扩展桥联双核铜（Ⅱ）体系的磁耦合机理

应用密度泛函理论，采用对称性破损方法研究了草酸根桥联及草酰胺桥联双核铜（Ⅱ）体系的磁耦合作用机理。结果表明：两磁中心的自旋布居大小相等，符号相反，二者之间为反铁磁耦合。而且，与磁中心相联的配体原子与磁中心具有相同符号的自旋布居，磁中心的自旋具有显著的离域效应。HOMO中磁中心未成对电子的占据轨道之间对称性和能级的匹配程度是影响磁耦合强弱的关键。当对称性匹配时，改变桥联基团占据轨道的能级，例如通过改变桥接原子的电负性， 即可改变磁耦合作用的强度，电负性愈低，磁耦全作用愈强。当对称性不匹配时，体系中存在较弱的磁耦合。     

吸附Pb原子的Bi_2Se_3薄膜的能带结构

基于考虑自旋轨道耦合的第一性原理方法,研究了Bi_2Se_3薄膜和吸附铅原子的Bi_2Se_3薄膜的能带结构.计算发现铅原子在Bi_2Se_3薄膜能带中Γ点附近的量子阱态中引起了大的Rashba自旋劈裂.另外,在Bi_2Se_3薄膜能带中Μ点附近也引起了明显Rashba自旋劈裂.吸附铅原子的覆盖率会对以上的Rashba劈裂产生比较大的影响.     

弱Dresselhaus自旋轨道耦合量子线电导

在有效质量自由电子近似下,用散射矩阵方法计算了两端非绝热连接正常导体电极的弱Dresselhaus自旋轨道耦合量子线的自旋电导.结果表明,由于Dresselhaus自旋轨道耦合作用,系统量子化电导平台在子带边缘呈振荡特性,并依赖于自旋轨道耦合强度与电极中的传播通道数以及量子线长度.     

AlGaAs／GaAs超晶格价带的自旋劈裂

对由ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ，ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ和ＧａＡｓ三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究。通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自旋向上和自旋向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方。     

量子点超晶格中的电子输运

用递归格林函数方法研究了一种周期排列而成的量子点超晶格结构中的电子输运性质.计算结果表明,电导图谱及其共振峰的劈裂依赖于量子点的几何尺寸、量子点的数目及量子点中势的大小.     

层间有反铁磁交换相互作用的磁性超晶格的推迟模式

我们用等效介质理论计算了层间有反铁磁交换的侧向晶格。当外场垂直于磁性或非磁性层时，在这种超晶格中存在两种磁序：反转自旋（flop)和平行自旋磁序。我们发现，这两种磁序的表面模的频率随外场和层间耦合的变化情况很不同。前一种磁序中，模式的频率对层间耦合非常敏感，我们还发现使表面模存在的两个外场临界值。     

磁势垒结构中的隧穿时间

采用群速度的方法来研究磁势垒结构中的隧穿时间，同时考虑了电子自旋以及外加电场的效应，研究发现，磁势垒结构中的隧穿时间很大程度上依赖于势垒结构、偏压、电子入射能量和它的自旋方向，以及纵向波矢，结果显示，对于具有相同能量但入射角度或自旋不同的电子，即使穿透相同的磁势垒结构，隧穿过程也在时间上大不相同，隧穿时间会随着自旋、纵向波矢和偏压的改变有较大的变化。     

基于PVDF的电控磁性研究进展

当代信息化存储要求高垂直各向异性的存储材料,电场控制体系的磁晶各向异性能作为一种新型的磁写入方式而得到广泛研究。基于PVDF的磁电效应有很多研究,包括利用铁电极化改变铁磁层的磁矩、磁化易轴和磁结构,以及利用铁磁层或磁场来改变铁电体特性。本文综述基于有机铁电体PVDF的电控磁性。     

复相多铁材料中电场调控自旋的翻转

电场调控的自旋翻转因在低能耗高密度的新型存储器件中有巨大的应用潜力而受到人们的广泛关注.在复相多铁材料中,利用磁电耦合效应有可能实现电场调控自旋的翻转.我们在CoPt/PMN-PT异质结中,利用电场调控矫顽力的变化,实现了电场调控自旋的翻转.在铁磁形状记忆合金Mn-Ni-Sn与0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3组成的复合材料中,通过电场调控交换偏置场的变化,无需偏置磁场就可以实现电场调控自旋的翻转.     

含镍钡铁氧体增强磁光效应的微观机理研究

计算了镍离子取代后的钡铁氧体在不同的自旋－轨道耦合作用系数下的Ｆａｒａｄａｙ偏转角，研究了它与温度及超交换作用能的关系。结果表明，基记的自旋－轨道耦合和交换作用场对Ｆａｒａｄａｙ领导转角起主要作用，一般与温度的关系不大。     

双轴亚铁磁粒子中的量子位相干涉

本文研究了外磁场沿难磁化轴和中间磁化轴所在平面上任意方向时,亚铁磁颗粒中的量子位相干涉。     

似稳磁场与传导电流

本文以麦克斯韦方程组为基本理论,证明在似稳条件下全部位移电流对磁场的总贡献为零,磁场完全由传导电流决定.     

量子光场中的介观Josephson结的流压台阶

研究处于一般量子电磁场中的介观Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结的流压台阶，明显地计算了奇偶相干态光场中的介观Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结的流压台阶，表明介观Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结不仅能反映外加量子电磁场的量子相干性而且能区别不同种类的非经典光场。     

对毕奥——萨伐尔定律d=μ/4πId■×■/r~3中Ⅰ的讨论

指出毕奥——萨伐尔定律中的I不仅只包含传导电流,也应包含位移电流,证明在一定条件下位移电流对磁场的贡献为零。     

用电磁场模拟质点在重力场中的最速降线

对带电质点在重力作用下于均匀磁场中所进行的无初速运动的轨迹进行研究.     

用电磁场模拟质点在重力场中的最速降线

研究了带电质点在重力作用下于均匀磁场中所进行的无初速运动的轨迹.     

Yangian代数对跃迁算符的影响

根据Y（SL（2））代数的自旋实现，给出李代数范畴内同权量子态之间的跃迁算符与Yangian代数范畴内不同权量子态之间的跃迁算符．利用外磁场下Y（SL（2））代数的自旋实现，给出含时量子态之间的跃迁算符．     

电子注中的束缚电子对

本文对自由电子受激辐射器件与电子直线加速器中的电子注与电磁场的相互作用进行了量子力学分析,认为电子注的电子结构应由束缚电子对组成.电子对的自旋为零,具有Bose子性质.     

Ioffe阱中的磁场结构

介绍了Ioffe阱的结构,借助毕奥*萨伐尔定律,对阱中的磁场构成进行了研究,得出了磁场的精确表达式.在许多理论研究中,中性粒子在阱中被囚禁的区域通常是近原点的,因此,一个多项式展开的技巧被利用,从而得到近原点条件下,理想Ioffe阱中场的近似表达,以便于进一步研究中性粒子在阱中的经典运动特性及量子运动特性.为此,简要讨论了具有磁矩的中性粒子在此阱中的相互作用势,并导出了在一定的近似条件下粒子的经典运动方程.