香梨树腐烂病病原的生物学性状研究

在不同培养条件下,对香梨树腐烂病病原菌生长的影响进行了研究,结果表明,菌丝在高温、低温和最适温区内生长差异显著,在20-30℃的条件下生长较快,低于10℃或高于35℃均不利于菌落的生长;菌丝生长适宜的pH值为4-5,二者对菌丝生长无显著性差异,与其它酸性条件下生长的菌丝差异显著;香梨树皮培养基和玉米粉培养基上菌丝生长较好,与其它培养基上的菌丝生长差异显著;菌落在含有不同碳源和氮源的培养基上均能正常生长,光照对病原菌有一定的影响。     

氮气载气MOCVD外延生长GaN成核层研究

在GaN薄膜外延生长过程中,成核层的质量对外延薄膜的质量有着重要的影响。因此,虽然氮气气氛下生长高质量成核层是一个难点,但从安全和成本角度来考虑,值得去攻克这个难点。文章在氮气气氛下使用Thomas Swan 2英寸19片MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition)工业级生长设备在蓝宝石衬底上生长GaN成核层并利用原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)对样品表面进行表征。进一步研究了生长温度、生长时间、Ga源流量对GaN成核层的影响。结果表明GaN成核层的生长时间在2 min内呈均匀单层生长,生长温度在750℃以下成核岛分布均匀,Ga源流量与GaN生长速率呈线性关系,可简单的通过控制Ga源流量控制GaN成核层生长速率。     

应用于红树植物个体生长的模型

本文在国内外学者大量实验研究的基础上,讨论了红树植物的增长率、生长相关性和生长异连性,建立了红树植物干物质的生长方程。在分析高等植物同化产物用于生长、维持和呼吸的分配模式后,利用物质以及能量在生长、维持和呼吸之间的分配关系,给出了同化产物生成的数学模型。     

异速生长的QTL定位模型及一因多效性扩展

异速生长是生物界被广泛研究的一个重要生长规律。为了揭示异速生长相关的QTL及一因多效性,考虑了生物生长过程的动态特性,并基于功能作图的框架,构造了一个解析异速生长关系的QTL定位模型。使用这个模型,对一个大豆重组自交系群体(RIL)的叶片生物量和总生物量的异速生长关系进行了分析,并在第24号连锁群上检测到一个影响这一异速生长关系的QTL,同时使用Logistic生长曲线,在此QTL区间内检测到了影响叶片动态生长的QTL。模拟实验结果发现,通过该算法可提高QTL定位的准确性,也能评估异速生长的生长指数等参数。     

局部区域粒子源凝聚集团粒子密度的分布

在局部区域粒子源聚集生长模型的基础上,通过对凝聚集团的生长平面进行区域划分,研究了局部区域粒子源凝聚集团在生长平面内各区域的粒子密度分布情况。结果显示:凝聚集团大多数粒子均聚集于生长平面的中心区域,越远离区域中心,粒子数越来越少;另外,越接近种粒子区域,集团的粒子在生长平面内的面密度值越大,且其最大值出现在种粒子所在的区域,而不是生长平面的中心。该结果可能有助于找到凝聚集团生长的种粒子,从而判断粒子的来源,了解凝聚物生长的历史环境。     

异速生长的QTL定位模型及一因多效性扩展

异速生长是生物界被广泛研究的一个重要生长规律。为了揭示异速生长相关的QTL及一因多效性,考虑了生物生长过程的动态特性,并基于功能作图的框架,构造了一个解析异速生长关系的QTL定位模型。使用这个模型,对一个大豆重组自交系群体(RIL)的叶片生物量和总生物量的异速生长关系进行了分析,并在第24号连锁群上检测到一个影响这一异速生长关系的QTL,同时使用Logistic生长曲线,在此QTL区间内检测到了影响叶片动态生长的QTL。模拟实验结果发现,通过该算法可提高QTL定位的准确性,也能评估异速生长的生长指数等参数。     

唐菖蒲继代培养基优化研究

在唐菖蒲继代培养过程中,MS培养基中添加各生长物质对继代苗生长的影响都比较明显;同一配方对芽和根生长的影响不同;SA会抑制芽的生长,BA会抑制根的生长;配合使用生长物质效果更好;配方MS＋0.5BA＋0.1IAA中芽生长最好,配方MS＋0.5SA＋0.5NAA中根生长最好。     

缺陷表面氮化镓二次外延的分子动力学研究

采用分子动力学方法研究含有表面缺陷的氮化镓材料的二次外延生长过程,探讨生长温度,表面缺陷数量和缺陷结构等对二次生长材料质量的影响.发现当在生长表面随机引入3.125%占比的空位缺陷且生长温度在1 373 K以上时,对材料质量的影响不明显;当随机引入12.5%占比的空位缺陷时,可以改善二次生长材料的质量;当在生长表面上引入12.5%占比的2个六边形结构空位缺陷时,缺陷区域出现大量原子的岛状生长,同时原子排列变得无序,二次生长的材料生长质量明显劣化.     

微量量热法对嗜热菌、嗜冷菌热动力学性质的研究

应用极端条件下细菌生长的热动力学模型,用微量量热法研究嗜热菌,嗜冷菌的热动力学性质,分别测量了嗜热菌,嗜冷菌在不同温度下的生长热谱曲线,求出了细菌生长的动力学参数与活化态的活化参数,并通过计算机多元回归分析,得到了细菌生长的最佳生长温度及生长温度范围,试用非线性理论解释了细菌生长过程中熵增加的原因。     

基于SEBS-METRIC方法的黑河流域中游地区农田蒸散

使用涡度相关蒸散数据验证表明SEBS-METRIC方法可以用来估算黑河流域中游地区作物农田蒸散.结果显示:黑河流域中游地区作物生长季内ET总量空间差异大(398~709 mm,平均567 mm).在作物不同生长阶段,ET在时间和空间上变化剧烈.在区域平均水平上,生长初期、生长中期1、生长中期2和生长后期的ET占全生长季ET总量的比例分别为10.24%,29.44%,47.11%,13.21%,各生长阶段区域平均日ET依次为1.45,3.28,3.52,2.08 mm/d.ET月份变化明显,3月最小,4,5月迅速增大,6月达到生长季的蒸散高峰,7,8月有所降低,维持在一定水平,9月作物进入生长末期,迅速降低.     

多波形超声波辐照对啤酒酵母细胞生长的影响

研究了四种波形的超声波对啤酒酵母细胞生长的影响。在细胞生长的调整期进行超声辐照时,各种处理对细胞生长都有不同程度的促进作用,其中第三波形的效果最好,在对数生长期进行处理时,对细胞生长有抑制作用,且前期处理效果最发的波形对后期的抑制作用也最明显,在平衡期进行处理,对细胞生长没有明显影响。     

药用真菌韦伯灵芝菌丝培养特性的研究

通过平板培养的方式,观测不同碳源、氮源、温度、起始pH值4个因素对韦伯灵芝菌丝生长的影响。结果表明,韦伯灵芝菌丝在营养利用方面,适宜生长的碳源为糊精,适宜生长的氮源为酵母粉;在环境适应方面,适宜生长的温度范围为28～32℃,生长的最适起始pH值是6。     

秃杉苗期生长特性研究

以秃杉一年生播种苗为研究对象,从苗形态、苗高和地径生长情况、根系生长的季节变化等方面研究秃杉苗期生长特性,探究其在苗期的生长规律和生长指标.     

纳豆菌特性的研究

筛选具有强溶栓活性等多种生物学功能的纳豆菌,并对其形态、生长特性等进行研究。分离出单菌落,进行菌种鉴定,并在不同条件下用测菌悬液吸光度的方法研究其生长特性。经菌落形态、菌体形态以及生理生化特性鉴定确定为枯草杆菌。该菌种在种子培养基中生长的最适pH值为6.0～8.0,生长温度为30～45℃,耐盐性较高,在含7%以下NaCl的盐溶液中均能生长。纳豆菌的生长条件适宜于下一步产纳豆激酶的研究。     

不同作业类型下竹柳引种扦插试验

通过在不同作业类型下（分不同地块和不同覆膜方式）,观察竹柳生长状况,并和旱柳相比较。结果表明,竹柳在不同地块,苗木长势均良好,地径生长差异不显著。运用双膜覆盖扦插技术,能更好地保持墒情,更利于竹柳生长,通过旱柳和竹柳生长情况看,两者生长差异不大,综合分析,竹柳抗旱能力强,成活率高,适宜本地栽植。     

温度对几种作物尖孢镰刀菌菌株生长的影响

不同温度对几种作物枯萎病原菌生长影响的试验结果表明:在15～25℃范围内,甜瓜、西瓜、网纹甜瓜、黄瓜、甜椒、花生和豇豆7个寄主的枯萎病原菌菌株生长速度随温度的升高而增大,生长适宜温度为20～30℃,25±1℃时生长最快,25～30℃温度下,生长速度减缓;辣椒枯萎病原与以上的病原生长特性不同,辣椒枯萎病原菌菌株F L.6.5 030710 1在15～35℃温度范围内一直呈增长趋势;25±1℃,菌株的生长过程分3个阶段:0～24h为生长初期,菌株的生长速度缓慢;24～72h为生长中期,菌落直径迅速扩大;72～120h为生长后期,菌株的生长速度变慢.     

水热法制备氧化锌纳米棒阵列的生长动力学研究

采用低温水热方法,在经预先修饰的基底上制备出取向高度一致的ZnO纳米棒阵列.用SEM和XRD等手段对制备的纳米棒阵列进行了表征.ZnO纳米棒阵列水热生长动力学表明:当生长时间在8 h内时,纳米棒的生长速度较快,之后纳米棒的生长近乎停止,棒的长度和直径基本不再改变.在生长速度较快的8 h内时,纳米棒的径向生长由两个明显的动力学过程组成,即由生长时间在1.5 h内的快速生长步骤和随后的慢速生长步骤组成;纳米棒的长度以约5.5 nm·min-1的生长速度增加至2.4 μm.     

城镇二级出水污垢起始期生长情况的实验研究

结垢是城镇二级出水热能回用中的关键问题。该文在实验室模拟城镇二级出水板式换热器系统,利用直接称重和表面形貌立体观察相结合的方法,测量污垢在竖直流道内的初始期生长情况,研究流速和温度对污垢生长起始期的关系。实验结果表明:污垢起始期分生长、剥离和再生长3个阶段;流速在较高温度下对污垢生长的影响明显;温度对污垢生长呈单调增加作用,随着流速的增大,此作用更加明显;污垢生长过程中的剥离点随着温度的降低而提前出现。     

毛乌素沙地东南部樟子松树高和胸径生长分布特点研究

对毛乌素沙地东南部樟子松的树高、胸径、树龄及其频数分布进行观测分析.结果表明:(1)在樟子松林中,有50%~80%的树木生长情况相差不大,有10%~15%的树木生长很差,有10%~15%的树木生长状况好于平均情况.(2)随着树龄的增长,树高生长和胸径生长的分化都在加大,而胸径生长的分化更加明显,差异更大.(3)树高和胸径生长不同步,在樟子松幼林阶段树高快于胸径生长,18龄以上的樟子松进入了树高和胸径生长全面旺盛时期.(4)樟子松的生长与地理条件密切相关,土地贫瘠、干旱生长就不好;(5)树高分布和胸径分布都不是正态分布.(6)樟子松合理密植是可行的,但是栽植密度过大会导致生长缓慢,尤其是对胸径生长影响较大.     

TiO2纳米管阵列的可控生长及其生长机理探讨

目的研究TiO2纳米管阵列的可控生长最佳条件及其生长机理。方法采用阳极氧化法在Ti箔上生长有序排列的TiO2纳米管阵列,用场发射扫描电镜(日立S-4800型)分析其表面与界面形貌,通过电流-时间曲线分析TiO2纳米管的生长规律。结果通过实验结果可知,纳米管的可控生长模式为阻挡层变厚并趋于稳定;而纳米管的生长机理可以理解为化学溶解与电化学刻蚀与溶解的相互竞争并达到平衡,同时纳米管的生长受电压、温度、搅拌速度的影响,阳极电压不仅控制了纳米管的生长速度,还决定着纳米管的生长模式;纳米管生长速度随温度的升高而增大,随搅拌速度的增大而减小。结论通过分析纳米管的生长过程中电流变化与表面形貌,得出了纳米管的可控生长模式和纳米管的生长规律。