一种高精度电流镜电路架构的设计

电流镜在模拟电路中是核心模块之一,在模拟电路要求较高的场合,精度是决定电流镜性能的重要参数之一;但随着工艺尺寸的减小,由于沟道长度调制效应,电流镜电流匹配精度变低;采用UMC 65 nm工艺,通过Cadence公司的Spectre进行仿真验证, 文章所提出的电流镜电路架构实现了较高的精度,使得随着工艺尺寸的减小所带来的偏差能够很大程度减小,满足了电路对高精度的要求.     

CMOS电流镜及其应用

介绍了电流镜电路的基本原理，综述了电流镜电路技术的新进展，讨论了它在电流模式电路中的应用。     

电流模式线性变换高阶电流镜滤波器

为了设计具有电流控制功能的电流模式滤波器,研究了应用电流镜实现高阶线性变换有源滤波器.基于线性变换,给出了实现电流模式电流镜滤波器的系统设计简表,以便于设计全极点与椭圆函数滤波器.通过实例实现了仅由电流镜和接地电容组成的三阶椭圆低通滤波器.并采用0.18 μm CMOS工艺对电路进行PSPICE仿真.仿真结果表明,该电...     

一种新型连续可调脉冲电流源的设计

针对新型半导体激光器的应用需求,提出一种新型的数控可调的脉冲电流源,其核心部分是精密恒流源电路和脉冲电流镜电路。精密恒流源电路采用基于运算放大器的深度负反馈技术,提供一个精度高、稳定性好、幅值连续可调的恒定电流输出;脉冲电流镜电路采用高速场效应管实现对恒流源电流的复制和倍乘,降低脉冲电流源输出负载对前级深度负反馈部分的影响,提高电路的稳定性,并利用模拟多路复用器对电流镜栅极的控制,将脉冲信号传递到脉冲电流中,从而输出脉冲电流。仿真实验表明,提出的脉冲电流源运行稳定可靠,输出的脉冲电流的幅值、重复频率和脉冲宽度均可数控调节,电流幅值稳定,脉冲前沿陡峭,可满足不同的激光器驱动和测试需求。     

微电流条件下的开关电流镜失配补偿及其在CAB中的应用

提出了一个高精确、可工作在非常微弱电流的开关电流镜电路,采用一种可以自动调整镜像MOS管栅源电压的方法进行失配补偿,可实现因物理参数失配造成输出误差的补偿.根据可重构模拟单元CAB的设计需要,提出了双相位多输出电流镜及其失配补偿电路,讨论了工作时序与可编程开关的一体化设计.所提出的设计对于20%的失配只产生小于1%的误差,电流范围1nA~1μA.该电路可以使用CMOS单晶工艺实现.给出的仿真结果验证了理论设计.     

低功耗高电源抑制比CMOS带隙基准源设计

基于Ahujia基准电压发生器设计了低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压发生器电路.其设计特点是采用了共源共栅电流镜,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路;其次是采用了带隙温度补偿技术.使用CSMC标准0.6μm双层多晶硅n-well CMOS工艺混频信号模型,利用Cadence的Spectre工具对其仿真,结果显示,当温度和电源电压变化范围为-50-150℃和4.5-5.5 V时,输出基准电压变化小于1.6 mV(6.2×10-6/℃)和0.13 mV;低频电源抑制比达到75 dB.电路在5 V电源电压下工作电流小于10 μA.该电路适用于对功耗要求低、稳定度要求高的集成温度传感器电路中.     

一种EEPROM存储单元的读出电流检测电路

针对电可擦除编程存储器(EEPROM)存储单元的读出电流需要被精确检测的问题,该文提出了一种对EEP-ROM存储单元进行工作电流检测的电路,该电路主要用电流镜来搭建,和读出电路中的灵敏放大器相连。在检测时用电流镜电路把灵放的读出电流镜像到电流检测的输出端。模拟结果显示,用这种检测电路来检测读出电流可以取得较高的精度(98.5%)。同时,电路本身结构简单,在实际中易实现。     

一种Gm-C复数带通滤波器调谐电路的设计

采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种Nauta跨导的Gm_C复数带通滤波器调谐电路,可实现滤波器的频率和Q值同时调谐.该调谐电路的频率调谐环路使用数字鉴频器和改进结构的数模转换器,Q值调谐电路采用能够在高输出电压下准确镜像电流的电流镜,整个调谐电路具备有利于改善滤波器线性度的高调谐电压输出能力.测...     

一种BiCMOS带隙基准电压源的设计

设计了低温度系数、高电源抑制比BiCMOS带隙基准电压发生器电路.综合了带隙电压的双极型带隙基准电路和与电源电压无关的电流镜的优点.电流镜用作运放,它的输出作为驱动的同时还作为带隙基准电路的偏置电路.使用0.6μm双层多晶硅n-well BiCMOS工艺模型,利用Spectre工具对其仿真,结果显示当温度和电源电压变化范围分别为-45~85℃和4.5~5.5 V时,输出基准电压变化1 mV和0.6 mV;温度系数为16×10-6/℃;低频电源抑制比达到75 dB.电路在5 V电源电压下工作电流小于25μA.该电路适用于对精度要求高、温度系数低的锂离子电池充电器电路.     

电流模电路及其应用

通过对各个电流模单元电路及其原理的介绍,描述了一种新的电子电路分析方法。该方法可以利用跨导线性电路、电流镜、电流传输器、开关电流电路等单元电路来分析常用电子电路。     

GaAs MMIC开关MESFET电路建模技术研究

基于Agilent公司的IC—CAP软件及GaAs圆片工艺加工线,研究了砷化镓微波毫米波单片集成电路（GaAsM—MMIC）开关MESFET电路建模技术及其应用。讨论了MMIC设计中电路建模技术的重要性,提出了高精度GaAs MMIC开关MESF田简化电路模型及不同栅宽模型参数的比例缩放方案,扩展了电路模型的应用频率范围,解决了电路模型参数提取中的关键问题,如：开关MESFET模型的版图设计、微波探针校准图形的设计、电路模型参数的提取、统计和确认。采用该技术提取的电路模型参数,成功研制出GaAs MMIC控制电路系列产品,验证了该方法的有效性。     

短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型

本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注入GaAs MESFET直流特性.     

Totally Coded Algorithm for Switched-Current Network Analysis in Frequency Domain

Based on mirror-blocks, a totally coded algorithm (TCA) for switched-current (SI) network analysis in frequency domain is presented. The algorithm is simple, available, and suitable for any switched-current networks.A basis of analysis and design for switched-current networks via this algorithm is provided.     

具有超低蜂鸣脉冲固态源的研究

主要研究了双栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ增益控制特性，利用双栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ第二栅的电压来控制管子网络的增益，利用这种特性实现了脉冲对微波振荡器的调制。利用微带电路研制了结构紧凑、低成本、性能高的ＲＦ脉冲振荡器。该ＲＦ脉冲振荡器可用作小功率脉冲雷达源，特别适用于飞行器上的雷达发射源。     

4GHz微波低噪放大器的设计与仿真

文中介绍了一种基于GaAsMESFET的微波低噪放大器的设计方法。结合微波电路设计理论与仿真软件ADS2006对电路进行仿真和优化使电路在全频带内绝对稳定,原理图仿真指标达到较满意的结果,其中增益为15．112dB,噪声1．371dB。设计电路版图并对其进行协同仿真（co-simulation）,并与原理图仿真结果进行比较和分析。该放大器可广泛应用于无线通信系统中。     

GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究

用低压金属有机气相外延（LP－MOCVD）在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料，并对材料进行Raman、光致发光（PL）谱的测试分析，结果表明在GaAs／InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移；PL谱峰较强，16K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰，表明了GaAs外延层的晶体质量较好。以此生长方法制备了金属－半导体场效应晶体管（MESFET），其单位跨导可达200ms/mm。该器件已经达到GaAs同质结构的器件水平。     

砷化镓场效应管的潜在性失效

为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静是放是失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表面为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果。潜在性失效机理类强电场、大电流及ｎｓ级瞬时冲击下，辅之以电热迁移和扩散，致使ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ肖特基势垒受到不同程度损伤，Ｇ－Ｓ、Ｇ－Ｄ间的界面离化或击穿。研究其潜在性失效机理，找出在设计、工艺和材料上的缺陷，以提高器件抗静电能力。     

应用于空基相控阵雷达的新型功率器件一-SIC 射频功率MESFET

根据空基相控阵雷达的工作环境，对4H—SiC材料及SiC功率器件(SiC MESFET)的特点进行了分析。与GaAs器件相比，这种新型器件在空基相控阵雷达领域有广泛的应用前景。同时建立了用于器件CAD技术的SiC MESFET改进型非线性大信号模型，这种基于实验测量的模型通过SPICE模拟器对器件的功率特性进行了分析，与实验结果符合较好。     

开关电流滤波器

本文介绍了开关电流电路的基本原理，提出了开关电流电路分析的简单方法，综述了开关电流滤波器设计的一些新进展，提出了形状电流电路的研究及发展趋势。     

微波MESFET上变频器

微波ＭＥＳＦＥＴ上变频器张锦卫＊冯立民苗敬峰（东南大学无线电工程系，南京２１００１８）随着微波ＦＥＴ的迅速发展，微波场效应管上变频器的研究引起了人们的兴趣．１９８０年Ａｂｌａｓｓｍｅｉｅｒ等人利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ制作了频率较低的上变频器［１］，...