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钨和钽丝碳化后的结构变化及其对金刚石成膜质量的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
本文利用金相分析、X射线衍射等方法,对HFCVD法沉积金刚石薄膜时使用的钨丝和钽丝在不同碳化条件下灯丝成分和结构变化作了分析研究,解释了碳化钽丝表面色泽金黄的原因,并在相同沉积条件下,比较了使用碳化和未碳化灯丝对生长金刚石薄膜的影响。结果表明,使用碳化灯丝生长的金刚石薄膜的石墨含量少,金刚石膜的质量和生长速度有所提高。 相似文献
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主要介绍硼掺杂金刚石膜的生长.采用热灯丝CVD法在硅上制备金刚石薄膜,采用三氧化二硼制备硼掺杂金刚石膜.利用拉曼光谱分析硼掺杂金刚石膜的生长情况.结果表明:硼的掺杂质量分数随生长时间延长而增大;利用SEM观察硼掺杂金刚石膜的表面晶粒变小;利用银浆在掺杂金刚石膜表面制备电极,测试电流随温度升高而变大. 相似文献
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采用微波等离子体化学气相沉积方法分别在CH4/H2,CO/H2和(CH4+CO)/H2气体体系下合成了金刚石薄膜.结果表明,所合成的金刚石薄膜具有明显的柱状生长特性和较高的品质,(CH4+CO)/H2体系合成的金刚石薄膜具有较高的生长速率和(100)晶面定向生长的特性. 相似文献
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利用热丝化学气相沉积技术,在多孔钛膜上生长重掺硼金刚石薄膜,研究了碳源浓度对复合膜表面形貌及薄膜质量的影响.结果表明钛膜表面沉积的掺硼金刚石薄膜因碳源浓度的不同而不同,掺硼金刚石薄膜的质量随碳源浓度的减小而提高.金刚石/钛复合膜因碳源浓度的不同会产生复杂的变化,在重掺杂高碳源浓度下金刚石生长抑制碳化钛的形成. 相似文献
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采用电子铺助热灯丝化学气相沉积(EA-CA)方法沉积大面积金刚石膜,在金刚石膜的沉积过程中,气压对金刚石膜沉积的影响会直接影响着金刚石膜的生长和质量。用Raman,SEM等手段对金刚石膜的生长特性进行了表征。 相似文献
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以氢气和丙酮为原料,采用电子增强热丝CVD法,在硅片(100)基底上涂覆一层金刚石薄膜,在传统的硅平面加工工艺的基础上发展了一种新的在沉积好的基片上制备自支撑窗口试样的方法,并采用光刻法和湿式各向异性刻蚀技术制备得到金刚石薄膜自支撑窗口试样.研究表明,所制备的金刚石薄膜自支撑窗口的形状比较规则,膜内残留内应力小,能很好地满足鼓泡实验的要求,可以用来定量检测金刚石薄膜膜基界面结合强度和综合评价薄膜力学性能,对于促进金刚石薄膜材料在半导体器件中的应用和推广具有积极的意义. 相似文献
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人工合成金刚石技术比较 总被引:5,自引:0,他引:5
静压法是当前工业合成金刚石的主要的合成手段,合成工业用金刚石主要采用静压法中的静压触媒法,合成宝石级金刚石主要采用静压晶种触媒法生产,通过静压法中的直接变换法,纯净的多晶石墨棒可以在短时间内转化为多晶金刚石,二十世纪八十年代还出现了一种在低压下生长金刚石的新方法——化学气相沉积法(CVD),目前只能用于制备金刚石薄膜,本文通过总结比较各种金刚石合成技术,提出了利用激光控制金刚石生长的设想,使用这种方法将提高金刚石的质量, 相似文献
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衬底负偏压热灯丝CVD金刚石薄膜在锥体上核化的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以CH4和H2为反应混合气体,用衬底负偏压热灯丝CVD法在Si(100)面上制备金刚石膜,使用扫描电子显微镜(SEM),Raman谱和X射线光电子能谱(XPS)对在硅尖上的金刚石核化进行了研究,并着重讨论了沉积在硅尖上的金刚石颗粒的生长机理。 相似文献
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基于有限容积法,研究了采用热丝化学气相沉积法常规工艺在批量化YG6硬质合金钻头工作表面制备金刚石涂层过程中基体表面的温度场分布状况,并通过测温对照试验验证了仿真方法及仿真结果的合理性和正确性.在传统的等间距热丝排布方式基础上系统研究了不同热丝参数(间距D、长度L、半径r、温度T和高度H)对基体温度场分布的影响,并进一步提出了不等间距的热丝排布形式以提高批量化基体表面温度场分布的均匀性,据此确定了用于批量制备金刚石涂层钻头的最优沉积参数.采用最优参数批量制备的金刚石涂层钻头具有较好的涂层质量和一致性,进一步验证了基于仿真的沉积参数优化方法的可靠性. 相似文献
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本文研究了用热灯丝化学气相沉积方法在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜时其成核密度与制备条件的关系。结果表明,衬底表面状态、衬底温度、灯丝温度、灯丝与衬底表面间距离等对金刚石成核密度有明显的影响,且表面状态的影响最大。 相似文献
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对直流电弧等离子喷射化学气相沉积法(CVD)制备的自支撑金刚石薄膜,用X射线衍射测量了薄膜织构,并用扫描电镜观察了薄膜显微组织。发现金刚石薄膜的织构为{110}、{111}、{112}和{221}等纤维织构。实验结果表明,金刚石薄膜比较致密并且晶形比较完整,不同生长因子对应不同立方体-八面体几何形状。分析和讨论了金刚石薄膜的制备工艺参数如衬底温度和甲烷浓度对其织构和显微组织产生的影响。 相似文献
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利用热丝大面积金刚石薄膜气相合成(CVD)装备制备了复合金刚石薄膜,并对其表面和断面分别进行了扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和Raman光谱表征,研究了该复合结构的介电性能,利用共振电路测量了高频下薄膜的介质损耗与频率的关系,结果表明,复合结构由普通多晶金刚石薄膜和纳米金刚石薄膜组成,薄膜的表层结构体现了纳 米金刚石的特征,复合金刚石薄膜不仅具有表面光滑的优点,介电性能也接近于常规的多晶金刚石薄膜,是一种较好的电子材料,可应用于金刚石薄膜半导体器件的制备。 相似文献