锗、硅对水稻营养生长的影响

用０～３．０ｍｇ／Ｌ浓度ＧｅＯ２对水稻种子浸种处理之后,在木村Ｂ培养液中培养,并分别以６个浓度继续添加ＧｅＯ２溶液．另用不同浓度的ＧｅＯ２和ＳｉＯ２混合溶液培养水稻,测定其营养生长期的整株鲜重、根鲜重、地上部高、叶绿素含量、根系活力以及叶过氧化氢酶（ＣＡＴ）、叶多酚氧化酶（ＰＰＯ）、根过氧化物酶（根ＰＯ）和叶（ＰＯ）．实验表明,随着培养时间延长,上述生理指标值有所变化,其中前６项正常生理指标值,随着ＧｅＯ２浓度提高而减少,后３项衰老指标则随着ＧｅＯ２浓度提高而有增加趋势,表明３种酶活性的提高以缓解ＧｅＯ２对水稻的毒害作用．各生理指标与ＧｅＯ２浓度之间呈明显相关关系．同时,还发现了一定浓度的ＧｅＯ２对水稻生长有抑制和毒害作用,而较高浓度的ＳｉＯ２可适度缓解该抑制作用．     

施硅钾肥对水稻纹枯病影响

本文运用二元二次正交设计方法和植物病害流行病学原理，利用盆栽试验定量分析了施硅量（Ｘ１）施钾量（Ｘ２）对水稻纹枯病初侵染率（ＯＰ），水稻蜡熟期病指（ＤＩ）水平扩展速率（Ｒｈ），垂直扩展速率（Ｒｒ）的影响。并分别组建了数学模型。文中从定量角度探讨了适量硅、钾栽培对控制病害流行的意义和作用。对两因素的艇方式及作用原理进行了分析。     

硅、锗中硼、磷杂质的振动特性

本文用六原子模型．分析丁硼、磷原子在硅、锗半导体中刃位错附近的三维振动特性．     

硅对水稻的作用

水稻被称为硅酸作物的代表。它是吸收硅酸最多的作物。国外对硅在植物体中的作用已有研究。下面介绍日本在水稻上的研究结果和应用情况。一、硅在植物体中的分布(本刊删去)。二、硅对水稻的作用1.增加磷的利用率:高桥等研究了在不同磷水平条件下,硅的吸收及运转的关系。他把磷的水平分为:无磷(P_2O_5OPPm)、缺磷(P_2O_52PPm)、适量磷(P_2O_510PPm)和过量磷(P_2O_5 50PPm),证明在无磷和缺磷情况下,硅(SiO_2 50PPm)能增加植株伸长、     

硅锗光子晶体复合电极对非晶硅电池性能的影响

采用离子液体电沉积法辅助胶体晶体模板法在非晶硅电池板的ZnO:B表面构筑硅锗光子晶体,制备出ZnO/Si Ge-PCs/Ag(ZnO/SiGe Photonic Crystals/Ag)复合背电极,并研究了ZnO/SiGe-PC/Ag复合背电极与ZnO/Al背电极的非晶硅电池的光电性能.实验结果表明,基于ZnO/SiGe-PCs/Ag复合结构背电极能够提高非晶硅太阳能电池的外量子效率和短路电流密度;并且,随着硅锗光子晶体孔径的增加,电池的效率明显增加.这种新型的光子晶体复合电极结构,对于改善非晶硅叠层电池的光电效率和光电流匹配问题提供一种新途径.     

水稻对硅、钾、钙、镁的吸收动力学研究

为了研究水稻对硅、钾、钙、镁的不同吸收效应，同时探索含钾硅酸盐矿物的肥料价值，本文采用了动力学研究方法．结果表明：水稻对硅、钾、钙、镁的吸收速率因肥料配比差异而不同；而施用多元复合物，水稻生长过程中对硅、钾、钙、镁的吸收速率明显增加；四个动力学方程对水稻吸收养分规律的拟合度都达到了极显著性或显著性水平；单从相关系数及其变异系数来看，四种养分的拟合情况均以Freybdkucg方程为最好．     

非硅微电子学:锗与锗锡场效应晶体管

本文讨论了非硅微电子学,即在硅衬底上利用非硅沟道材料实现互补型金属氧化物半导体(Complememaw Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成电路的微电子科学与技术.文章重点综述了高迁移率锗与锗锡沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)以及隧穿场效应晶体管(Tunneling Field Effect Transistor,TFET)的研究进展.锗与锗锡具有比硅(Si)材料高的空穴和电子迁移率且容易实现硅衬底集成,是实现高迁移率沟道CMOS器件的理想备选材料.通过调节锡组分,锗锡材料可实现直接带隙结构,从而获得较高的带间隧穿几率,理论和实验证明可用锗锡实现高性能TFET器件.本文具体分析了锗锡MOSFETs和TFETs器件在材料生长、表面钝化、栅叠层、源漏工程、应变工程及器件可靠性等关键问题.     

硅镓锗砷的反常散射因子

本文在略述反常散射后,给出几种最常见半导体元素硅,镓、锗、砷在 K 吸收限附近的反常散射因子的模拟表达式,并作了简单讨论。     

P^H对豚草萌发和营养生长的影响

本项研究表明,豚草对溶液酸碱度具有很宽的适应范围,这是豚草得以在全世界广泛传播的重要生态特性之一。但在豚草营养生长初期,对溶液酸碱度比较敏感。     

室温下硅与硅锗合金的热电性能研究

采用第一性原理方法研究在温度为300 K时,硅单质和两种锗组分不同的硅锗合金的热电性能,发现虽然硅的热电功率因子S2σ较大,但由于其热导率也高,故不是良好的热电材料,但若与其同族的元素锗形成合金,就可使材料的热导率得到显著下降,伴随而来的载流子迁移率的下降则远不如热导率明显,从而可获得较大的热电优值,而且在硅锗合金中锗含量不同时,热电优值也会有变化.     

退火对硅锗薄膜上低维结构的PL光谱的影响

采用激光辐照的方法在硅锗薄膜样品表面生成微米级小孔,用高精度扫描电镜观察孔内结构,发现片状的纳米结构. 用荧光光谱仪测其光致荧光谱,在705 nm处出现较强的光致荧光谱（PL）. 对片状结构在800 ℃下进行退火20 min后,其PL光谱明显蓝移至575 nm. 退火40 min后,在725 nm处有较宽的PL光谱,同时,在606 nm处有一尖锐的PL光谱. 利用量子受限和纳晶与氧化物的界面态综合模型解释PL光谱的产生.     

三种硅肥对水稻抗病增产效果的影响

对鞍钢永发硅肥、大连希林索硅肥、鹤岗双阳硅肥进行抗稻瘟病、增产试验.结果表明:施用三种硅肥后叶瘟下降了1～2级,发病率下降了1.9%～8.2%,穗颈瘟发病率下降了2.8%～6.4%,水稻增产1.3%～15.4%.     

方形探针测锗、硅电阻率的部分修正因子的计算

本文计算了用方形探针测厚片、薄园片、薄方片的修正因子。计算表明:方形探针和直线形四探针的修正因子无本质差别。     

外源激素对金福菇菌丝营养生长的影响

为缩短金福菇母种的生长周期,研究了5种不同质量浓度的外源激素对金福菇营养生长阶段菌丝生长的影响,通过测定菌丝的日平均生长速度筛选出5种不同激素单独使用时的适宜质量浓度.实验结果表明,5种激素的适宜质量浓度分别为吲哚乙酸(IAA)1.0mg/L,2,4-二氯苯氧乙酸(2,4-D)1.5mg/L,6-苄氨基腺嘌呤(6-BA)1.5mg/L,赤霉素(GA)1.0mg/L,三十烷醇1.5mg/L.其中,GA对金福菇菌丝生长具有更大的促进作用,其适宜的质量浓度为1.0mg/L,长速提高15.77%.     

理想的非晶态硅和锗的结构模型

非晶态结构与相应的晶态结构之间存在着一定的联系。据此,本文提出了一个关于理想的非晶态半导体中原子排布的物理模型。利用它成功地将金刚石晶格“改造”成了非晶态硅和锗的连续无规网格,所得结构模型的主要参数(密度、径向分布函数等)均与实验结果符合得较好。     

聚合物对硅、铝元素浓度测定的影响

复合驱替剂体系反应液中硅铝元素浓度的测定是研究矿物在碱性驱替剂体系中化学行为的关键．系统地探讨了复合驱替剂体系反应液中存在的水解聚丙烯酰胺3430S(HPAM)和对硅、铝元素浓度测定的影响．研究结果表明：配方溶液中聚丙烯酰胺的浓度低于50μg／ml时，对铝元素浓度测定无影响，当聚丙烯酰胺的浓度低于10μg／ml时，对硅元素浓度测定的影响也很小．因此，在测定复合驱替剂体系反应液中硅铝元素浓度时，应尽量把聚合物浓度控制在10μg／ml以下．     

铬、硅对高碳钢再结晶行为的影响

通过对T10,GCr15,9SiCr三种钢的研究,探讨了铬、硅对高碳钢热变形奥氏体再结晶行为的影响。结果表明:碳化物形成元素铬对再结晶有阻碍作用,而非碳化物形成元素硅对再结晶的阻碍作用不大,却能显著提高发生再结晶的温度。     

石榴子硅卡岩中锗的光谱定量分析

在一九五八年大跃进的形势下,半导体材料的制备成了我校化学系的一项重要任务。为了配合半导体材料铑的制备,曾经进行过各种含锗放物及析煤、烟灰中锗的光谱半定量分析,对于提供制备所需要的原材料起了一定作用。但上述分析工作远不能满足要求,准确地测定锗的合量遂成了我们工作的任务,本试验工作就针对着锗的提取原料硅卡岩为分析对象,寻求一适当方法来测定该岩     

硅,锗衬底上的软硬碳氢膜

我们使用射频-直流辉光放电系统制备了非晶碳氢膜(a-C:H),所用的衬底为半导体级抛光后的硅、锗单晶片,锗片纯度在9个9以上,硅片为N型,电阻率10～20Ω·cm为研究淀积源对膜层结构的影响,我们除使用气态源乙炔(C_2H_2)外,还使用了液态源戌烷(C_5H_(12))。所用淀积参数为:高频频率10MHz,高频功率密度1.4～2.8W/cm~2(未能精确测量),直流偏压0～600V,气体流量0.3～0.61/min,反应室内压强0.01～1托,衬底温度:室温～300℃。