4d过渡金属在L10-TiAl中占位的第一原理研究

采用第一原理赝势平面波方法研究了TiAl-X(X为4d过渡金属)超胞合金体系的几何、能量与电子结构。通过对Ti7Al8X与Ti8Al7X超胞的合金形成能的计算、比较与分析发现:合金化元素的外层电子数,特别是外层的d电子数对其在L10-TiAl合金中的占位有非常明显的影响,d电子数较少的前过渡金属Y,Zr,Nb和Mo主要优先占据Ti原子位,而d电子数较多甚至是满d壳层的Rh,Pd,Ag和Cd则主要优先占据Al原子位。而介于这两种情况中间的Tc和Ru合金化元素,表现出微弱的趋势,分别偏重占据Ti原子位和Al原子位。通过合金化元素价电子态密度图的变化,较好地解释了4d过渡金属在L10-TiAl合金中的占位规律。     

双辉等离子法在Mo、Nb表面制Ir涂层微观结构比较

通过双层辉光等离子体表面渗金属方法,在难熔金属Mo、Nb表面成功制得Ir涂层,并对其微观结构和微观形貌进行分析.制得的铱涂层呈亮银白色,致密且表面均匀,无明显缺陷.XRD研究表明：Ir涂层呈多晶态,并沿（220）晶面优先生长,Nb基体上Ir涂层（220）晶面择优生长趋势明显高于Mo基体上Ir涂层（220）晶面择优生长趋势 Ir涂层由锥形晶构成,致密均匀,没有微观缺陷和微观裂纹.Ir涂层制备过程中,在基材表面形成了一个基材元素梯度分布的过渡层.过渡层的存在使得Ir涂层与基材结合良好 同时,Ir涂层遭受高密度离子轰击,在涂层内部产生高的残余压应力.利用纳米压痕仪测定了致密Ir涂层的硬度及弹性模量,并对其加载卸载曲线进行分析.由于基体热膨胀系数的差异,Nb基体上Ir涂层的残余压应力、表面硬度均大于Mo基体上Ir涂层.     

双金属团簇AunM2的几何结构、电子结构和磁性的研究

采用基于密度泛函理论的第一原理方法系统研究了双金属小团簇AunM2（n=1,2;M=Y,Zr,Nb,Mo,Tc,Ru,Rh,Pd）的几何结构、稳定性、电子结构及磁性,给出了这些团簇的基态稳定构型.计算结果表明,Au与4d元素可形成大量低能异构体.有些异构体在结构上相近,这不同于共价键或离子键类型的团簇.与纯过渡金属团簇类似,双金属小团簇AuM2,Au2M2也表现出复杂的磁性,其中过渡元素的磁矩相比体材料而言既有增强也有减弱,与轨道的交换劈裂密切相关.     

金属表面Mo(W)-S彩色簇合物膜的光谱研究

Mo（W）S4^2-与金属M（M=Cu、Fe、Zn、Ag、Ni、Sn）表面发生配位化学反应，得到不溶性且具有装饰效果的Mo（W）-S彩色簇合物膜。随着反应时间或加热时间的变化，膜呈现不同的具有金属光泽的颜色。这种膜层属于功能性修饰层，不仅赋予金属表面以美观的外表，而且提高表面的光洁度和清洁度，增强金属＇一的抗腐蚀性能。本文采用加速腐蚀实验、LSV、CV、FT-IR、FT—Raman、XPS和AES研究了Mo（W）S4^2-在金属表面的成键特征和波谱变化，探讨了簇合物膜的组成、性能、结构、化学状态和形成机理。结果表明，膜层中存在桥基Mo（W）-S—M键、端基Mo（W）-S和Mo（W）-O键。膜为多分子层组成的复杂体系，其颜色是各组分统计分布的结果。     

二维过渡金属硫化物中Rashba自旋轨道耦合效应的电场调控研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对6种二维过渡金属硫化物MX_2(M=Mo,W;X=S,Se,Te)中的Rashba自旋轨道耦合效应进行了系统研究.对6种MX_2材料施加垂直方向电场,发现阴离子X对于电场诱导的Rashba自旋轨道耦合效应起主要作用:X原子序数越大,电场诱导的Rashba劈裂也越大;阳离子M被阴离子X覆盖,对电场诱导的Rashba自旋劈裂影响较弱.因此,6种MX_2单层的Rashba自旋劈裂大小依次为:WTe_2>MoTe_2>WSe_2>MoSe_2>WS_2>MoS_2.施加电场后,从布里渊区中心Γ点到布里渊区边界K/K′点,自旋方向二维平面内转向垂直方向,并且随着电场的增加,面内自旋成分逐渐增加.     

双金属团簇Au_nM_2的几何结构、电子结构和磁性的研究

采用基于密度泛函理论的第一原理方法系统研究了双金属小团簇AunM2(n=1,2;M=Y,Zr,Nb,Mo,Tc,Ru,Rh,Pd)的几何结构、稳定性、电子结构及磁性,给出了这些团簇的基态稳定构型.计算结果表明,Au与4d元素可形成大量低能异构体.有些异构体在结构上相近,这不同于共价键或离子键类型的团簇.与纯过渡金属团簇类似,双金属小团簇AuM2,Au2M2也表现出复杂的磁性,其中过渡元素的磁矩相比体材料而言既有增强也有减弱,与轨道的交换劈裂密切相关.     

AIF分子外场效应的量子化学研究

选取密度泛函B3LYP方法和6—311＋＋g（d,P）基组对AlF分子在不同外电场（-0．015～0．015 a.u．）及没有外场下分子基态的稳定电子结构进行计算,研究了外电场对AlF分子基态总能量、键长、偶极矩、能隙、电荷分布及红外光谱等的影响．结果表明,随着Al→F方向外电场的增加,分子键长和偶极矩递减,原子电荷也递减,总能量升高,能隙增大,频率随Al→F方向外电场的增加而增加,其红外强度则递减;在外电场作用下,AlF基态分子势能曲线升高,离解能增大。     

Au原子在H-Si（001）表面扩散的研究

本文用第一原理总能理论研究了金属Au在H-Si(001)表面的吸附与扩散。计算表明,Au原子的吸附不能打破Si二聚体键,其稳定吸附位置处于一个Si二聚体的中部;同时还给出了Au原子处于其它位置时的能量以及相对于Si(001)表面的高度,分析了Au原子在H-Si(001)表面的可能扩散路径。     

MgO(001)表面负载CrW_2O_9团簇构型和电子结构的理论研究

采用基于第一性原理的分子动力学与量子力学相结合的方法,对CrW_2O_9团簇在MgO(001)完整表面的吸附构型、稳定性以及电子结构进行了系统的研究.研究结果表明,CrW_2O_9团簇通过Cr、W以及O原子与MgO(001)表面作用,并可能以六元环、帽状或双环结构沉积在MgO(001)表面,其中热力学最稳定的吸附构型为CrW_2O_9团簇以六元环的结构吸附在MgO(001)完整表面.吸附后,有较多的电子从表面转移到团簇,与W3O9/MgO(001)体系相比,CrW_2O_9团簇的电子态出现在MgO(001)表面的带隙中,且主要为Cr 3d轨道的贡献,这将对体系的催化性能产生显著影响.     

铅盐PbS(001)表面几何结构特性

用第一性原理方法计算了铅盐PbS的体晶格常数和 （001） 表面的几何结构,计算结果表明铅盐 （001）表面几何结构具有弛豫和褶皱的特性,为铅盐的广泛应用提供了理论参考数据.     

簇合物［M6S8(PEt3)6］n(M=Cr，Mo，W)电子结构与性质

采用LanL2DZ基组 ,对簇合物 [M6S8(PEt3) 6]n 模型 [M6S8(PH3) 6]n(M =Cr,Mo ,W ;n=- 1,0 , 1)进行从头计算研究 ,探讨该类簇合物的电子结构特征及其与性质的关系 ,研究不同金属原子对该类簇合物结构的影响、各原子之间相互作用对形成簇骼的影响等     

ICP中27种元素间的光谱干扰

本文对27种常见元素(Ag、Al、As、B、Be、Ca、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、La、Mg、Mn、Mo、Na、Nb、Ni、P、Pb、Sb、Si、Ti、V、W、Zn)的最杰出线的光谱干扰进行了研究,发现了一些光谱表上从未记载过的干扰线。     

MgH2基态分子结构与势能函数

用从头算CCSD（T）方法和aug-cc-pVTZ基函数对MgH2分子的结构进行优化,得到其平衡几何构型和谐振频率．根据原子分子反应静力学原理得到可能的电子状态和基态分子的离解极限．并用多体展式理论导出MgH2基态分子的解析势能函数．     

X射线荧光光谱基本参数法测定钢铁的组分

Philips MagiX Pro型X射线荧光光谱仪的基本参数法测定钢铁中的Al、Si、P、Ti、V、Cr、Mn、Co、W、Cu、Ni、Nb、Mo等13种元素。方法准确可靠,稳定性好、速度快。测得曲线涵盖合金牌号手册中常用碳钢、中低合金钢、不锈钢、工具钢等90％以上的牌号。线性范围内实现无标定量分析。     

Effects of alloying and high-temperature heat treatment on the microstructure of Nb–Ti–Si based ultrahigh temperatur e alloys

The phase co mpositions, microstructure and especi ally phase i nterfaces in the as-cast and heat-treated Nb– Ti–Si based ultrahigh temperature alloys have been investigated. It is shown that β(Nb,X)5Si3 and γ(Nb,X)5Si3 are the primary p hase s in the Nb–22Ti–16Si–5Cr–5Al (S1) (at%) and Nb–20Ti–16Si–6C r–4Al–5Hf–2B–0.06Y (S2) (at% ) alloys, respectively. The Nb solid solution (Nbss) is the primary phase in Nb–22Ti–14Si–5Hf–3Al–1. 5B –0.0 6Y (S3) (at%) alloy . An orientation relationship between Nbss and γ(Nb,X)5Si3 was determine d to be (1-10)Nb//(101-0)γ and [111]Nb//[0001]γ in the as-cast S2 and S3 alloys. Some original β(Nb,X)5Si3 transfor med into α(Nb,X)5Si3 because Al and Cr diffused from the β(Nb,X)5Si3 to Nbss during heattreatment at 1500 °C for 50 h in the S1 alloy. Mean while, Ti diffused from Nbss to β(Nb,X)5Si3, which induced a Ti to generate near the interface between Nbss and Ti-rich β(Nb,X)5Si3. The orientation relationship between the newl y-formed a Ti and previous Nbss was (110 )Nb//(1-10-1) αTi and [001]Nb//(12-3-1)αTi. Among the ( Nb,X)5Si3 phases , the contents o f Cr and Al in β(Nb,X)5Si3 are n earl y the same as those in γ(Nb,X)5Si3 but obviously hi gher than those in the α(Nb,X)5Si3, where as the content of Si in α(Nb,X)5Si3 is nearly the same a s that in γ(Nb,X)5Si3 but higher than that in the β(Nb,X)5Si3     

党参中无机元素的组分分析

本文用电感偶合等离子发射光谱，原子吸收光谱分析了常参「Ｃｏｄｏｎｏｐｓｉｓ Ｐｉｌｏｓｕｌａ Ｎａｎｎｆ」中Ｆｅ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｅ，Ａｌ，Ｐ，Ｂ，Ｓｒ，Ｈｇ，Ｐｂ，Ｂａ，Ａｓ，Ｃｅ，Ｂｅ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｇｅ，Ｍｏ，Ｃｄ，Ｌｉ，Ｔｅ，Ｗ，Ａｇ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｓｎ等３３种无机元素的组分含量。     

携带式高分辨合金分析仪的研究

介绍了用Ｓｉ（Ｌｉ）探测器作探头的携带式高分辨合金分析仪的结构原理和实测结果。其仪器的分析范围可覆盖Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｓ，Ｈｆ，Ａｕ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｚｒ，Ｎｂ和Ｍｏ等元素，采用＾１０９Ｃｄ和＾５５Ｆｅ作激发源，由笔记本式计算机与电子插件所组成的计算机多道分析系统，实现数据的采集和显示，元素间干扰效应的修正，合金识别以及牌号查询与合     

The influence of clusters in the melt of Fe80Si10B10 alloy on the subsequent glass-formation

The structure of Fe80Si10B10 alloy melt was investigated by ab initio molecular dynamic simulation from the local atomic environments. It presents that Fe80Si10B10 alloy can be considered as the combination of B-centered prism-like clusters and bcc-like Fe-Si solid solution. The poor glass-forming ability of the alloy has been investigated and can be attributed to the bcc-like environment around Si atoms and the relative high content of pure Fe clusters.     

Fe—C基三元合金相图计算

本工作设计了Fe-C基三元合金热力学计算软件，它可计算Fe-C与Cr,Mn,Si,Cu,Mo,W,Ni,V,Ti,Nb组成的三元系在不同温度下的等温载面图，并可提供有关的热力学数据。     

应变Ge1-yCy合金的带隙

采用基于局域密度泛函理论和虚晶近似下的从头赝势法，研究Si(001)和Ge（001）衬底上的应变Ge1-yCy合金，其带隙随碳含量和晶格失配度的变化情况。结果发现，带隙对应变条件非常敏感。硅衬底上应变Ge1-yCy合金的带隙随碳组分的增加而增加，而锗衬底上应变Ge1-yCy合金的带隙随炭组分的增加而减小。