大.     

同主族C-Si共掺杂TiO2可见光区光催化性能的第一性原理计算

本文利用密度泛函理论（DFT）第一性原理平面波超软赝方法对C-Si共掺杂TiO2电子结构、差分电荷密度和光学特性进行了研究,计算结果表明,共掺杂能明显降低体系的带隙(约为1.7eV)。能有效增加其光催化活性;从总态密度图可以得到,费米能级附近的杂质态降低了载波跃迁能。C-Si的共掺杂能有效提高其在可见光区域的吸收系数,特别是在三种不同的构型中,第三构型在可见光区域具有最大吸收系数。     

Ti原子位置对立方SrTiO3电子结构的影响

基于第一性原理密度泛函理论框架下的平面波超软赝势计算方法,计算分析了Ti原子Z轴分数坐标的移动对立方SrTiO 3的能带结构、能态密度和Mulliken电荷布居方面的电子结构的影响。计算结果表明,随着Ti原子Z坐标的上移,O原子的电子逐渐转移到Ti原子上,使得O的部分电子能量升高,Ti的部分电子能量降低,价带与导带渐渐重叠,能隙消失,即Ti原子位置可以强烈影响SrTiO 3的电子结构。     

水杨醛缩二胺类锰配合物溶剂效应的密度泛函理论研究

用密度泛函理论(DFT),在B3LYP/Lan l2DZ水平下,研究了两种水杨醛缩二胺类锰配合物分子几何构型和电子结构,依据Onsager自洽反应场(SCRF)模型考察了它们在不同溶剂中的溶剂效应。结果表明:溶剂效应对该体系的各电子组态能量顺序没有影响,考虑溶剂环境后对原子电荷的计算几乎无影响,随着溶剂极性的增强,体系的前线轨道能级差值△E增大,但其差异不大。