BaWO4晶体的喇曼光谱分析

采用群论的方法分析了BaWO4晶体的对称性分类，得到36个简正模，与BaWO4晶体的运动自由度相等，其中有18支喇曼活性光学膜. 实验中， 采用X(ZZ)，X(YY)，Z(XY)和X(YZ)配置获得了Ag, Ag＋Bg, Bg, Eg振动模，共观测到10支喇曼峰，并对观测到的各个配置的喇曼峰进行了指认，其中X(ZZ)配置的921?cm-1（υ1）处的喇曼峰强度最强，频移最大，线宽较窄，容易获得较高的喇曼增益，是喇曼激光器设计中的首选谱线，为喇曼激光器的设计提供了理论指导.     

Hg系高Tc超导体(Hg0.8M0.2)Sr2(Y1-xCax)Cu2O6+δ的喇曼和红外光声光谱研究

对Hg系高Tc超导体(Mg0.8Mo0.2)Sr2(Yl-xCaxCu2O6+δ的晶格振动进行了群论分析,给出了该晶体在г点晶格振动的对称性分类.利用红外光声光谱结合喇曼散射研究了该系列样品的声子振动性质.实验结果表明,在喇曼光谱中主要出现145,320,440,578,592Cm-1几个特征振动峰.在中红外吸收光谱(光声光谱)中出现645cm-1特征振动峰.而145,320,440,578,645特征峰强度随掺杂量增加而减弱,其中645峰还向高波数发生位移.本文着重对这些振动模进行了指认,并对其随不同掺杂量的变化特征进行了讨论.     

钛酸铋纳米晶的喇曼光谱和红外光谱研究

利用MOD方法制备了钛酸铋（Bi4Ti3O12（BTO））纳米晶．采用空间群结合晶格动力学分析了BTO晶体中的晶格振动模，理论预测了最多可能产生24个喇曼散射峰和28个红外吸收峰．喇曼散射和红外吸收实验结果与理论预测相比，峰数有大量减少．将此归因于谱带的叠合，某些谱线强度太弱，以及BTO晶体阴离子基团中TiO6八面体的存在等原因．对主要的喇曼峰和红外吸收峰采用TiO6八面体的内振动模进行指认，发现八面体的畸变程度很大，导致某些谱线产生了频移和劈裂．     

Pu_4~+在D_(4h)结构下的红外-拉曼活性及电声耦合的群论分析

利用群论方法分析了Pu4+在D4h结构下振动模式,以及红外-拉曼活性,并且讨论了在以f轨道为基函数下可能存在的电声耦合及其杨-泰勒效应.结果表明,可能发生的杨-泰勒效应系统是Eub1g系统,或者Eub2g系统,或者Eu(b1g+b2g)系统.Eub1g畸变导致Pu4+分子从D4h的正方形结构降低到D2h对称性的菱形D2h结构,Eub2g畸变导致体系变化到矩形的D2h结构.这两种变化导致电子态从Eu分裂为B2u+B3u2个电子态.Eu(b1g+b2g)畸变导致体系变化到菱形的C2h结构,而电子态则分裂为2个Bu电子态.     

BNN晶体喇曼光谱的组分效应与晶格振动的群论分析

本文测定了两种不同组分BNN晶体(Ba_(2+x)Na_(1-2x)Nb_5O_(15),x为0.065及0.075)的喇曼光谱并对此晶体的晶格扳动进行了群论分析。实验及理论分析的结果表明:(1)在高频区内,若干谱峰的相对强度不随x值而改变,它们是NbO_3~(-1)八面体的内振动模;在低频区内,若干频峰的相对强度随Ba~(+2)组分的增加而增加.(2)对应于34~(-1)cm的特征模只能出现在B_1(T_o)模中,而不能在B_2(T_o)模中出现,它来源于某些特殊面上Ba~(+2)的振动。     

α—AlPO_4晶体喇曼光谱的研究

本工作对α—AlPO~4晶体在多种几何配置下的喇曼光谱进行了测试分析,识别了它的全部喇曼活性模,其中识别了A_1类声子的437cm~(-1)模,并对有争议的1040、745、1098、1130cm~(-1)模作出了明确认定。我们还采用圆柱体样品,对异常声子的方向色散进行了研究,实验结果与理论计算相符合。     

Hg系高Tc超导体（Hg0.8M0.2）Sr2（Y1—xCax）Cu2O6＋δ的喇 …

对Ｈｇ系高Ｔｃ超导体（Ｍｇ０．８Ｍｏ０．２）Ｓｒ２（Ｙ１－ｘＣａｘＣｕ２Ｏ６＋δ）的晶格振动进行了化分析,给出了该晶体在Γ点晶格振动的对称性分类。利用红外光声光谱结合喇曼散射研究了该系列样品的声子振动性质。实验结果表明,在喇曼光谱中主要出现１４５,３２０,４４０,５７,５９２ｃｍ＾－１几个特征振动峰。在中红外吸收光谱（光声光谱）中出现６４５ｃｍ＾－１特征振动峰,而１４５,３２０,４４０,５７８,６     

立方晶体中点缺陷振动表示模与偏振喇曼强度的对应关系

推出了立方晶体中随机分布的点缺陷分别经历Ｃ２［１００］，Ｄ４［１００］和Ｄ３［１１１］取向操作前后１１个不同偏振喇曼强度的相对分布与点缺陷振动表示模的对应关系．结果显示，Ｔ，Ｃ２［１００］操作组合可将２５种表示模分为１４类，其功能接近理论极限．因而Ｔ，Ｃ２［１００］操作组合提供了一种直接根据偏振喇曼数据确定立方晶体中点缺陷振动表示模的优化方法．     

TSCZC单晶的简正振动和一级喇曼散射

对金属有机络合物Zn(NH_2CSNHNH_2)Cl_2(简称TSCZC)的晶格振动进行了群论对称性分类,在各种不同的几何配置下获得其偏振喇曼散射;对其中主要峰的归属进行了分析认定;与Ca(NH_2CSNHNH_2)Cl_2单晶的喇曼谱进行了对照,分析了二者存在较大差异的原因。     

混晶GaAs1—xPx：N中N等电子杂质诱发的共振喇曼散射

研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）中的共振喇曼散射，在背散射配置的（１００）晶向观察到“禁戒”的ＴＯ声子散射模，这一实验现象解释为在共振激发Ｎｘ杂质带的条件下，由于晶体对称性的喇曼选择定则失效，ＴＯ模成为喇曼活性，根据热猝灭规律，还给出区分共振喇曼散射和热荧光的一个实用判据。     

新型红色长余辉发光材料Gd2O2S:EU3+,Si4+,Ti4+的合成及性能表征

采用高温固相反应法首次合成了新型红色长余辉发光材料Gd2O2S:Eu3+,Si4+,Ti4+.用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、分光光度计等对合成产物进行了分析与表征.结果表明:Gd2O2S:Eu3+,Si4+,Ti4+的晶体结构与Gd2O2S相同,为六方晶系.颗粒的形貌为类球形.Gd2O2S:Eu3+,Si4+,Ti4+的激发光谱呈250～400 nm宽带状,激发光谱主峰位于365 nm;发射光谱为线状光谱,归属于Eu3+的5DJ(J=0,1)→7FJ(K=0,1,2,4)跃迁.最强的发射峰为627 nm和617 nm,均属于5D0→7F2跃迁,且627 nm的发射峰明显远强于617nm,显示出纯正的红色发光;并且Si4+和Ti4+离子的共掺杂可显著延长样品Cd2O2S:Eu3+的余辉时间.     

掺Eu、Mn的CaSO4磷光体的热释光特性

研制了掺Eu、Mn的CaSO4磷光体 ,测量了它的热释光的二维和三维发光谱 ,发现不同的热处理温度 ,可以改变样品中Eu2 + 与Eu3+ 的浓度比 ,提高热处理温度可以增强Eu3+ 的热释光高温峰 ,降低Eu3+ 的低温峰。Mn的掺入大大提高了Eu2 + 发光峰强度 ,表明Mn离子与Eu2 + 之间有能量转移。     

微波水热法合成Eu3+掺杂的SrMoO4红色荧光粉

采用微波水热的方法在中性水溶液中合成平均长6μm、中间宽4μm的梭子形SrMoO4基体材料,并研究反应物浓度和Eu3+的掺杂量(摩尔分数3.75%～30%)及EG/H2O体积比等条件对合成的SrMoO4粉体形貌的影响。结果表明:随着Eu3+浓度的增加,形貌向片状结构转变。另外,在掺杂7.5%Eu3+时,采用加入乙二醇(EG)的方法,抑制了片状结构的生成。随着EG比例的增加,颗粒分布趋向均匀,粒径逐渐变小。当EG与H2O体积比为4∶1时,得到了分布均匀、长约0.8μm的梭子状SrMoO4∶Eu3+粉体。荧光光谱分析结果表明,梭子状SrMoO4∶Eu3+(7.5%)粉体能够被近紫外(395 nm)或者蓝光(463 nm)有效地激发,从而发射波长为614 nm的红光。     

Dy3+/Eu3+共掺钒酸钇荧光粉的合成及发光性质研究

采用高温固相合成法制备了Y1-x VO4:Dy3+x和Y0.994-yVO4:Dy3+0.006,Eu3+y系列样品,通过XRD确定其晶体结构.研究其荧光性质发现,Dy3+在YVO4中可同时发射出483 nm(蓝光)和573 nm(黄光)荧光,分别归属于4F9/2→6H15/2和4F9/26H13/2的能级跃迁,且Dy...     

铕掺杂钒酸镧纳米棒的溶剂热合成和荧光性能

以乙醇-水混合溶液为溶剂,160℃T成功合成了Eu3+掺杂的LaVO4纳米棒.用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光(PL)等技术时样品进行表征.XRD和TEM测试结果说明LaVO4:Eu3+纳米棒是纯锆石型四方相结构、晶体结构均匀、没有缺陷,通过调节溶液pH和反应时间能够控制LaVO4:Eu3+纳米的定向组装和晶体生长.PL光谱显示Eu3+掺杂可以显著提高LaVO4纳米棒的荧光性能.另外,对LaVO4:Eu3+纳米棒的形成机制进行了研究.     

Gd_2Mo_4O_(15):Eu~(3+)荧光材料的制备与发光性能研究

采用了高温固相法制备了稀土离子Eu3+掺杂的Gd2M04O15:Eu3+荧光粉,通过X-射线衍射(XRD)和荧光光谱的测定,分别讨论了烧结温度、烧结时间以及稀土离子Eu3+掺杂量对发光性能的影响.测试结果表明Gd2Mo4O15:Eu3+荧光粉在近紫外区(uv)(393 nm)和蓝光区(464 nm)可以被有效的激发,Gd2Mo4O15:Eu3+荧光粉发出明亮的红光,对应于Eu3+的4f-4f跃迁,当Eu3+的掺杂浓度约为40 mol%时,在616nm处的发光强度最大.在393,464 nm的吸收分别与目前应用的紫外光和蓝光LED芯片相匹配.因此,Gd2Mo4015:Eu3+是一种可能应用在白光LED上的红色荧光材料.     

NaGdF4：Eu^3＋的水热合成、相变与发光性质

用水热法制备了NaGdF4：Eu3＋（0.5 mol%）发光材料,并研究了退火温度对NaGdF4：Eu3＋的结构和发光性质的影响。X-射线粉末衍射（XRD）结果表明：水热合成得到六方相的NaGdF4,在空气氛的条件下,NaGdF4从六方相到立方相的相转变温度为～650℃.扫描电镜（SEM）的结果显示：具有六方相结构的NaGdF4：Eu3＋发光材料的粒径为200～300nm.荧光光谱（PL）的结果表明：具有六方相结构的NaGdF4：Eu3＋粉末样品的特征发射为Eu3＋5 D0→7F2（615nm）跃迁发射。     

新型双核铕配合物电致红光材料

合成并用元素分析、红外光谱和核磁表征了共振配合物EuY(DBM)4(Ma)phen2(C1)和Eu2(DBM)4(Ma)phen2(C2).用真空蒸镀组装了发光器件,其结构是:Al0.9:Ag0.1/Alq/Eu-complex/TPD/ITO.在18V电压和55 mA cm-2电流下,器件C1的最大发光亮度是342 cd m-2;在18V电压和57mAcm-2电流下,器件C2的最大发光亮度是267 cd.m-2.在18V电压和55 mA cm-2电流下,器件C1的最大发光亮度是342 cd m-2.C1的发光亮度比C2大,其原因是Y3 的配体吸收的能量通过马来酸根迁移给了Eu3 .     

ZnB2O4 ∶Eu3+,Yb3+的发光性质及能量传递

采用高温固相法制备ZnB₂O₄ ∶Eu³⁺,Yb³⁺近红外发光材料, 通过X射线衍射(XRD)和荧光光谱研究其制备条件及Eu³⁺和Yb³⁺掺杂对材料发光性能的影响, 并考察了反应时间及Eu³⁺和Yb³⁺掺杂摩尔分数对发光强度的影响. 实验结果表明, ZnB₂O⁴ ∶]Eu³⁺,Yb3+材料中的近红外发光是通过Eu³⁺和Yb³⁺间的能量传递实现的.