高充电致高电压太阳阵持续飞弧放电的实验研究

空间高压太阳阵表面静电放电(ESD)引起持续飞弧放电而导致航天器大功率电源系统永久性损坏的事件在国外已有多次报道。本文针对砷化镓(GaAs)和硅(Si)高压太阳阵进行ESD地面模拟实验，通过两类高压太阳阵样品充放电对比实验，重点分析高压太阳阵持续飞弧放电形成机理。实验表明持续飞弧放电引起高压太阳阵串间击穿短路，导致太阳阵自身功率持续输出并形成永久性短路回路。分析表明持续飞弧放电的发生与高压阵结构、高压阵工作电压、ESD特征以及电池材料等多种因素相关。     

介质阻挡放电等离子体流动控制的研究

在等离子体激励因素诱导流场变化实验和数值模拟分析的基础上,探索了介质阻挡放电等离子体流动控制的效应．结果表明湍流模型比层流模型可获得更好的结果．通过平板流动实验与压气机叶栅实验相结合的措施,研究了等离子体对外流、内流加速与抑制流动分离的耦合作用．实验结果表明：等离子体激励可以改变边界层的速度特性;在流速低于20m／s时,等离子体激励可显著改善栅后总压和速度分布特征;流速接近50m／s时,等离子体仍会明显改变总压和速度的最小值;可见,在低速流动条件下,采用等离子体激励方式能达到抑制流动分离的目的．     

非导电工程陶瓷高能量电容单脉冲放电高效加工试验研究

针对传统加工方法在加工非导电工程陶瓷时存在加工效率低、成本高以及加工表面质量差等缺点，本文提出了非导电工程陶瓷高能量电容高效电火花加工新方法，并进行了单脉冲放电试验研究，结果表明，该方法采用高电压大电容以及较高的放电能量，能够较大地提高材料去除效率，单次脉冲放电陶瓷去除量可达17．63mm3．对加工极性、峰值电压、电容、限流电阻、工具电极进给方式、工具电极截面积以及辅助电极厚度等参数对陶瓷蚀除坑体积、工具电极损耗以及辅助电极损耗等性能的影响进行了试验研究与理论分析，得到了相应的规律关系．采用扫描电子显微镜对单脉冲放电坑的微观形貌进行了观测．结果表明：放电坑表面呈溅射状，陶瓷主要以剥落方式去除，放电通道中心区域部分材料以熔化蒸发方式去除，且材料去除效果随着加工参数的增大而增强．     

SPS过程中导电粉体的显微组织演变规律及机理

放电等离子烧结(spark plasma sintering, SPS)是最近几年国际上兴起的粉末烧结新技术, 具有升温速度快、保温时间短、冷却迅速等独特优势, 尤其适于纳米及非晶块体材料、陶瓷和梯度材料等先进材料的制备. 然而, 与利用SPS技术探索新材料制备的实验报道相比, 有关其特殊烧结机制的研究极为缺乏. 基此, 选用导电的纯金属铜粉作为烧结原料, 设计了一系列烧结实验, 研究得出了SPS过程几个重要的特征烧结阶段及其中显微组织演变的规律. 提出了SPS过程中烧结体显微组织演变的“自调节机制”, 由此揭示了制备高致密度、均匀、细晶材料的SPS技术优势的内在机理; 还对SPS烧结体的致密化过程进行了定量预测, 实验测定值证实了模型预测结果.     

具有集成旁路二极管的晶体硅太阳电池研究

研究了将旁路二极管集成到晶体硅太阳电池上的工艺．采用丝网印刷的方法，在晶体硅片局部区域印刷上合适的浆料，经烧结后直接形成一个二极管，其p-n结方向与主体太阳电池的p-n结方向相反，该二极管被用作旁路二极管，接着采用激光刻槽工艺将二极管与主体电池隔离，最后把多片集成了旁路二极管的太阳电池封装成组件，利用组件，．y测试仪进行不同遮挡条件下的测试．实验结果表明，集成在硅太阳电池上的旁路二极管可以有效地稳定组件短路电流，减少局部遮挡条件下组件输出功率的损失．     

双旁侧进气高超声速飞机概念设计与评估

要本文提出了一种旁侧进气翼身融合体布局一体化气动构型，并首次提出了一种基于双乘波体旋转对拼的前体设计方案．在全参数化构型设计的基础上，以数值模拟为评估手段，给定不同设计参数对前体进行了分析，结果表明在获得良好容积和升阻性能的同时，利用左右乘波面作为进气道的外压缩面，可保证进气道入口截面处具有较好的流场均匀性和来流捕获量．进而针对幂曲线、余弦曲线等4种典型的翼前缘形状，开展了整机数值分析．计算结果证明了飞行器的高升阻比优势，同时也发现由于机体／机翼的耦合作用，小攻角飞行状态下机翼前缘可以捕获机体压缩产生的部分高压，故在0°和4°攻角条件下，4种构型的升阻比呈现完全不同大小排列顺序．这一结果也为后续的优化设计提供了方向，即前缘形线的合理选择应可进一步提高飞行器的升阻比．     

串联电脉冲沉积Ni20Cr弥散Y2O3微晶涂层及其高温氧化性能

提出了一种把脉冲电源的输出两极均作为沉积电极、被处理试样作为一种感应电极、利用产生的串联脉冲放电沉积金属涂层的新技术. 通过“针-板-针”电极系统的放电电压-放电间隙测量实验证实了上述串联脉冲放电的物理过程. 采用振动式串联电脉冲沉积设备在Ni20Cr合金基体上成功地制备出了Ni20Cr微晶涂层和Ni20Cr弥散Y₂O₃微晶涂层. 950℃空气中的高温氧化实验结果表明, Ni20Cr合金微晶涂层极大地提高了基体合金的抗高温氧化性能, 同时还证实在微晶涂层中施加细小弥散Y₂O₃颗粒有助于进一步降低涂层的氧化速率及提高氧化膜的抗剥落性能.     

纳米Ta基阻挡层薄膜及其扩散体系电阻特性研究

采用直流磁控溅射方法在p型（100）Si衬底上制备了3类Ta基纳米阻挡层薄膜及其对应的Cu／barrier／Si复合膜,并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火（RTA）．用四探针电阻测试仪（FPP）,AFM,SEM-EDS,Alpha—step IQ台阶仪和XRD等分析测试方法对样品快速热退火前后的电阻特性和形貌结构进行了分析表征．实验结果表明,热处理过程中,凝聚、氧化和稳态效应同时出现,方块电阻的增大和下降趋势并存;而高温退火后Cu和Si发生互扩散形成的高阻相Cu3Si与更粗糙的表面形貌引起更强烈的电子散射导致了复合膜系方块电阻的急剧增加．     

一种菱形结构的二维耦合振荡器阵列及其在有源天线阵中的应用

传统的二维互注入锁相耦合振荡器阵列采用矩形栅格结构，可以实现无移相器的波束形成和扫描．矩形结构阵列相邻阵元相位差限制在[-90°，90°]内，当阵元间距为半波长时，其水平和俯仰波束扫描范围限制在偏离法线方向30°以内，论文提出了一种菱形结构的二维耦合振荡器阵列，给出了其相位控制方法，并对相位控制误差进行了分析，在对菱形结构的耦合振荡器阵列的稳定性进行分析后，给出了稳定条件，对阵列的稳定过程和相位控制方法进行了计算机仿真，对理论分析结果进行了验证．该菱形结构耦合振荡器阵列，在水平和俯仰方向上相邻阵元的相位差可达[-180°，180°]，具有比矩形栅格结构更宽的波束扫描范围。     

H2/O2/Ar可燃气体激光诱导火花点火的实验研究

对H₂/O₂/Ar可燃气体激光诱导火花点火进行了实验研究. 采用Nd:YAG激光器产生的 532 nm激光聚焦击穿气体点火, 并采用激光高速纹影系统对不同初压、激光点火能量、氩稀释度可燃气体点火的火焰结构进行了流场显示. 结果表明, 气体击穿形成椭球形等离子体, 稀疏波与等离子体作用, 在等离子体迎光侧和背光侧分别形成一对反旋的螺旋环, 导致等离子体和随后的火焰面向内弯缺, 在等离子体左侧激光轴附近形成一个向外凸出的气瓣. 等离子体的高温气体诱导火花核的形成, 受壁面反射弱激波或压缩波的作用, 初始层流火焰减速. 弧形火焰阵面与壁面的作用及其与激波或压缩波、稀疏波等作用, 导致层流火焰向湍流火焰转捩. 对摩尔比为2:1:10、初压为53.33 kPa, 激光诱导火花点火的激光器最小输出能量为 15 mJ. 随预混气初压的升高, 激光点火能量越高, 降低氩稀释度, 会加快火焰阵面传播速度.     

基于第一原理方法的有序Si50Ge50合金的声子谱的压力依赖性和热动力学属性

使用第一原理计算了有序闪锌矿合金Si50Ge50的声子谱，与0GPa压力下的能带结构和直到20GPa压力的声子扩散曲线的压力依赖性．计算发现，在14GPa时，横向声学模式由压力导致软化，声子频率达到0，这表明对称性被打破，在高压下有新相生成．     

海底热液口原位多点温度测量系统的机电集成与实现

为了给海底热液口温度场的建模与分析提供直接的参考数据，设计了一种温度测量系统，该系统能用于海底热液口温度的测量．系统实现的是原位多点温度测量，而且能够在海底工作15d，所以采用了低功耗的设计原则对集成电路板进行了设计．为了解决系统在海底耐高压的问题，采取了压力容器的设计原理对系统进行了机械结构设计．中国船舶科学研究中心对系统进行了压力测试实验，结果证实此系统是安全的，能够在海底可靠稳定的工作．在中美首次联合深潜中，所设计的设备被“Alvin”潜艇带至海底工作．海试实验取得了成功，表明此系统能够在高压高温的环境下工作，并且成功地记录了海底热液口的温度活动，获得了约71万组温度数据，对于进一步的科学研究具有非常重要意义．     

基于混合非圆率信号的CESPRIT算法

根据信号常常为圆和非圆信号混合形成的这一情况,提出的做一种基于ESPRIT思想的CESPRIT算法。该算法对阵元接收数据取共轭,然后重组出新的接收数据矩阵,利用构造出的两个选择矩阵,将新接收数据矩阵在分割为两个特定子矩阵,并结合ESPRIT算法思想,对获取的两子阵间的旋转不变关系矩阵进行特征值分解。通过获得的特征值估计出信号DOA．仿真实验表明,与传统ESPRIT算法相比,该算法具有估计精度高,需要的快拍数少和处理的信号个数可大于阵元个数等优点。     

沾化凹陷异常高压分布特征及其成因机制探讨

采用声波时差法计算沾化凹陷沙三、沙四段的地层压力。发现异常高压纵向上存在两个独立的异常高压系统,规模较大、持续活动强的断层往往是异常高压区的边界,并起到泄压的作用。平面上,以洼陷为中心形成异常高压区,向外逐渐过渡为正常压力带。从沙三上段至沙三四上段,异常高压范围经历了一个扩张-萎缩的旋回,沙三下段凹陷内异常高压分布面积达到最大。对沾化凹陷新生代沉降史及生排烃史的研究表明,较高的沉积速率及有机质生烃是沾化凹陷异常高压发育的主要因素。构造作用通过断层泄压、控制沉积速率及有机质展布起到对异常高压分布直接或间接的控制作用。     

GaN基β辐射伏特效应微电池的优化设计研究

β辐射伏特效应同位素微电池具有体积小、工作稳定性好、寿命长、能量密度高、抗干扰性强等优点，逐渐成为微能源研究的方向．本文以半导体物理理论为基础，提出基于宽禁带半导体材料GaN和放射性同位素^147Pm的同位素微电池最优化设计方案．引入对同位素源自吸收效应的考量，通过蒙特卡罗程序MCNP模拟计算β粒子在半导体材料中的输运过程，对同位素源与半导体材料的最优化厚度，半导体材料PN结结深、耗尽区厚度、掺杂浓度，以及电子空穴对的产生及收集情况进行了研究和分析．提出的β辐射伏特效应同位素微电池最优化设计方案可实现：^147Pm单次衰变在能量转换单元中沉积的能量为28．2keV；同位素电池的短路电流密度为1．636μA／cm^2，开路电压为3．16V，能量转化率为13．4％．     

新型太阳能吸收式制冷系统涡旋发生器的实验研究

提出了一种用于单效太阳能吸收式制冷系统的新型双室涡旋发生器．通过降低发生器中的发生压力,有效利用太阳能等低温位热源来驱动吸收式制冷系统,提高单效吸收式制冷系统的制冷效率．双室涡旋发生器由低压发生室和高压发生室2部分组成．流体通过低压发生室的切向喷嘴进入到发生器中产生旋转运动,降低发生器中部的压力．实验研究了不同溶液入口温度和流量下双室涡旋发生器的性能．实验结果表明：发生器中部低压的形成,有效地降低了LiBr溶液的发生温度,有利于制冷剂的蒸发．当溶液入口温度达到90℃时,采用双室涡旋发生器的吸收式制冷系统其COP值达到0．83,比传统吸收式制冷系统提高22％．     

基于PIV技术的温度敏感型磁流体无泵流回路的实验研究

建立了温度敏感型磁流体无泵流冷却回路实验系统，采用粒子示踪测速技术（PIV）对整个回路中的流场进行了测量，实验研究了不同加热、冷却功率下回路的流动传热性能，分析了磁场及温度场的协同作用对回路性能的影响．结果显示：温度敏感型磁流体在外加适当磁场及温差时可以持续流动，将热量从热端传递到冷端并循环工作；系统冷却性能受到磁场及温度场的协同作用影响．     

浅议新加坡科技发展态势

在知识经济背景下，新加坡日益重视科技对于经济的推动作用。本文尝试从5个方面分析了新加坡科技发展的态势：科技投入和产出持续高增长，研发人力不断加强，研发基础设施日益完善，企业的研发和创新备受重视，相对竞争优势逐渐形成。     

一种高定位精度的安全JPEG图像认证水印算法

分析讨论了现有的JPEG图像认证水印算法存在的定位精度低和安全性差等问题，并实现了对现有认证水印算法的两种伪造攻击．在此基础上，提出了一种高定位精度的安全JPEG图像认证水印算法，推导给出了该算法在一般区域篡改和拼贴攻击下的篡改检测概率和虚警概率，该算法对每个图像块固定选取4个中频系数嵌入水印并利用剩余的DCT系数生成4比特水印信息，然后基于不同密钥分别选取每比特水印信息嵌入的图像块，使得每个图像块的4位水印随机嵌入在不同图像块对应的中频系数中，认证时根据图像块提取出的4比特水印信息并结合其九邻域判定该图像块内容是否被篡改．理论分析和实验结果表明：该算法不仅具有精确的篡改定位精度，而且具有很高的安全性和抵抗拼贴攻击的能力。     

阵列误差有源校正算法及其改进

阵列互耦、幅相误差以及阵元位置误差的综合影响会严重影响MU-SIC算法的测向性能.为此,本文主要研究了由这3种误差引起的阵列误差校正问题.该文在已有的阵列误差校正算法(算法1)的基础上,给出了一种基于互耦矩阵稀疏性的阵列误差校正算法(算法2)和一种利用互耦矩阵特殊结构的阵列误差校正算法(算法3).虽然3种算法具有相同的计算模式和理论框架,但后2种算法因利用了互耦矩阵的更多性质,从而提高了参数估计精度,而对于均匀线阵和均匀圆阵而言,算法3的优势更加明显.另一方面,文中还将上述3种算法推广应用于校正源方位存在偏差的情况,它们在校正阵列误差的同时,还可以补偿校正源的方位偏差.最后,分别在校正源方位无偏差和有偏差这两种情况下,通过仿真实验分析和比较了3种校正算法的参数估计性能.大量仿真实验表明,若能尽可能多地利用互耦矩阵的特殊性质,将十分有利于提高阵列误差的校正精度.