石墨烯场效应晶体管电子识别葡萄糖

以铜箔为衬底,采用化学气相沉积的方法制备大面积单层石墨烯薄膜并制备相应的石墨烯场效应晶体管,过氧化氢电子识别研究表明,石墨烯场效应晶体管的电性能对由过氧化氢产生的外来干扰非常灵敏。利用末端带有吡啶环功能基团的葡萄糖氧化酶对石墨烯场效应晶体管进行表面改性后,葡萄糖电子识别结果表明其器件对葡萄糖有非常灵敏的电子识别性能,其检测下限小于0.1 mM,且具有生物传感器响应快、稳定性好的特点。     

用氮化硅作绝缘膜的砷化镓绝缘栅场效应晶体管的研究

利用可控射频溅射技术生长的氮化硅作绝缘膜,制造出Al/Si_3N_4/n-GaAs 的MIS 二极管和埋沟耗尽型GaAsMISFET.溅射时不通纯氢,器件的C-V 和I_D-V_D 特性中显示出明显的滞后效应和环状回线.溅射前先用高纯氢等离子体处理GaAs 表面,溅射过程中伴以微量的纯氢,溅射后适当退火,可以得到基本上没有滞后效应的C-V 曲线和I_D-V_D 特性中几乎没有环状迴线的MISFET.测量表明:g_m 的最大值约为2.7mS,界面陷阱密度为2.7×10~(11)～1.4×10~(12)cm~(-2)eV~(-1),界面陷阱能级位于导带下0.55和0.13eV 处,表面迁移率为4000～5400cm~2V~(-1)s~(-1).     

砷化镓金属—半导体场效应晶体管的二维数值分析

本文叙述用有限元方法对工作在导带的 GaAs MESFET's 器件进行二维稳态模拟的程序.用三角形单元不均匀网格剖分的程序,能局部加密,优化结点编码,缩小带宽;对基本方程离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;方程求解采用藕合法,偏压步长大,计算速度快.     

碳纳米管薄膜场效应晶体管的初步研究

硅电子器件是微电子科技中最重要的一类器件,它对二十世纪的科技发展起了重要的影响。但是小型化,高速,低能耗和散热的问题,使硅器件越来越难满足发展的需求。碳以很多形式出现,如金刚石,石墨,富勒烯和纳米管,无定型碳等。和氢结合以后,可以得到一系列的有机物。碳基材料范围很广,包括小分子和聚合物,它们包括绝缘体,半导性能和导电聚合物,具有开关性能,具有超导性能和磁性能等。将来碳基电子将有可能取代硅电子器件。固态碳有两种成键方式,sp3和sp2成键形式。在它的sp2成键形式中,如富勒烯和石墨,碳是半导体性能的。富勒烯的衍生物如C60和C70已经被用于制备有机薄膜晶体管。石墨本身尽管在电子器件中没有很多的应用,但是如果它按一定角度卷成管状——纳米碳管。碳纳米管具有独特的电学和力学性能,自1991年被发现以来,立即引起了各国科学家的广泛兴趣,其研究热情有增无减。由碳纳米管制备纳米电子器件,这可能是集碳纳米管各种物理化学性能于一体的,实现其巨大潜能的终极目标。     

碳纳米管用于场效应晶体管的应用研究

 传统硅晶体管在微小化方面遇到瓶颈,碳纳米管作为一维量子材料,成为未来晶体管最具潜力的候选者。介绍了几种典型的碳纳米管场效应晶体管结构的基本工作原理及独特性能;着重介绍了近年来几种常见的碳纳米管场效应晶体管,并结合其结构与工作原理,论述了一系列技术革新和性能改进;总结了碳纳米管场效应晶体管未来需解决的几个重要问题。     

氯离子敏感场效应晶体管电极的研制

本文采用两个场效应管并联的芯片,在其中一个的栅区以聚酰亚胺膜作为参比膜,另一个的栅区以氯化银膜作为氯离子敏感膜,制成氯离子敏感场效应晶体管(Cl~--ISFET)。采用差分测试法对氯离子进行测试,其线性响应范围是1.0～1.0×10~(-5)mol·L~(-1),响应时间小于5秒,24小时漂移小于1mv/hr,连续使用寿命75天。     

石墨烯晶体管研究进展

针对集成电路的特征尺寸小于10nm以下所面临的短沟道效应、隧道效应和制造工艺限制困难引发的研究热点——石墨烯能否替代硅,着重从数字晶体管、射频晶体管和柔性透明晶体管3个方面概括和分析了新型石墨烯晶体管的发展现状。分析认为:石墨烯平行纳米带阵列结构和异质结结构有望打开石墨烯禁带以实现大的电流开关比,将是石墨烯数字晶体管的研究热点;通过降低接触电阻、接入电阻以及衬底、栅介质的匹配来提高截止频率和最大振荡频率将是石墨烯射频晶体管的主要发展趋势;基于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底和离子凝胶栅介质的柔性制造技术,最有希望在保证石墨烯高迁移率的基础之上实现全石墨烯透明柔性电路,使石墨烯晶体管得以实用,必将对集成电路行业产生巨大影响。     

双栅场效应晶体管宽带电调放大器

本文介绍一种单级双栅场效应晶体管电调放大器,电调范围为970～1470MHz,3dB调谐带宽<90MHz,噪声系数<2.5dB,增益≥10dB。将它运用到卫星直播电视接收机的第二混频器输入瑞,可提高抑制镜象干扰能力约20dB。     

场效应纳电子晶体管的构造和电学特性测量

研究了场效应纳电子晶体管构造过程中金属电极的结构设计,源-漏电极高度、SiO₂绝缘层厚度以及金属电极选材等因素对器件性能有关键的影响。在此基础上测量了单壁碳纳米管束的场效应行为,构造成功基于单壁碳纳米管束的场效应晶体管。     

π-Conjugated Organic Semiconductors for Field-Effect Transistors

1Results and Discussion Organic semiconductors employed as active layers in field-effect transistors (FETs) are of great current interest because such FETs can potentially be fabricated at low cost, over large areas, and on flexible substrates. Such facile fabrication approaches offer a significant advantage over silicon technology in numerous applications.     

有机场效应管在晶体电光调制中的应用

利用以肽菁铜为半导体层的有机场效应晶体管构成一个 反向放大电路作为电光调制器的调制电路, 测试了其对光信号的调制效果. 实验结果表明, 有机场效应管在低频下可实现放大功能, 为电光晶体提供驱动和调制电压, 并实现了对激光信号的调制. 根据实验结果, 对该场效应管的性能进行了分析.     

有机场效应晶体管的研究与应用进展

有机场效应晶体管(Organic Field Effect Transistors,OFETs)是以有机半导体材料作为有源层的晶体管器件。和传统的无机半导体器件相比,由于其可应用于生产大面积柔性设备而被人们广泛的研究,在有机发光、有机光探测器、有机太阳能电池、压力传感器、有机存储设备、柔性平板显示、电子纸等众多领域具有潜在而广泛的应用前景。文中对OFET结构和工作原理做了简要介绍,之后重点讨论了最近几年来OFET中有机材料和绝缘体材料的发展状况,接着总结了OFET制备技术及其应用新领域,最后对OFET发展面临问题及应用前景做了归纳和展望。     

Organic Field-effect Transistors Based on Tetrathiafulvalene Derivatives

1 Restults Tetrathiafulvalene (TTF) and its derivatives have been extensively investigated in the field of organic conductors and superconductors since 1973. Recently, their application in organic field-effect transistors (OFETs) has attracted considerable attention. So far, on the one hand, the fabrication techniques of the TTF-based FETs have been primarily limited to high vacuum evaporation, which is a relatively expensive process. On the other hand, low FET performances, such as the low on/off ratio...     

加工有机晶体管电极的压力选择性剥离方法

提出一种简单有效的图案化有机场效应晶体管中聚乙撑二氧噻吩和聚磺化苯乙烯(PEDOT:PSS)聚合物电极的方法,运用带有凸纹图案的环氧树脂模板选择性的剥离涂敷在基底的PEDOT:PSS 薄膜形成图形.结果表明,环氧树脂模板与聚合物间的高黏附功可使薄膜易于发生选择性剥离,从而使其快速大面积的图案化.     

基于光响应的林一草模式冠层郁闭度研究

模拟设计5个不同遮荫梯度,运用Li-6400便携带式光合测定仪从扁穗牛鞭草光响应生理的角度对林草模式植被恢复后冠层郁闭度大小控制进行了初步探索.结果表明:强度较大的60％和79％的遮荫下扁穗牛鞭草的最大净光合速率分别约为全光照的44.3％和42.5％,表观光合量子速率相对较小,对低光照不敏感,不适应此遮荫环境;遮荫16...     

氧流量对a-IWO薄膜及其薄膜晶体管电学性能的影响

本文采用射频磁控溅射方法,制备了非晶掺钨氧化铟(a-IWO)薄膜及其薄膜晶体管(TFTs),并探讨了溅射过程中氧流量对a-IWO薄膜及其TFTs性能的影响.研究发现,随着沉积过程中氧流量的增加,a-IWOTFTs器件的饱和迁移率降低,阈值电压正向偏移,说明溅射过程中氧流量的增加有效抑制了a-IWO沟道层中氧空位的产生,降低了载流子浓度.当溅射过程中氧气/氩气流量比为2∶28时,制备的TFT器件饱和迁移率为27.6cm2·V-1·s-1,阈值电压为-0.5V,电流开关比为108.     

复合开关晶体三极管特性的探讨

本文讨论了复合开关晶体管的基本特性和开关特性,提供了实测数据和应用电路实例。