用于高Tc超导体光电特性研究简易测量系统

根据减压降温原理，自行设计制作了带光学窗口的ＬＮ２低温恒温器，其工作温区为６３．５—３００Ｋ．在自然升温状态中，低温区的温升速率约０．０２Ｋ／ｍｉｎ．根据几何光学原理，用较简易的光路实现了激光束的二维平面移动，其移动精度为０．０１ｍｍ．采用ＩＥＥＥ－４８８通用接口总线，实现了计算机控制下的数据采样．整个系统的采样速率可达６００次／ｍｉｎ，数据经处理后即可得到测量曲线．我们用该系统测量了高Ｔｃ超导样品的Ｒ～Ｔ关系曲线以及不同温度下ＹＢＣＯ薄膜的光响应随电流的变化曲线．结果表明，该系统能够运用于实际测量工作．     

超导与高Tc超导红外探测

本文介绍了超导电性理论,论述了高TC超导薄膜红外辐射探测器的工作原理、主要性能参量及国内外的研究与发展状况,并提出了今后的研究方向。     

生成Bi-Pb-Sb-Sr-Ca-Cu-O系超导体高Tc单相材料的温度条件研究

在不同温度下热处理的Bi_(1.7)Pb_(0.3)Sb_(0.1)Sr_2Ca_2Cu_3Oy超导体经液氮淬火或自然降温后,分析其相结构及交流磁化率——温度关系,发现低Tc(80K)相只在840℃以下(到820℃左右)才生成,在845℃～855℃温度范围内只有高Tc(110K)相生成。据此,用高温烧结之后,快速降温,越过低Tc相生成温区,在较低温度下退火,然后用自然降温的方法制成了110K单相的Bi-Pb-Sb-Sr-Ca-Cu-O系超导体。     

高Tc Gd—Ba—Cu—O系的穆斯堡尔效应

对不同氧浓度和铁含量GdBa_2(Cu_(1-x)Fe)_3O_(7-σ)在不同温度下(20～300K)所进行的~(57)Fe穆斯堡尔测量表明:正交相的谱具有四个亚晶位,各亚晶位的四极分裂值和同质异能移受氧含量的影响不大,但其相对强度却随氧含量和温度的改变而剧烈变化.分析表明,三个亚晶位对应于Cu(1),而具有最小四极分裂值的一个位于Cu(2).从相变强度与温度的关系,可得Cu(1)位上不同区域的德拜温度.在磁场的作用下,多晶粉末样品产生织构效应,用来分析各四极双线的极化情况.     

高温超导体转变特性曲线计算机测绘的研究

本文了研究了用微型计算机系统测绘高临界温度超导体转变曲线的工作原理，硬件结构和软件设计，该系统具有应用方便，精度高，数据处理方便，结果直观等优点。     

高临界温度YBaCu氧化物超导体的研制

我们制得了高Tc的YBaCuO超导体。样品用名义组分为YBa_2Cu_3O_x的原料经高温陶瓷烧结工艺获得。电阻测试得样品的临界温度Tc=91K,转变宽度△T=1.4K(10-90％电阻)。磁化强度测量证明完全抗磁区占85％的体积。样品制成隧道结在液N_2中观测到约瑟夫逊效应。     

铟,碲对铋基高温超导体的结构和物理性能的影响

本文采用预制Ｉｎ或Ｔｅ的复合氧化物方法，按设定的化学配比将Ｉｎ或Ｔｅ加入Ｂｉ基高Ｔｃ超导体中，通过结构与热分析表明，Ｉｎ加入Ｂｉ－１１１１产品亚稳相，改变主相晶体结构，能承受大的电流；Ｔｅ加入Ｂｉ－２２２３有良好的磁稳定性。本文用葬超导体上临界场与杂质颗粒平均距离关系分析了加Ｉｎ的结果。     

高温超导桥结特性自动测试研究

本文报告了自行研制的高温超导桥结特性自动测试系统，该系统包括软件控制及相关电路两部分。由系统软件控制实现自动测量、自动存储、显示及打印等多种功能。文章最后给出部分测试结果，优于常规系统的测试精度．     

HgBa2CuOx高温超导体的简易合成方法

本文报导了常压下ＨｇＢａ_２ＣｕＯ_ｘ高温超导体的合成方法，Ｘ光的测量结果表明超导样品的质量好，几乎不含其它杂相，超导转变温度为９１．５Ｋ，零电阻温度为８３Ｋ。     

高Tc超导体Y—Ba—Cu—O超导临界涨落的正电子湮没研究

利用正电子湮没技术寿命谱测量系统首次细致地测量了高Tc超导体Y-Ba-Cu-O材料在Tc转变点附近的正电子湮没寿命谱参数的变化特性,发现在Tc处正电子湮没寿命呈峰。根据超导涨落的KSS理论和BCS超导理论的形式,推导出了正电子在超导转变温度Tc附近超导态和正常态内的湮没率公式。经计算机数值积分得到与实验一致的结果,从而解释了实验上发现的异常现象。     

关于定宽曲线的一点注记

本文讨论了定宽曲线的一种性质。又定义了广义定宽曲线,并给出计算其周长的一般公式。     

高频连续时间的高阶0TA-C滤波器的直接实现

本文提出了一种具有跨导运算放大器和电容的高阶OTA-C 滤波器的实现方法,此类滤波器的灵敏度低,且截止频率高,调整方便,适于全集成,文中用实验证明了它的可行性。     

激光扫描淀积原位生长高TC超导薄膜

用激光束扫描淀积的方法，成功地在ＺｒＯ２（Ｙ），ＬａＡｌＯ３基片原位生长高质量的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ高温超导薄膜，其临界温度达到９０Ｋ以上，ＳＥＭ及ＸＲＤ分析表明，薄膜沿Ｃ轴择优外延生长，其结晶性很好，表现光滑均匀。